【技术实现步骤摘要】
增幅型I-line光阻组合物
本公开涉及一种增幅型I-line光阻组合物,尤其是涉及一种具有优异的解析度及高感度特性的增幅型I-line光阻组合物。
技术介绍
在现今半导体黄光工艺中,例如薄膜晶体管基板的工艺中,所使用的曝光机曝光面积大,相对的透镜面积也较大,造成光源强度低与透镜数值孔径(numericalaperture,N.A.值)低。因此,为了配合此机器缺点,常使用高感光型DNQ光。以目前而言,正型DNQ光阻一直是薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)黄光工艺中的重要关键材料,但此类光阻的工艺在1.5μm的膜厚下一直受限于2μm的解析度,且所得的图形无法具有垂直边壁。若转换使用增幅型光阻,不但可以进一步增加感度,减低工艺时间,也可得到边壁垂直的产品。然而,增幅型光阻需另加一道曝后烤(PEB)工艺来稳定线宽与减少光阻显影后残留,但因曝后烤工艺繁杂,几乎无法在现有的TFT-LCD的黄光工艺后多增加一道曝后烤工艺来替换原本DNQ光阻。因此,若能发展出一种可无须通过曝后烤工艺的增幅型光阻,则可改善原本DNQ光阻解析度受限的问题,更可避免现有增幅型光组需要曝后烤工艺的限制,而更加适用于现有的半导体工艺。
技术实现思路
本公开的主要目的在于提供一种增幅型I-line光阻组合物,其具有优异的解析度及高感度特性。本公开的增幅型I-line光阻组合物,包括:一聚羟基苯乙烯衍生物树脂;一光酸引发剂;以及一小分子促进剂,为如下式(I-1)至式(I-3)所示的任一化合物:其中,X1、X2、X3、X4、X5、X6及X7各自独立为且Ra为经取代或未经取代的C1-20烷基、或经取代或 ...
【技术保护点】
1.一种增幅型I‑line光阻组合物,包括:一聚羟基苯乙烯衍生物树脂;一光酸引发剂;以及一小分子促进剂,为如下式(I‑1)至式(I‑3)所示的任一化合物:
【技术特征摘要】
1.一种增幅型I-line光阻组合物,包括:一聚羟基苯乙烯衍生物树脂;一光酸引发剂;以及一小分子促进剂,为如下式(I-1)至式(I-3)所示的任一化合物:其中,X1、X2、X3、X4、X5、X6及X7各自独立为且Ra为经取代或未经取代的C1-20烷基、或经取代或未经取代的C3-30环烷基,或Ra与O、和O相邻的C原子及甲基一同形成一五元或六元的杂环基;每一R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11及R12各自独立为氢、经取代或未经取代的C1-20烷基、经取代或未经取代的C3-30环烷基、经取代或未经取代的C6-14芳基、卤素或其中Rf为经取代或未经取代的C1-20烷基、或经取代或未经取代的C3-30环烷基,或Rf与O、和O相邻的C原子及甲基一同形成一五元或六元的杂环基;A为一单键、经取代或未经取代的C1-20亚烷基、经取代或未经取代的C3-30亚环烷基、经取代或未经取代的亚芴基或其中Rb及Rc各自独立为经取代或未经取代的C1-20烷基,Rd及Re各自独立为且Rg为经取代或未经取代的C1-20烷基、或经取代或未经取代的C3-30环烷基,或Rg与O、和O相邻的C原子及甲基一同形成一五元或六元的杂环基,而p1及p2各自独立为0至4的整数;n1及n2各自独立为1至3的整数;以及m为0至10的整数。2.如权利要求1所述的增幅型I-line光阻组合物,其中于式(I-1)中,X1与X2相同,R1与R2相同,且n1与n2相同。3.如权利要求2所述的增幅型I-line光阻组合物,其中R1与R2各自独立为氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、第二丁基、异丁基、叔丁基、苯基、环己基、氟、氯、4.如权利要求2所述的增幅型I-line光阻组合物,其中A为一单键、经苯基取代的C1-20亚烷基、未经取代的C1-20亚烷基、经甲基或乙基取代的C5-6亚环烷基、未经取代的C5-6亚环烷基、或未经取代的亚芴基。5.如权利要求1所述的增幅型I-line光阻组合物,其中于式(I-2)中,X3与X4相同,R3、R4与R5相同,R6与R3、R4及R5相同或不同,且R7、R8与R9相同。6.如权利要求5所述的增幅型I-line光阻组合物,其中R3、R4与R5为甲基或乙基,R6为经取代的苯基,而R7、R8与R9为氢。7.如权利要求1所述的增幅型I-line光阻组合物,其中在式(I-3)中,X5、X6与X7相同,R10、R11与R12相同,且m为1或2。...
【专利技术属性】
技术研发人员:李兴杰,吕英豪,黄新义,
申请(专利权)人:台湾永光化学工业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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