The three-dimensional integrated optical interconnection chip provided by the utility model includes: device wafer, which comprises a front side with device structure and a back side opposite to the front side, and the device wafer has silicon through holes extending from the front side to the back side; carrier wafer, which is bonded on the front side of the device wafer; and spherical welding on the back side of the device wafer. The point and the optical coupling end face with the back facing to the front extending. The utility model simplifies the manufacturing process of the optical coupling end face in the three-dimensional integrated optical interconnection chip, improves the quality of the optical coupling end face, and reduces the manufacturing cost of the three-dimensional integrated optical interconnection chip.
【技术实现步骤摘要】
三维集成光互连芯片
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种三维集成光互连芯片。
技术介绍
随着科学技术的持续发展，半导体器件的特征尺寸不断缩小，摩尔定律越来越接近物理极限，因此，仅仅通过减小器件尺寸的方式来提高芯片集成度变得越来越困难。为了解决这一问题，三维(ThreeDimensional，3D)集成封装应运而生。三维集成封装技术是未来关键发展技术之一，是实现芯片小型化、克服信号延迟以及突破摩尔定律瓶颈的关键解决方案。三维集成封装的核心思想是将芯片在垂直于衬底的方向上进行堆叠和集成，并通过引线、硅通孔(ThroughSiliconVia，TSV)等方式实现垂直方向上的互连，以进一步提升单位面积内的集成密度，从而缩小封装尺寸。同时，三维集成封装还可以实现异质集成，使得光电子产品朝着更高集成密度和多功能的方向发展。现阶段片上光互连最为可行的方案是基于3D集成硅光子互连，即将电芯片和集成的硅光芯片分别制备在不同的芯片上，利用硅光转接板实现3D光电集成，这一技术的突破在高速芯片领域将有巨大的市场空间。现有硅光芯片的光耦合端面是通过深刻蚀结合传统解理的工艺而制作的，较...
【技术保护点】
1.一种三维集成光互连芯片，其特征在于，包括：器件晶圆，所述器件晶圆包括具有器件结构的正面以及与所述正面相对的背面，且所述器件晶圆具有自所述正面向所述背面方向延伸的硅通孔；载体晶圆，与所述器件晶圆的正面键合；所述器件晶圆的背面具有球形焊点以及自所述背面向所述正面延伸的光耦合端面。
【技术特征摘要】
1.一种三维集成光互连芯片，其特征在于，包括：器件晶圆，所述器件晶圆包括具有器件结构的正面以及与所述正面相对的背面，且所述器件晶圆具有自所述正面向所述背面方向延伸的硅通孔；载体晶圆，与所述器件晶圆的正面键合；所述器件晶圆的背面具有球形焊点以及自所述背面向所述正面延伸的光耦合端面。2.根据权利要求1所述的三维集成光互连芯片，其特征在于，所述硅通孔内填充有导电材料。3.根据权利要求2所述的三维集成光互连芯片，其特征在于，所述导电材料为铂、金、铜、钛和钨中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的三维集成光互连芯片，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：涂芝娟，方青，汪巍，蔡艳，曾友宏，余明斌，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31
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