一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器及制备方法，包括SOI晶片，SOI晶片的顶层硅被完全刻穿形成间隔的、周期性的矩形硅和光栅刻槽，所述刻槽内填充介质材料，在所述介质材料上溅射一定厚度的金属层作为电极。本发明专利技术采用的全刻蚀光栅没有刻蚀深度的问题，并且通过光栅刻槽间加入介质材料，减少光栅和刻槽之间的折射率差，从而获得较窄的反射波段，达到浅刻蚀所能达到的效果，对于完全刻蚀的矩形波导可以和光栅同步制作。

【技术实现步骤摘要】
一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器及制备方法
本专利技术公开了一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器及制备方法，涉及属于光子调控器件、微光电器件领域。
技术介绍
滤波器在光通信中发挥着至关重要的作用，主要用来实现对光信号波长的筛选和操作，分为带通型和带阻型。带通型主要是选择所需要的波长信号通过，而带阻型则是将特定波长的信号阻塞。滤波器被广泛的使用在光传输网络中，在集成硅基光波导中滤波器同样举足轻重。它可以用于特定波长的信号选择、波分复用以及解复用、滤除噪声信号等(姜建飞.硅基多模波导光栅滤波器的研究[D].浙江:浙江大学,2018)。目前市场上已经出现了各种各样的滤波器，如：F-P腔(Fabry-Perot）滤波器（吕大娟.高性能F-P可调谐滤波器的研究与开发[D].武汉：武汉理工大学，2011）、介质薄膜滤波器(MultilayerDielectricThinFilmFilter,MDTFF）（NonakaS,SudaT,OdaH.MicroprocessesandNanotechnologyConference.2001International.2001,206-207）、阵列波导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器，其特征在于，包括SOI晶片，SOI晶片的顶层硅被全刻蚀形成间隔的、周期性设置的矩形硅和光栅刻槽，所述刻槽内填充介质材料，在所述介质材料上制备一定厚度的金属层作为加热电极，所述的电极位置位于矩形硅和光栅刻槽的两侧。

【技术特征摘要】
1.一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器，其特征在于，包括SOI晶片，SOI晶片的顶层硅被全刻蚀形成间隔的、周期性设置的矩形硅和光栅刻槽，所述刻槽内填充介质材料，在所述介质材料上制备一定厚度的金属层作为加热电极，所述的电极位置位于矩形硅和光栅刻槽的两侧。2.根据权利要求1所述的一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器，其特征在于，所述介质材料为电热材料，所述电热材料比硅的折射率小。3.一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：对SOI晶片进行清洗烘干；步骤二：在SOI晶片的顶层硅表面设置掩膜层，通过光刻或电子束光刻工艺将掩膜层图形化；步骤三：进行顶层硅的全刻蚀，制作出周期性设置的条形波导和光栅刻槽；步骤四：去除掩膜层，将介质材料填充进光栅刻槽间；步骤五：在介质材料上制备加热金属电极。4.根据权利要求3所述的一种基于SOI晶片的可调光栅滤波器的制备方法，其特征在于，步骤一中，将SOI晶片进行水、丙酮或乙醇清洗、再烘干的预处理过程，然后备用。5.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘启发，朱莉辉，王慧慧，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32