复合发光层、QLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种复合发光层，所述复合发光层为石墨烯泡沫骨架固定的量子点发光层，包括石墨烯泡沫骨架和固定在所述石墨烯泡沫骨架中的量子点。本发明专利技术提供的复合发光层，包括石墨烯泡沫骨架和量子点。其中，所述石墨烯泡沫骨架疏松多孔，能够有效固定量子点，防止量子点在后续功能层的成膜过程中被其他溶液冲走或成膜过程中掉落，辅助量子点的成膜，使得到的复合发光层具有发光均匀和稳定等性能，从而改善器件的发光效率、发光均匀性和稳定性。

Compound Light Emitting Layer, QLED Device and Its Preparation Method

The invention provides a composite light-emitting layer, which is a quantum dot luminescent layer fixed by a graphene foam skeleton, which comprises a graphene foam skeleton and a quantum dot fixed in the graphene foam skeleton. The composite luminescent layer provided by the invention comprises a graphene foam skeleton and a quantum dot. The graphene foam skeleton is loose and porous, which can effectively fix the quantum dots, prevent the quantum dots from being washed away by other solutions during the subsequent functional layer formation, or falling off in the process of film formation. The auxiliary quantum dots film has the properties of uniform and stable luminescence and so on, thereby improving the luminous efficiency, luminance uniformity and stability of the device.

【技术实现步骤摘要】
复合发光层、QLED器件及其制备方法
本专利技术属于量子点发光二极管
，尤其涉及一种复合发光层、QLED器件及其制备方法。
技术介绍
半导体量子点(Quantumdot,QDs)具有荧光量子效率高、可见光波段发光可调、色域覆盖度宽广等特殊特点。以量子点为发光材料的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantumdotlight-emittingdiode,QLED)，具有色彩饱和、能效更高、色温更佳、寿命长等优点，有望成为下一代固态照明和平板显示的主流技术。目前，在QLED的制备技术中，最常用且最有希望实现大规模产业化的生产加工方法是溶液成膜法，特别是器件中的除电极外的量子点发光层以及各种功能层。例如，对于量子点发光层的沉积方法，目前大多数溶液相成膜工艺是将表面配体功能化的量子点溶于有机溶剂中，配置成量子点溶液或量子点墨水，接着通过旋涂或印刷方式沉积衬底或底功能层上，然后采用同样的成膜方法在量子点发光层上沉积电子传输层，最后蒸镀电极，得到QLED器件。但是，由于量子点的颗粒尺寸与普通离子或有机小分子相比较大，并且量子点表面含有丰富的有机配体，成膜后量子点颗粒之间的连接并不紧密，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合发光层，其特征在于，所述复合发光层为石墨烯泡沫骨架固定的量子点发光层，包括石墨烯泡沫骨架和固定在所述石墨烯泡沫骨架中的量子点。

【技术特征摘要】
1.一种复合发光层，其特征在于，所述复合发光层为石墨烯泡沫骨架固定的量子点发光层，包括石墨烯泡沫骨架和固定在所述石墨烯泡沫骨架中的量子点。2.如权利要求1所述的复合发光层，其特征在于，所述石墨烯泡沫骨架的比表面积为10～300m2/g。3.如权利要求1或2所述的复合发光层，其特征在于，所述石墨烯泡沫骨架表面含有活性官能团。4.如权利要求3所述的复合发光层，其特征在于，所述活性官能团为-OH、-COOH、-NH2、-NH-、-NHCONH-、-SH、-CN、-SO3H、-SOOH、-NO2、-CONH2、-CONH-、-COCl、-CO-、-O-、-COS-、-CH＝N-、O＝P(R)2、-CHO、-Cl、-Br中的至少一种。5.一种QLED器件，其特征在于，包括依次层叠结合在衬底上的底电极、第一功能层、发光层、第二功能层和顶电极，其中，所述发光层为权利要求1-4任一项所述的复合发光层。6.如权利要求5所述的QLED器件，其特征在于，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极，所述第一功能层为依次层叠结合在所述阳极上的空穴注入层和空穴传输层，所述第二功能层为层叠结合在所述发光层上的电子注入/传输层。7.如权利要求5所述的QLED器件，其特征在于，所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极，所述第一功能层为层叠结合在所述阴极上的电子注入/传输层，所述第二功能层为依次层叠结合在所述发光层上的空穴传输层和空穴注入层。8.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供金属泡沫模板骨架，在所述金属泡沫模板骨架上附着生长石墨烯，得到石墨烯/金属泡沫骨架；将所述石墨烯/金属泡沫骨架浸泡在刻蚀液中，刻蚀去除金属泡沫模板，得到石墨烯泡沫骨架；提供衬底，在所述衬底上依次沉积底电极、第一功能层，在所述第一功能层上沉积所述石墨烯泡沫骨架，在所述石墨烯泡沫骨架上沉积量子点形成复合发光层，在所述复合发光层上依次沉积第...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁柱荣，曹蔚然，刘佳，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44