显示装置制造方法及图纸

公开了一种显示装置。本发明专利技术的显示装置可包括：基板，其包括显示区域以及与显示区域相邻的非显示区域；阳极，其被设置在显示区域中；有机发光层，其被层叠在阳极上，该有机发光层被设置在显示区域中；阴极，其被层叠在有机发光层上；以及选通驱动器，其被设置在显示区域中。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
本专利技术涉及一种显示装置。
技术介绍
近年来，已开发了能够减小重量和体积(这些是阴极射线管(CRT)的缺点)的各种显示装置。例如，显示装置可以是液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)或电致发光装置(EL)。显示装置可被划分成用于显示图像的显示区域以及沿着显示区域的外围形成的非显示区域。在传统显示装置中，用于驱动显示面板的面板驱动器被设置在非显示区域中。由于面板驱动器被设置在非显示区域中，所以限制了非显示区域的减小。
技术实现思路
因此，本公开的目的在于解决上述和其它问题。本公开的另一目的在于提供一种形成窄边框的显示装置，其中，选通驱动器被设置在显示区域中，其中，传统数据驱动器被设置在非显示区域中。根据本专利技术的一方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：基板，其包括显示区域以及与显示区域相邻的非显示区域；阳极，其被设置在显示区域中；有机发光层，其被层叠在阳极上，该有机发光层被设置在显示区域中；阴极，其被层叠在有机发光层上；以及选通驱动器，其被设置在显示区域中。根据本专利技术的另一方面，该显示装置还可包括设置在显示区域中的驱动TFT(薄膜晶体管)，并且驱动TFT可包括：连接到阳极的D-漏极；D-源极；D-栅极；和D-半导体层，并且选通驱动器可被层叠在基板上，驱动TFT可被层叠在选通驱动器上。根据本专利技术的另一方面，选通驱动器可包括多个选通TFT(薄膜晶体管)，所述多个选通TFT中的每一个可包括：G-半导体层；G-栅极；G-源极；以及连接到D-栅极的G-漏极。根据本专利技术的另一方面，显示装置还可包括：覆盖选通驱动器的保护层；以及层叠在保护层上的平坦化层，驱动TFT可形成在平坦化层上，G-漏极可穿过保护层和平坦化层，并且G-漏极可连接到D-栅极。根据本专利技术的另一方面，选通驱动器可被设置在显示区域的中心部分处，并且选通驱动器可沿着显示区域的列方向伸长。根据本专利技术的另一方面，选通驱动器可包括第一选通驱动器和第二选通驱动器，第一选通驱动器可被设置在显示区域的一侧，第二选通驱动器可被设置在显示区域的另一侧，并且第二选通驱动器可与第一选通驱动器相对。根据本专利技术的另一方面，显示装置还可包括：下第一绝缘物；下第二绝缘物；下保护层；以及下平坦化层，G-半导体层可形成在基板上，下第一绝缘物可被施加在基板上并且下第一绝缘物可覆盖G-半导体层，G-栅极可形成在下第一绝缘物上，下第二绝缘物可被施加在下第一绝缘物上并且下第一绝缘物可覆盖G-栅极，G-源极可形成在下第二绝缘物上，G-源极可穿过下第一和第二绝缘物，并且G-源极可连接到G-半导体层的上表面，G-漏极可形成在下第二绝缘物上，G-漏极可穿过下第一和第二绝缘物，G-漏极可连接到G-半导体层的上表面，并且G-漏极可与G-源极间隔开，下保护层可覆盖G-源极和G-漏极，并且下保护层可层叠在下第二绝缘物上，并且下平坦化层可层叠在下保护层上。根据本专利技术的另一方面，该显示装置还可包括：上第一绝缘物；上第二绝缘物；上保护层；以及上平坦化层，D-半导体层可形成在下平坦化层上，上第一绝缘物可层叠在下平坦化层上，上第一绝缘物可覆盖D-半导体层，D-栅极可形成在上第一绝缘物上，D-栅极可连接到G-漏极，上第二绝缘物可层叠在上第一绝缘物上，上第二绝缘物可覆盖D-栅极，D-源极可形成在上第二绝缘物上，D-源极可穿过上第一和第二绝缘物，D-源极可连接到D-半导体层，D-漏极可形成在上第二绝缘物上，D-漏极可穿过上第一和第二绝缘物，D-漏极可连接到D-半导体层，D-漏极可与D-源极间隔开，上保护层可层叠在上第二绝缘物上，上保护层可覆盖D-源极和D-漏极，上平坦化层可层叠在上保护层上，并且阳极可形成在上平坦化层上并连接到D-漏极。根据本专利技术的另一方面，D-半导体层可包括第一D-半导体层和第二D-半导体层，第一D-半导体层可与第二D-半导体层间隔开，D-源极可连接到第一D-半导体层，并且D-漏极可连接到第二D-半导体层。根据本专利技术的另一方面，该显示装置还可包括：上第一绝缘物；上保护层；以及上平坦化层，驱动TFT还可包括D-蚀刻阻挡层，D-栅极可形成在下平坦化层上，上第一绝缘物可层叠在下平坦化层上，上第一绝缘物可覆盖D-栅极，D-半导体层可形成在上第一绝缘物上，D-蚀刻阻挡层可形成在D-半导体层上，D-源极可形成在上第一绝缘物上，D-源极可覆盖D-半导体层的一侧和D-蚀刻阻挡层的一侧，D-漏极可形成在上第一绝缘物上，D-漏极可覆盖D-半导体层的另一侧和D-蚀刻阻挡层的另一侧，上保护层可层叠在上第一绝缘物上，并且上保护层可覆盖D-源极和D-漏极，上平坦化层可层叠在上保护层上；并且阳极可形成在上平坦化层上并连接到D-漏极。根据本专利技术的另一方面，该显示装置还可包括：下第一绝缘物；下保护层；以及下平坦化层，选通TFT还可包括G-蚀刻阻挡层，G-栅极可形成在基板上，下第一绝缘物可层叠在基板上，下第一绝缘物可覆盖G-栅极，G-半导体层可形成在下第一绝缘物上，G-蚀刻阻挡层可形成在G-半导体层上，G-源极可形成在下第一绝缘物上，G-源极可覆盖G-半导体层的一侧和G-蚀刻阻挡层的一侧，G-漏极可形成在下第一绝缘物上，G-漏极可覆盖G-半导体层的另一侧和G-蚀刻阻挡层的另一侧，下保护层可层叠在下第一绝缘物上，下保护层可覆盖D-源极和D-漏极，并且下平坦化层可层叠在下保护层上。根据本专利技术的另一方面，D-半导体层可包括第一D-半导体层和第二D-半导体层，第一D-半导体层可与第二D-半导体层间隔开，D-源极可连接到第一D-半导体层，并且D-漏极可连接到第二D-半导体层。根据本专利技术的另一方面，该显示装置还可包括设置在非显示区域中的数据驱动器，该数据驱动器可电连接到选通驱动器。根据本专利技术的另一方面，数据驱动器可包括：第一数据驱动器；以及与第一数据驱动器间隔开的第二数据驱动器。根据本专利技术的另一方面，该显示装置还可包括设置在非显示区域中的源极COF(膜上芯片)，并且该源极COF可将数据驱动器连接到基板。根据本专利技术的至少一个实施方式，通过将选通驱动器(传统上设置在非显示区域中)形成在显示区域中，可容易地实现窄边框。根据本专利技术的至少一个实施方式，通过将选通驱动器(传统上形成在非显示区域中)形成在显示区域中，可改进产品的设计自主性。附图说明附图被包括以提供本专利技术的进一步理解，并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分，附图示出本专利技术的实施方式并与说明书一起用于说明本专利技术的原理。附图中：图1和图2是示出根据本专利技术的实施方式的显示装置的示图。图3是选通驱动器和多条导线的关系图。图4是根据本专利技术的实施方式的像素的示意图。图5至图9是用于示出本专利技术的各种实施方式的图4的截面图。图10是示出根据本专利技术的实施方式的显示装置的示图。具体实施方式现在将详细参照本专利技术的实施方式，其示例示出于附图中。由于本专利技术可按照各种方式修改并且可具有各种形式，所以特定实施方式示出于附图中并且在本说明书中详细描述。然而，应该理解，本专利技术不限于所公开的特定实施方式，而是包括本专利技术的精神和技术范围内所包括的所有修改形式、等同形式和替换形式。术语“第一”、“第二”等可用于描述各种组件，但是所述组件不受这些术语限制。所述术语仅用于将一个组件与其它组件相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，该显示装置包括：基板，该基板包括显示区域以及与所述显示区域相邻的非显示区域；阳极，该阳极被设置在所述显示区域中；有机发光层，该有机发光层被设置在所述阳极上并设置在所述显示区域中；阴极，该阴极被设置在所述有机发光层上；以及选通驱动器，该选通驱动器被设置在所述显示区域中。

【技术特征摘要】
2017.07.20 KR 10-2017-00922141.一种显示装置，该显示装置包括：基板，该基板包括显示区域以及与所述显示区域相邻的非显示区域；阳极，该阳极被设置在所述显示区域中；有机发光层，该有机发光层被设置在所述阳极上并设置在所述显示区域中；阴极，该阴极被设置在所述有机发光层上；以及选通驱动器，该选通驱动器被设置在所述显示区域中。2.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括设置在所述显示区域中的驱动薄膜晶体管TFT，其中，所述驱动TFT包括：D-漏极，该D-漏极连接到所述阳极；D-源极；D-栅极；以及D-半导体层，其中，所述选通驱动器被设置在所述基板上，并且其中，所述驱动TFT被设置在所述选通驱动器上。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述选通驱动器包括多个选通TFT，其中，所述多个选通TFT中的每一个选通TFT包括：G-半导体层；G-栅极；G-源极；以及G-漏极，该G-漏极连接到所述D-栅极。4.根据权利要求3所述的显示装置，该显示装置还包括：保护层，该保护层覆盖所述选通驱动器；以及平坦化层，该平坦化层被设置在所述保护层上，其中，所述驱动TFT被设置在所述平坦化层上，其中，所述G-漏极穿过所述保护层和所述平坦化层，并且其中，所述G-漏极连接到所述D-栅极。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述选通驱动器伸长并垂直地设置在所述显示区域的中心部分处。6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述选通驱动器包括设置在所述显示区域的相对两侧的第一选通驱动器和第二选通驱动器。7.根据权利要求3所述的显示装置，该显示装置还包括：下第一绝缘物；下第二绝缘物；下保护层；以及下平坦化层，其中，所述G-半导体层被设置在所述基板上；所述下第一绝缘物被设置在所述基板上并覆盖所述G-半导体层；所述G-栅极被设置在所述下第一绝缘物上；所述下第二绝缘物被设置在所述下第一绝缘物上并覆盖所述G-栅极；所述G-源极被设置在所述下第二绝缘物上并穿过所述下第一绝缘物和所述下第二绝缘物，其中，所述G-源极连接到所述G-半导体层的上表面；所述G-漏极被设置在所述下第二绝缘物上并穿过所述下第一绝缘物和所述下第二绝缘物，其中，所述G-漏极连接到所述G-半导体层的所述上表面并与所述G-源极间隔开；所述下保护层被设置在所述下第二绝缘物上并覆盖所述G-源极和所述G-漏极；并且所述下平坦化层被设置在所述下保护层上。8.根据权利要求7所述的显示装置，该显示装置还包括：上第一绝缘物；上第二绝缘物；上保护层；以及上平坦化层，其中，所述D-半导体层被设置在所述下平坦化层上；所述上第一绝缘物被设置在所述下平坦化层上并覆盖所述D-半导体层；所述D-栅极被设置在所述上第一绝缘物上并连接到所述G-漏极；所述上第二绝缘物被设置在所述上第一绝缘物上并覆盖所述D-栅极；所述D-源极被设置在所述上第二绝缘物上并穿过所述上第一绝缘物和所述上第二绝缘物，其中，所述D-源极连接到所述D-半导体层；所述D-漏极被设置在所述上第二绝缘物上并穿过所述上第一绝缘物和所述上第二绝缘物，其中，所述D-漏极连接到所述D-半导体层并与所述D-源极间隔开；所述上保护层被设置在所述上第二绝缘物上并覆盖所述D-源极和所述D-漏极；所述上平坦化层被设置在所述上保护层上；并且所述阳极被设置在所述上平坦化层上并连接到所述D-漏极。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述D-半导体层包括第一D-半导体层和第二D-半导体层，其中，所述第一D-半导体层与所述第二D-半导体层间隔开，其中，所述D-源极连接到所述第一D-半导体层，并且其中，所述D-漏极连接到所述第二D-半导体层。10.根据权利要求7所述的显示装置，该显示装置还包括：上第一绝缘物；上保护层；以及上平坦化层，其中，所述驱动TFT还包括D-蚀刻阻挡层，并且其中，所述D-栅极被设...

【专利技术属性】
技术研发人员：金元泰，白钦硕，李种业，郑仁锡，黄正焕，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR