晶圆垂直稳定性校准系统及校准晶圆垂直稳定性的方法技术方案

本发明专利技术提供一种晶圆垂直稳定性校准系统及校准晶圆垂直稳定性的方法，所述系统包括：待校准晶圆；支撑装置，用于放置所述待校准晶圆；动态平衡系统，设置于所述待校准晶圆的两侧，并与所述待校准晶圆的表面相对，所述动态平衡系统包括若干个位置不同的喷嘴，所述喷嘴能够喷射液体或者气体到所述待校准晶圆的表面，以校准所述待校准晶圆的位置，使所述待校准晶圆保持竖直状态；抓取装置，用于抓取所述待校准晶圆从一个位置移动到另一个位置。本发明专利技术的系统避免出现传输抓手抓取晶圆时位置变化，发生掉片、碎片、刮伤等的问题，提高了良率和产量。

【技术实现步骤摘要】
晶圆垂直稳定性校准系统及校准晶圆垂直稳定性的方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种晶圆垂直稳定性校准系统及校准晶圆垂直稳定性的方法。
技术介绍
通常化学机械研磨(CMP)的机台分为研磨部分和晶圆清洗两个部分，当晶圆进入清洗装置后，要通过输入、振荡清洗、碱清洗、酸清洗、甩干烘干、输出等步骤，这些步骤要通过清洗装置上方的抓手爪取晶圆从一个位置到另一个位置。这就要求晶圆所处的每个位置和抓手的位置对齐，保证抓手能够准确安全的抓取晶圆从一个位置到另外一个位置。抓取的位置要求比较严格，一旦每个清洗步骤的位置有所偏差，就会遭成抓手抓取晶圆的失败，或出现刮伤、破片的现象。往往造成每个清洗步骤的位置偏差的原因是多种多样的。其中主要的原因有：1)支撑酸碱清洗的晶圆装置老化或磨损，造成位置偏差，晶圆不能完全竖直的站立在支撑装置中，当抓手抓取时，抓手的位置和晶圆的位置不能对齐，造成掉片、碎片、刮伤等问题；2)清洗装置在装机时都是由很多装置组成的，而如果组装时位置不均衡，则很可能造成抓手抓取时位置不对，一旦装机完成，有些步骤很难调节，因为这些位置都是相互联系的；3)抓取晶圆的抓手经过长时间的使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆垂直稳定性校准系统，其特征在于，包括：待校准晶圆；支撑装置，用于放置所述待校准晶圆；动态平衡系统，设置于所述待校准晶圆的两侧，并与所述待校准晶圆的表面相对，所述动态平衡系统包括若干个位置不同的喷嘴，所述喷嘴能够喷射液体或者气体到所述待校准晶圆的表面，以校准所述待校准晶圆的位置，使所述待校准晶圆保持竖直状态；抓取装置，用于抓取所述待校准晶圆从一个位置移动到另一个位置。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆垂直稳定性校准系统，其特征在于，包括：待校准晶圆；支撑装置，用于放置所述待校准晶圆；动态平衡系统，设置于所述待校准晶圆的两侧，并与所述待校准晶圆的表面相对，所述动态平衡系统包括若干个位置不同的喷嘴，所述喷嘴能够喷射液体或者气体到所述待校准晶圆的表面，以校准所述待校准晶圆的位置，使所述待校准晶圆保持竖直状态；抓取装置，用于抓取所述待校准晶圆从一个位置移动到另一个位置。2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括位于所述待校准晶圆两侧的固定基板，所述支撑装置固定在一侧的所述固定基板上，所述喷嘴固定在两侧的所述固定基板上，所述固定基板的内壁与所述待校准晶圆的表面相对的部分为竖直的平面。3.如权利要求2所述的系统，其特征在于，还包括槽体，所述槽体内具有容纳所述动态平衡系统、所述待校准晶圆以及所述支撑装置的空间，所述槽体与所述待校准晶圆相对的两个侧壁用作所述固定基板。4.如权利要求2所述的系统，其特征在于，所述支撑装置包括至少三个支撑轴，所述支撑轴各自独立的可拆卸安装在一侧的所述固定基板上。5.如权利要求4所述的系统，其特征在于，所述支撑轴从所述固定基板的内壁向外突出部分长度，并且所述支撑轴的轴线垂直于所述固定基板的内壁。6.如权利要求4所述的系统，其特征在于，所述待校准晶圆放置于所述支撑轴上，所述支撑轴与所述待校准晶圆接触的支撑点均位于所述待校准晶圆位于下方的半圆的圆周上。7.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述喷嘴位于所述支撑装置的上方。8.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述待校准晶圆包括上下两个半圆，所述喷嘴将液体或者气体喷到竖直的所述待校准晶圆的上半圆内。9.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述喷嘴在竖直的所述待校准晶圆上的投影位于所述待校准晶圆的上半圆内。10.如权利要求9所述的系统，其特征在于，位于所述待校准晶圆两侧的所述喷嘴的数量相同，和/或，每一行所述喷嘴的数目相同。11.如权利要求1所述的系统，其特征在于，每侧的所述喷嘴成若干行排布，每一行所述喷嘴在竖直的所述待校准晶圆上的喷射点的连线彼此间平行，并与将所述待校准晶圆分为上下两个半圆的直径相平行。12.如权利要求11所述的系统，其特征在于，所述喷嘴在竖直的所述待校准晶圆上的喷射点关于与所述直径垂直的所述待校准晶圆的另一直径对称。13.如权利要求1所述的系统，其特征在于，每一侧的所述喷嘴排列成三行，定义位于下部的所述喷嘴在竖直的所述待校准晶圆上的喷射点的连线为第一连线，则所述第一连线穿过所述待校准晶圆的圆心，定义位于中部的所述喷嘴在所述标准晶圆上的喷射点的连线为第二连线，所述第二连线与所述第一连线平行，定义位于上部的所述喷嘴在所述标准晶圆上的喷射点的连线为第三连线，所述第二连线与所述第一连线之间的垂直距离大于所述第三连线和所述第二连线之间的垂直距离。14.如权利要求13所述的系统，其特征在于，所述第二连线与所述第一连线之间的垂直距离为所述待校准晶圆半径的40％，所述第三连线和所述第二连线之间的垂直距离为所述待校准晶圆半径的30％。15.如权利要求13所述的系统，其特征在于，所述第一连线及其延长线与所述待校准晶圆的边缘相交所获得的直线为所述待校准晶圆的上半圆的直径。16.如权利要求15所述的系统，其特征在于，在经过所述圆心并与所述上半圆的直径垂直的所述待校准晶圆的半径与所述第一连线、所述第二连线和所述第三连线的交点分别对应一个所述喷嘴在竖直的所述待校准晶圆上的喷射点。17.如权利要求16所述的系统，其特征在于，位于所述待校准晶圆的两侧的所述喷嘴的数量相同，每侧所述喷嘴的数量为9个，...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏连山，张连伯，汪志宇，唐强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31