包括多个电源轨的存储器件和操作其的方法技术

一种存储器件，具有多个电源轨，包括：第一电源轨，用于传递高电源电压，第二电源轨，用于传递低电源电压，第三电源轨，用于经过第一动态电压和频率调整(DVFS)开关来从第一电源轨接收高电源电压并且用于经过第二DVFS开关来从第二电源轨选择性地接收低电源电压，第四电源轨，连接到第一电源门控(PG)开关，用来从第三电源轨选择性地接收高电源电压或低电源电压，第一电路块，连接到第四电源轨以接收应用了DVFS和PG的电源电压。当应用了电源门控时，阻断第四电源轨的电源电压的供应。

【技术实现步骤摘要】
包括多个电源轨的存储器件和操作其的方法相关申请的交叉引用此申请要求于2017年7月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0092261号和于2018年7月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0078936号的优先权，通过引用将上述公开的全部内容并入本文。
本专利技术构思涉及一种存储器件，并且更具体地，涉及一种包括多个电源轨的存储器件和操作其的方法。
技术介绍
在高性能电子系统中广泛地使用的半导体存储器件的存储容量和速度正在增加。作为半导体存储器件的示例，动态随机存取存储器(DRAM)是易失性存储器，并且通过存储单元的电容中存储的电荷来确定存储在DRAM的存储单元中的数据。DRAM可以通过使用各种电源电压的电平来执行内部操作。另外，通常需要根据DRAM的操作性能(诸如信号的频率)来控制电源电压。然而，为了控制电源电压，一般需要在DRAM中提供多个开关，并且布置用于传递电源电压的各种电平的电源轨。在此种情况中，可以增加开关的尺寸，用来允许增加开关的控制或电源轨的布置的复杂性，和/或减小由于流过开关的电阻的电流而引起的电压降(IR降)。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种存储器件，包含：第一电源轨，用于传递高电源电压；第二电源轨，用于传递低电源电压；第三电源轨，用于经过第一动态电压和频率调整(DVFS)开关从所述第一电源轨选择性地接收所述高电源电压，并且经过第二DVFS开关来从第二电源轨选择性地接收所述低电源电压；第四电源轨，经过第一电源门控(PG)开关连接以从第三电源轨选择性地接收所述高电源电压或所述低电源电压；以及第一电路块，连接到所述第四电源轨以选择性地接收应用了DVFS和电源门控的电源电压，其中，在接通了第一PG开关时，第一电路块选择性地接收作为电源电压的所述高电源电压或所述低电源电压，并且其中，在关闭了第一PG开关时，阻断向第一电路块的所述高...

【技术特征摘要】
2017.07.20 KR 10-2017-0092261;2018.07.06 KR 10-2011.一种存储器件，包含：第一电源轨，用于传递高电源电压；第二电源轨，用于传递低电源电压；第三电源轨，用于经过第一动态电压和频率调整(DVFS)开关从所述第一电源轨选择性地接收所述高电源电压，并且经过第二DVFS开关来从第二电源轨选择性地接收所述低电源电压；第四电源轨，经过第一电源门控(PG)开关连接以从第三电源轨选择性地接收所述高电源电压或所述低电源电压；以及第一电路块，连接到所述第四电源轨以选择性地接收应用了DVFS和电源门控的电源电压，其中，在接通了第一PG开关时，第一电路块选择性地接收作为电源电压的所述高电源电压或所述低电源电压，并且其中，在关闭了第一PG开关时，阻断向第一电路块的所述高电源电压和所述低电源电压的供应。2.根据权利要求1所述的存储器件，进一步包含连接到所述第三电源轨的第二电路块以定期地接收所述高电源电压或所述低电源电压。3.根据权利要求2所述的存储器件，进一步包含连接到所述第三电源轨和第四电源轨的第三电路块，其中所述第三电路块中的一些电路连接到所述第三电源轨，以及其中所述第三电路块中的一些其他电路连接到所述第四电源轨。4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述高电源电压是在低功耗双倍数据速率5(LPDDR5)规范中定义的VDD2H电压，以及其中，所述低电源电压是在LPDDR5规范中定义的VDD2L电压。5.根据权利要求1所述的存储器件，进一步包含：第二PG开关，连接在所述第一电源轨和所述第四电源轨之间；以及第三PG开关，连接在所述第二电源轨和所述第四电源轨之间。6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述第一DVFS开关在其中将所述高电源电压提供给第三电源轨的第一周期中接通，所述第二DVFS开关在其中将所述低电源电压提供给第三电源轨的第二周期中打开，以及其中，第一PG开关在第一周期和第二周期的每一个中的至少部分周期中接通。7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述第二PG开关在第一周期中与第一PG开关一起接通，以及其中，所述第三PG开关在第二周期中与第一PG开关一起接通。8.根据权利要求1所述的存储器件，进一步包含：第五电源轨，用于定期地传递所述高电源电压；第二PG开关，连接在所述第一电源轨和第四电源轨之间；以及第三PG开关，连接在所述第一电源轨和第五电源轨之间，其中，经过单个开关操作来将所述高电源电压选择性地提供给所述第四电源轨和第五电源轨。9.根据权利要求8所述的存储器件，进一步包含：第一电压区域，包括一个或多个数据处理块，所述一个或多个数据处理块用于传递要存储在存储单元阵列中的或从存储单元阵列读取的数据；以及第二电压区域，包括用于控制所述数据处理块的一个或多个控制块，其中，所述第一电压区域连接到所述第三电源轨或所述第四电源轨，用来接收应用了DVFS的电源电压，并且其中所述第二电压区域连接到所述第五电源轨以定期地接收所述高电源电压。10.一种存储器件，包含：电源轨/具有多个电源轨的控制开关块，包括第一和第二电源轨，以传递用于存储器件的电源电压，以及连接到所述多个电源轨的多个开关，以控制电源电压的传输；连接到所述第一电源轨的第一电压区域，用于在应用了动态电压和频率调整(DVFS)时选择性地传递高电源电压或低电源电压；以及连接到所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金荣华，吴台荣，张晋熏，赵席振，河庆洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR