A method for determining the residual carbon concentration at SiC_SiO 2 interface in SiC oxidation includes: providing a silicon carbide substrate containing SiC_SiO 2 interface, the silicon carbide substrate containing SiC_SiO 2 interface obtained by SiC oxidation, and implanting ion into the silicon carbide substrate by ion implantation.
【技术实现步骤摘要】
SiC氧化中SiC-SiO2界面碳残留浓度的测定方法及其应用
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种SiC氧化中SiC-SiO2界面碳残留浓度的测定方法及其应用。
技术介绍
碳化硅(SiC)是第三代半导体-宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强高、热导率高等优点，是制作高压、大功率半导体器件的理想材料，SiC电力电子器件是下一代高效电力电子器件技术的核心。SiCMOSFETs相比于SiMOSFETs导通电阻更小、开关电压更高、应用频率更高、温度性能更好，特别适用于功率开关应用。SiCMOSFET器件的集成制造工艺，特别是栅介质工艺，是当前研究的热点。SiC是唯一能够热生长SiO2的化合物半导体，这就使得SiC可以实现所有SiMOS的器件结构。SiC的热氧化需要比Si更高的氧化温度，氧化温度高达1300℃。目前主流的SiC氧化工艺主要是采用电阻加热方式的氧化炉，主要原理是基于碳化硅与氧气分子的反应，但是这种与氧气分子氧化的方法，容易造成界面处残留碳簇、Si-O-C键、C的悬挂键等缺陷，界面质量退化，导致迁移率降低，如图1所示。因此，SiC-SiO2界面处...
【技术保护点】
1.一种SiC氧化中SiC‑SiO2界面碳残留浓度的测定方法，包括：提供一个包含SiC‑SiO2界面的碳化硅衬底，所述包含SiC‑SiO2界面的碳化硅衬底由SiC氧化获得；利用离子注入向所述碳化硅衬底内注入18O同位素，18O同位素与SiC‑SiO2界面碳生成一氧化碳C18O；加热所述碳化硅衬底使一氧化碳C18O脱附；收集脱附出来的一氧化碳C18O，并检测其质量；根据一氧化碳C18O的质量计算SiC‑SiO2界面碳残留浓度。
【技术特征摘要】
1.一种SiC氧化中SiC-SiO2界面碳残留浓度的测定方法，包括：提供一个包含SiC-SiO2界面的碳化硅衬底，所述包含SiC-SiO2界面的碳化硅衬底由SiC氧化获得；利用离子注入向所述碳化硅衬底内注入18O同位素，18O同位素与SiC-SiO2界面碳生成一氧化碳C18O；加热所述碳化硅衬底使一氧化碳C18O脱附；收集脱附出来的一氧化碳C18O，并检测其质量；根据一氧化碳C18O的质量计算SiC-SiO2界面碳残留浓度。2.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘新宇，王盛凯，白云，汤益丹，韩忠霖，杨成樾，田晓丽，陈宏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11
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