The invention belongs to the field of semiconductor packaging material processing technology, in particular to a grinding wheel for grinding QFN semiconductor packaging material, a preparation method and application thereof. The grinding wheel is made of 8 15 diamond, 3 7 silicon carbide with W 5 particle size, 5 10 silicon carbide with w3.5 particle size, 1 4 fine graphite, 23 30 phenolic resin, 3.5 7 thermal expansive microcapsules and 2 4 coupling agents. The grinding wheel prepared by the invention is used for thinning QFN semiconductor packaging materials, with a porosity of 50 60% and a grinding QFN. Semiconductor packaging material surface can show mirror effect, the workpiece roughness value Ra is between 0.1 0.2 um, which improves the processing efficiency of QFN semiconductor packaging material.
【技术实现步骤摘要】
一种用于QFN半导体封装材料磨削的砂轮、其制备方法及应用
本专利技术属于半导体封装材料加工
，具体涉及一种用于QFN半导体封装材料磨削的砂轮、其制备方法及应用。
技术介绍
在目前的集成电路发展中，每种电子元器件（IC器件）都有对应的封装形式，IC器件的封装形式是指实现半导体集成电路芯片功能的装配技术和外形规格，主要包括TO、DIP、QFP、QFN、BGA、CSP六大类。近几年封装体的变化主要是向着两个方向发展，一是提高容纳能力方向，例如提高引脚数以容纳更多功能在同一个封装体中，以在减少产品数量的同时实现相同功能，从而实现降低成本的目的；二是变小、变薄、变简洁方向，例如用QFN代替BGA，于是QFN封装的需求就愈加明显。QFN封装具有散热性能好，成本低，更加轻薄短小，封装流程简洁的特点，符合了封装类型向着高性能、小尺寸、低成本发展的要求。目前对QFN封装进行加工的工艺主要是半精磨或者精磨工序与抛光工序相组合的工艺，即，封装工序中一般只有半精磨或者精磨、抛光划痕两道工序，其工艺中主要的加工过程是选择不同砂轮对QFN封装进行减薄磨削，QFN封装体原始尺寸一般是23...
【技术保护点】
1.一种用于QFN半导体封装材料磨削的砂轮，其特征在于，该砂轮由下述体积份数的原料制备而成：金刚石8‑15份，粒度为w5的碳化硅3‑7份，粒度为w3.5碳化硅5‑10份，细石墨1‑4份，酚醛树脂23‑30份，热膨胀性微胶囊3.5‑7份，偶联剂2‑4份。
【技术特征摘要】
1.一种用于QFN半导体封装材料磨削的砂轮，其特征在于，该砂轮由下述体积份数的原料制备而成：金刚石8-15份，粒度为w5的碳化硅3-7份，粒度为w3.5碳化硅5-10份，细石墨1-4份，酚醛树脂23-30份，热膨胀性微胶囊3.5-7份，偶联剂2-4份。2.如权利要求1所述用于QFN半导体封装材料磨削的砂轮，其特征在于，该砂轮由下述体积份数的原料制备而成：金刚石10份，粒度为w5的碳化硅5份，粒度w3.5为碳化硅8份，细石墨2份，酚醛树脂25份，热膨胀性微胶囊5.5份，偶联剂2份。3.如权利要求1所述用于QFN半导体封装材料磨削的砂轮，其特征在于，所述金刚石是粒度8-12μm的镀镍金刚石；热膨胀性微胶囊的粒径80-110μm，耐热温度160-170℃，真比重0.13。4.如权利要求1所述用于QFN半导体封装材料磨削的砂轮，其特征在于，偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷。5.权利要求1-4任一所述用于Q...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵延军，闫宁，惠珍，熊华军，丁玉龙，
申请(专利权)人：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41
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