The invention relates to the field of silicon wafer polishing equipment, aiming at providing a silicon wafer surface polishing device and a polishing method. The polishing device comprises a polishing device body, a driving component and a polishing polishing head; the polishing device body comprises a circular upper mounting plate and a circular lower mounting plate of the same size; the driving component can realize the forward and reverse rotation of the polishing device; the polishing polishing head comprises four lateral polishing heads, four upper polishing heads and four lower polishing heads, which are staggered and evenly arranged on the outer edge of the polishing device body; A polishing cloth is arranged on the polishing blocks of the upper and lower polishing heads. The invention utilizes centrifugal force produced by the rotation of the polishing device to make the polishing cloth act uniformly on the outer surface of silicon wafer. At the same time, the force applied on the outer surface of silicon wafer can be changed by changing the rotation speed of the polishing device, which is beneficial to the adjustment of the polishing process and greatly improves the polishing efficiency of the outer surface of silicon wafer. The structure is compact, simple and practical, which can effectively improve the polishing quality of the silicon wafer surface.
【技术实现步骤摘要】
一种硅片外圆表面抛光装置及抛光方法
本专利技术属于硅片抛光设备领域,具体涉及一种硅片外圆表面抛光装置及抛光方法。
技术介绍
半导体硅晶圆片是制造超大规模集成电路的主要衬底材料,随着半导体产业的飞速发展,对衬底材料的精度要求也越来越高,特别是对硅片的外圆表面状态越来越严格。对于直径6英寸以上尤其是8英寸和12英寸的硅抛光片来说,一般在衬底加工时是需要对硅片的外圆表面进行抛光处理的,从而确保在外延时硅片边缘处不产生滑移线或外延层错等缺陷,进而提高外延片或器件成品率。硅片的边缘抛光一般在独立的设备上完成,采用化学抛光的方法,使用抛光液和抛光布,在一定温度和转速的工艺条件下实现化学机械抛光的过程。对硅片参考面抛光是整个硅片边缘抛光中的一步工序,硅片参考面通常也是被称为平边参考面,这种参考面是平直的,进行边缘抛光时,参考面各处的抛光程度要一致,抛光后具有相同的表面粗糙度。对硅片的外圆表面均匀抛光,使外圆表面的上部分,中间部分以及下部分抛光程度一致,这样才能保证这个参考面上各点的抛光去除量相同,具有一样的微粗糙度。如果外圆表面的某一部分抛光程度小、损伤层未完全去除,在后序的外延过程中将很容易形成多晶粒聚集的问题。传统的参考面抛光方法中,一种是抛光布与硅片外圆表面局部接触,抛光布旋转方向与硅片参考面相切,这种方法的缺陷是虽然可以使抛光布与参考面的相对旋转的角度固定,但由于是局部接触而无法保证整个外圆表面上各处的抛光均匀。另一种方法是抛光布与外圆表面全接触,但由于抛光布与硅片参考面的相对运动角度不固定,在抛光过程中施加在硅片表面的作用力波动较大,因此容易使硅片外圆表面出现 ...
【技术保护点】
1.一种硅片外圆表面抛光装置,其特征在于,包括抛光装置本体、驱动组件与抛光抛头;所述抛光装置本体包括尺寸相同的圆形的上安装板与圆形的下安装板;上安装板与下安装板的外缘通过沿周向均布的6个支撑柱进行连接;上安装板上端面中心通过连接法兰与驱动组件连接,驱动组件采用变频电机控制,能实现抛光装置的正向和反向的旋转;下安装板上端面中心还设有硅片固定组件,用于放置并固定硅片;硅片固定组件内设有真空吸盘,从而对硅片通过真空吸附进行固定;硅片固定组件连接丝杆,并通过伺服电机进行驱动,使得硅片固定组件能在竖直方向上做往复运动;所述抛光抛头包括4个横向抛头、4个上抛抛头以及4个下抛抛头,交错均匀布置于抛光装置本体外缘;所述横向抛头,包括摆杆安装块;其中两个摆杆安装块固设于上安装板外缘,两个摆杆安装块固设于下安装板外缘,摆杆安装块内通过轴销连接一摆杆,摆杆能在相对于竖直方向两侧进行摆动;摆杆的上端与下端分别设有配重块与抛光块;摆杆安装块上下端面上分别设有上限位块与下限位块;所述上抛抛头,包括摆杆安装块;摆杆安装块固设于上安装板外缘,摆杆安装块内通过轴销连接一摆杆,摆杆能在相对于竖直方向两侧进行摆动;摆杆的上 ...
【技术特征摘要】
1.一种硅片外圆表面抛光装置,其特征在于,包括抛光装置本体、驱动组件与抛光抛头;所述抛光装置本体包括尺寸相同的圆形的上安装板与圆形的下安装板;上安装板与下安装板的外缘通过沿周向均布的6个支撑柱进行连接;上安装板上端面中心通过连接法兰与驱动组件连接,驱动组件采用变频电机控制,能实现抛光装置的正向和反向的旋转;下安装板上端面中心还设有硅片固定组件,用于放置并固定硅片;硅片固定组件内设有真空吸盘,从而对硅片通过真空吸附进行固定;硅片固定组件连接丝杆,并通过伺服电机进行驱动,使得硅片固定组件能在竖直方向上做往复运动;所述抛光抛头包括4个横向抛头、4个上抛抛头以及4个下抛抛头,交错均匀布置于抛光装置本体外缘;所述横向抛头,包括摆杆安装块;其中两个摆杆安装块固设于上安装板外缘,两个摆杆安装块固设于下安装板外缘,摆杆安装块内通过轴销连接一摆杆,摆杆能在相对于竖直方向两侧进行摆动;摆杆的上端与下端分别设有配重块与抛光块;摆杆安装块上下端面上分别设有上限位块与下限位块;所述上抛抛头,包括摆杆安装块;摆杆安装块固设于上安装板外缘,摆杆安装块内通过轴销连接一摆杆,摆杆能在相对于竖直方向两侧进行摆动;摆杆的上端与下端分别设有抛光块与配重块;摆杆安装块上下端面上分别设有下限位块与上限位块;所述下抛抛头,包括摆杆安装块;摆杆安装块固设于下安装板外缘,摆杆安装块内通过轴销连接一摆杆,摆杆能在相对于竖直方向两侧进行摆动;摆杆的上端与下端分别设有配重块与抛光块;摆杆安装块上下端面上分别设有上限位块与下限位块;所述抛光块上均设有抛光布。2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,抛光布通过粘胶设于抛光块上。3.一种利用权利要求1所述的装置进行硅片外圆表面抛光的方法,其特征在于,步骤为:(1)首...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹建伟,朱亮,卢嘉彬,谢龙辉,周锋,刘文涛,谢永旭,王凯,
申请(专利权)人:浙江晶盛机电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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