一种红外镜头用锗单晶双面抛光片的清洗工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种红外镜头用锗单晶双面抛光片的清洗工艺。本工艺采用无蜡工艺进行锗片双面抛光后，采用稀释的氢氟酸溶液浸泡去除表面抛光液，采用稀释的洗净剂超声去除表面沾污，采用稀释的氨水溶液兆声清洗进一步去除表面颗粒，达到免清洗表面。本发明专利技术采用了高纯洗净剂和HF溶液相结合的方式，配合超声波清洗，有效去除了双面抛光锗片的表面沾污，达到了免清洗的表面要求，极大提高了红外用双面抛光片的表面质量。本发明专利技术操作简单、易于实现，降低了双面抛光锗片的清洗难度，易于实现批量化生产。

A Cleaning Technology of Germanium Single Crystal Double-sided Polishing Wafer for Infrared Lens

The invention discloses a cleaning process of germanium single crystal double-sided polishing sheet for infrared lens. This process uses wax-free technology to polish germanium wafers on both sides. Diluted hydrofluoric acid solution is soaked to remove polishing fluid, diluted detergent is used to remove surface contamination by ultrasound, and diluted ammonia solution is used to remove surface particles by mega-acoustic cleaning to achieve clean-free surface. The invention adopts a combination of high purity detergent and HF solution, cooperates with ultrasonic cleaning, effectively removes the surface contamination of double-sided polished germanium sheet, meets the requirements of clean-free surface, and greatly improves the surface quality of infrared double-sided polished sheet. The invention has simple operation and easy realization, reduces the cleaning difficulty of double-sided polished germanium sheet, and is easy to realize batch production.

【技术实现步骤摘要】
一种红外镜头用锗单晶双面抛光片的清洗工艺
本专利技术涉及半导体材料加工技术，特别是涉及一种红外镜头用锗单晶双面抛光片的清洗工艺。
技术介绍
锗单晶具有良好的机械性能和导热性能，它的透射光谱范围为2-12μm，广泛应用于红外光学镜头以及保护红外光学镜头的红外光学窗口。60%以上的中低端红外光学镜头为锗单晶制造，50%以上的高端红外光学镜头为锗单晶制造。另外，锗在10.6μm处的吸收很小，是激光透镜、窗口和输出耦合镜的理想材料，还被用作各种红外滤波器的基底材料。目前国内红外光学需求的高端锗单晶抛光片为N型2-6英寸双面抛光片，厚度在300-600微米范围。通常厂家采用机械研磨的方法加工，加工面仍旧存在机械应力和亚微米损伤层，难以与国际水平相比。而采用CMP抛光工艺加工的锗片主要是用于太阳能电池用超薄锗衬底，加工工艺与双抛工艺不通用。另外，锗抛光片清洗不能采用常规的RCA清洗工艺，否则会造成表面氧化和严重腐蚀。在高端锗双面抛光片加工中，采用CPM的抛光方式，若想表面达到免清洗工艺要求，只能采用单片清洗工艺，通过采用热硫酸+冷硫酸浸泡的清洗方式去除有机沾污和手印，再通过低温1#液去除表面沾污本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红外镜头用锗单晶双面抛光片的清洗工艺，其特征是：采用无蜡工艺进行锗片双面抛光后，采用稀释的氢氟酸溶液浸泡去除表面抛光液，采用稀释的洗净剂超声去除表面沾污，采用稀释的氨水溶液兆声清洗进一步去除表面颗粒，达到免清洗表面，其工艺步骤如下：（1）、将一面抛光好的锗片装入PFA花篮中，在稀释的氢氟酸溶液中浸泡5min，然后进行纯水冲洗；（2）、将锗片放入稀释的洗净剂中超声5min，超声温度控制在50‑60℃，然后进行纯水冲洗；（3）、将第二面抛光好的锗片在稀释的氢氟酸溶液中浸泡5min，然后进行纯水冲洗；（4）、将锗片依次放入两杯装有稀释的洗净剂溶液中，超声温度控制在50‑60℃，每杯超声5mi...

【技术特征摘要】
1.一种红外镜头用锗单晶双面抛光片的清洗工艺，其特征是：采用无蜡工艺进行锗片双面抛光后，采用稀释的氢氟酸溶液浸泡去除表面抛光液，采用稀释的洗净剂超声去除表面沾污，采用稀释的氨水溶液兆声清洗进一步去除表面颗粒，达到免清洗表面，其工艺步骤如下：（1）、将一面抛光好的锗片装入PFA花篮中，在稀释的氢氟酸溶液中浸泡5min，然后进行纯水冲洗；（2）、将锗片放入稀释的洗净剂中超声5min，超声温度控制在50-60℃，然后进行纯水冲洗；（3）、将第二面抛光好的锗片在稀释的氢氟酸溶液中浸泡5min，然后进行纯水冲洗；（4）、将锗片依次放入两杯装有稀释的洗净剂溶液中，超声温度控制在50-60℃，每杯超声5min，然后在第3杯装有纯水中超声...

【专利技术属性】
技术研发人员：王云彪，武永超，吕菲，陈亚楠，张贺强，杨召杰，耿莉，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：天津,12