X射线探测装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种X射线探测装置及其制造方法，属于传感技术领域。包括：X射线探测装置包括：层叠设置在衬底基板上的薄膜晶体管层、第一绝缘层、遮挡层、第二绝缘层和光电传感组件层；每个薄膜晶体管包括：源极和漏极；每个光电传感组件包括：层叠设置在第二绝缘层上的电极层、高阻层和第一有源层，电极层包括：相互绝缘且同层设置的第一电极和第二电极，每个像素区域中，第一电极与源极电连接，且形成在第一电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在第二电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度相等。本发明专利技术提高了根据X射线探测装置转换的电信号得到的X片的成像准确度。

【技术实现步骤摘要】
X射线探测装置及其制造方法
本专利技术涉及传感
，特别涉及一种X射线探测装置及其制造方法。
技术介绍
在医疗领域中，在对人体的待诊断部位拍X片时，X射线发射装置和X射线探测装置相对放置，待诊断部位放置在该X射线发射装置和X射线探测装置之间。X射线发射装置用于向待诊断部位发射X射线。X射线探测装置用于接收从待诊断部位透过的X射线，将该X射线转换为可见光，将该可见光转换为电信号，并将该电信号发送至信号读取集成电路(readoutIC)，该信号读取集成电路可以根据该电信号形成影像画面，以得到该待诊断部位的X片。相关技术中，X射线探测装置具有阵列排布的多个像素区域，每个像素区域中设置有：薄膜晶体管和金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal，MSM)型光电二极管，该光电二极管包括：有源层、高阻层、第一电极层和第二电极层。在每个像素区域中，光电二极管的第一电极层与薄膜晶体管电连接，第二电极层上加载有高压信号。当可见光照射到有源层上时，该高压信号和有源层中形成的光电流可使高阻层发生电子隧穿，使得第一电极层中产生遂穿电流。该第一电极层可通过薄膜晶体管向信号读取集成电路传输对应的电信号。但是，该光电二极管的电学特性较差，导致根据该电信号得到的X片的成像准确度较低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种X射线探测装置及其制造方法，可以解决根据X射线探测装置转换的电信号得到的X片的成像准确度较低的问题。所述技术方案如下：第一方面，提供了一种X射线探测装置，所述X射线探测装置具有多个像素区域，所述X射线探测装置包括：层叠设置在衬底基板上的薄膜晶体管层、第一绝缘层、遮挡层、第二绝缘层和光电传感组件层，所述薄膜晶体管层包括：多个薄膜晶体管，所述光电传感组件层包括：多个光电传感组件，所述多个薄膜晶体管和所述多个光电传感组件均一一对应的分别设置在所述多个像素区域中；每个所述薄膜晶体管包括：源极和漏极；每个所述光电传感组件包括：层叠设置在所述第二绝缘层上的电极层、高阻层和第一有源层，所述电极层包括：相互绝缘且同层设置的第一电极和第二电极，每个所述像素区域中，所述第一电极与所述源极电连接，且形成在所述第一电极远离所述衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在所述第二电极远离所述衬底基板的表面的高阻层的厚度相等。可选地，所述第一电极远离所述衬底基板的表面到所述衬底基板的距离与所述第二电极远离所述衬底基板的表面到所述衬底基板的距离相等。可选地，所述遮挡层的厚度等于第一总厚度与第二总厚度的差；其中，所述第一总厚度为位于所述第一电极与所述衬底基板之间的所有膜层的厚度总和，所述第二总厚度为位于所述第二电极与所述衬底基板之间的所有膜层中除所述遮挡层外的膜层的厚度总和。可选地，所述位于所述第一电极与所述衬底基板之间的所有膜层包括：所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述源极和公共电极，所述位于所述第二电极与所述衬底基板之间的所有膜层中除所述遮挡层外的膜层包括：所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述漏极，所述遮挡层的厚度等于所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述源极和所述公共电极的总厚度与所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述漏极的厚度的差。可选地，所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述漏极在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影，且所述遮挡层用于加载预设电信号。可选地，所述薄膜晶体管还包括：第二有源层，所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二有源层在所述衬底基板上的正投影。可选地，对于每个所述像素区域，位于所述像素区域中的遮挡层上加载的所述预设电信号为所述像素区域中公共电极上加载的公共电极信号。第二方面，提供了一种X射线探测装置，所述X射线探测装置具有多个像素区域，所述X射线探测装置包括：层叠设置在衬底基板上的薄膜晶体管层、第一绝缘层、遮挡层、第二绝缘层和光电传感组件层，所述薄膜晶体管层包括：多个薄膜晶体管，所述光电传感组件层包括：多个光电传感组件，所述多个薄膜晶体管和所述多个光电传感组件均一一对应的分别设置在所述多个像素区域中；每个所述薄膜晶体管包括：源极和漏极；每个所述光电传感组件包括：层叠设置在所述第二绝缘层上的电极层、高阻层和第一有源层，所述电极层包括：相互绝缘且同层设置的第一电极和第二电极，每个所述像素区域中，所述第一电极与所述源极电连接；所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述漏极在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影，且所述遮挡层用于加载预设电信号。第三方面，提供了一种X射线探测装置的制造方法，所述方法包括：在衬底基板上确定用于形成阵列排布的多个像素区域的位置；在所述衬底基板上形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括一一对应设置在所述多个像素区域中的多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管包括：源极和漏极；在形成有所述薄膜晶体管层的衬底基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有第一过孔；在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成遮挡层，所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不重叠；在形成有所述遮挡层的衬底基板上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层上形成有第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔贯通；在形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成多个光电传感组件，所述多个光电传感组件一一对应设置在所述多个像素区域中，每个所述光电传感组件包括：层叠设置在所述第二绝缘层上的电极层、高阻层和第一有源层，所述电极层包括：相互绝缘且同层设置的第一电极和第二电极，每个所述像素区域中，所述第一电极通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述源极电连接，且形成在所述第一电极远离所述衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在所述第二电极远离所述衬底基板的表面的高阻层的厚度相等。第四方面，提供了一种X射线探测装置的制造方法，所述方法包括：在衬底基板上确定用于形成阵列排布的多个像素区域的位置；在所述衬底基板上形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括一一对应设置在所述多个像素区域中的多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管包括：源极和漏极；在形成有所述薄膜晶体管层的衬底基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有第一过孔；在形成有所述第一绝缘层的衬底基板上形成遮挡层，所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不重叠；在形成有所述遮挡层的衬底基板上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层上形成有第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔贯通；在形成有所述第二绝缘层的衬底基板上形成多个光电传感组件，所述多个光电传感组件一一对应设置在所述多个像素区域中，每个所述光电传感组件包括：层叠设置在所述第二绝缘层上的电极层、高阻层和第一有源层，所述电极层包括：相互绝缘且同层设置的第一电极和第二电极，每个所述像素区域中，所述第一电极通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述源极电连接；其中，所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述漏极在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影，且所述遮挡层用于加载预设电信号。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：本专利技术实施例提供的X射线探测装置及其制造方法，由于形成在第一电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在第二电极远离衬底基板的表面的高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种X射线探测装置，其特征在于，所述X射线探测装置具有多个像素区域，所述X射线探测装置包括：层叠设置在衬底基板上的薄膜晶体管层、第一绝缘层、遮挡层、第二绝缘层和光电传感组件层，所述薄膜晶体管层包括：多个薄膜晶体管，所述光电传感组件层包括：多个光电传感组件，所述多个薄膜晶体管和所述多个光电传感组件均一一对应的分别设置在所述多个像素区域中；每个所述薄膜晶体管包括：源极和漏极；每个所述光电传感组件包括：层叠设置在所述第二绝缘层上的电极层、高阻层和第一有源层，所述电极层包括：相互绝缘且同层设置的第一电极和第二电极，每个所述像素区域中，所述第一电极与所述源极电连接，且形成在所述第一电极远离所述衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在所述第二电极远离所述衬底基板的表面的高阻层的厚度相等。

【技术特征摘要】
1.一种X射线探测装置，其特征在于，所述X射线探测装置具有多个像素区域，所述X射线探测装置包括：层叠设置在衬底基板上的薄膜晶体管层、第一绝缘层、遮挡层、第二绝缘层和光电传感组件层，所述薄膜晶体管层包括：多个薄膜晶体管，所述光电传感组件层包括：多个光电传感组件，所述多个薄膜晶体管和所述多个光电传感组件均一一对应的分别设置在所述多个像素区域中；每个所述薄膜晶体管包括：源极和漏极；每个所述光电传感组件包括：层叠设置在所述第二绝缘层上的电极层、高阻层和第一有源层，所述电极层包括：相互绝缘且同层设置的第一电极和第二电极，每个所述像素区域中，所述第一电极与所述源极电连接，且形成在所述第一电极远离所述衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在所述第二电极远离所述衬底基板的表面的高阻层的厚度相等。2.根据权利要求1所述的X射线探测装置，其特征在于，所述第一电极远离所述衬底基板的表面到所述衬底基板的距离与所述第二电极远离所述衬底基板的表面到所述衬底基板的距离相等。3.根据权利要求2所述的X射线探测装置，其特征在于，所述遮挡层的厚度等于第一总厚度与第二总厚度的差；其中，所述第一总厚度为位于所述第一电极与所述衬底基板之间的所有膜层的厚度总和，所述第二总厚度为位于所述第二电极与所述衬底基板之间的所有膜层中除所述遮挡层外的膜层的厚度总和。4.根据权利要求3所述的X射线探测装置，其特征在于，所述位于所述第一电极与所述衬底基板之间的所有膜层包括：所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述源极和公共电极，所述位于所述第二电极与所述衬底基板之间的所有膜层中除所述遮挡层外的膜层包括：所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述漏极，所述遮挡层的厚度等于所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述源极和所述公共电极的总厚度与所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述漏极的厚度的差。5.根据权利要求1至4任一所述的X射线探测装置，其特征在于，所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述漏极在所述衬底基板上的正投影和所述第二电极在所述衬底基板上的正投影，且所述遮挡层用于加载预设电信号。6.根据权利要求5所述的X射线探测装置，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：第二有源层，所述遮挡层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二有源层在所述衬底基板上的正投影。7.根据权利要求5所述的X射线探测装置，其特征在于，对于每个所述像素区域，位于所述像素区域中的遮挡层上加载的所述预设电信号为所述像素区域中公共电极上加载的公共电极信号。8.一种X射线探测装置，其特征在于，所述X射线探测装置具有多个像素区域，所述X射线探测装置包括：层叠设置在衬底基板上的薄膜晶体管层、第一绝缘层、遮挡层、第二绝缘层和光电传感组件层，所述薄膜晶体管层包括：多个薄膜晶体管，所述光电传感组件层包括：多个光电传感组件，所述多个薄膜晶体管和所述多个光电传感组件均一一对应的分别设置在所述多个像素区域中；每个所述薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：张勇，薛艳娜，方浩博，白璐，华刚，张丽敏，林坚，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11