The invention discloses a POR circuit with voltage detection, a POR circuit with voltage detection, which is characterized by pulse generation circuit, voltage detection circuit and filter circuit, in which the pulse generation circuit is used to generate a positive pulse signal when the power supply is powered on, the voltage detection circuit is used to detect the power supply voltage, and the filter circuit is used to filter the power supply voltage. Peak burrs may occur during the process. The POR circuit with voltage detection of the invention has the characteristics of small area and power consumption, reliable power-on reset, and stable reset signal can be generated even when the power supply voltage drops and power-on quickly.
【技术实现步骤摘要】
一种带电压检测的POR电路
本专利技术涉及POR电路
,尤其涉及一种带电压检测的POR电路。
技术介绍
传统的POR(PowerOnResetcircuit)电路主要由RC网络组成,如附图1所示,电阻R和电容C组成充放电电路,在电源电压上升过程中,通过电阻R对电容C充电,电容上极板电压开始为零,POR输出高电平复位信号,随着电容C不断被充电,电容上极板电压上升至后一级反相器翻转电压后,POR产生复位结束信号。此电路结构简单,但是抗干扰能力差,对电源上电速度也有很高的要求,电源上电时间必须小于RC时间常数,否则无法产生高电平复位信号。电源电压如果有较大的纹波同样有可能导致POR产生复位信号,引起IC非正常工作。传统的POR电路无电压检测功能,当电源电压下降至某一个电压时,不会产生复位信号。同时,很多其他带电压检测的POR电路在电源电压突然下降并且快速上升时不能产生复位信号,本文针对以上各种不足提出了一种新的POR电路结构。
技术实现思路
为了解决现有技术中传统的POR电路无电压检测功能,以及一些带电压检测的POR电路也无法在电源电压突然下降并且快速上升时产生复位信号的问题,本专利技术提出一种新的带电压检测的POR电路。本专利技术提供了一种带电压检测的POR电路,其特征在于,包括:脉冲产生电路、电压检测电路和滤波电路;其中,所述脉冲产生电路用于在电源上电时产生一个正脉冲信号;所述电压检测电路用于检测电源电压;所述滤波电路用于滤除上电过程中可能产生的尖峰毛刺。进一步的,所述电压检测电路用于检测电源电压,具体为:当电源电压低于电压检测电路设定值时输出高电平,当电 ...
【技术保护点】
1.一种带电压检测的POR电路,其特征在于,包括:脉冲产生电路、电压检测电路和滤波电路;其中,所述脉冲产生电路用于在电源上电时产生一个正脉冲信号;所述电压检测电路用于检测电源电压;所述滤波电路用于滤除上电过程中可能产生的尖峰毛刺。
【技术特征摘要】
1.一种带电压检测的POR电路,其特征在于,包括:脉冲产生电路、电压检测电路和滤波电路;其中,所述脉冲产生电路用于在电源上电时产生一个正脉冲信号;所述电压检测电路用于检测电源电压;所述滤波电路用于滤除上电过程中可能产生的尖峰毛刺。2.根据权利要求1所述的POR电路,其特征在于:所述电压检测电路用于检测电源电压,具体为:当电源电压低于电压检测电路设定值时输出高电平,当电源电压高于设定值时输出低电平。3.根据权利要求1所述的POR电路,其特征在于:所述脉冲产生电路和所述电压检测电路由四个PMOS管、八个NMOS管和两个电容组成;由两个PMOS管、两个NMOS管和一个电容组成;所述电压检测电路由一个PMOS管、和5个NMOS管组成;所述滤波电路由三个反相器、一个或非门和一个电容组成。4.根据权利要求1所述的POR电路,其特征在于:所述电压检测电路还包括检测电压调节端,用于控制电压检测点的电压值。5.根据权利要求1至4任一项所述的POR电路,其特征在于:所述POR电路中的所述脉冲产生电路和所述电压检测电路的具体结构为:第一PMOS管的源极连接电源VDD,栅极连接第二PMOS管的栅极和地端,漏极接所述第二PMOS管的源极,所述第二PMOS管的漏极接第一NMOS管的漏极和栅极、第一电容的下极板、第三PMOS管的栅极以及第八NMOS管的漏极,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一电容的上极板接电源VDD,所述第八NMOS管的栅极和源极短接后接地,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:谷洪波,
申请(专利权)人:湖南品腾电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南,43
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