一种用于切割SiC晶体的切割液配制方法技术

本发明专利技术公开一种用于切割SiC晶体的切割液配制方法，利用SiC晶体的切割液的装置配制而成，所述SiC晶体的切割液的装置包括储液桶、进气孔隔板，压缩空气进气口、恒温水盘管、超声波发生器、电动机、搅拌叶轮和温度监控传感器；本发明专利技术用于切割SiC晶体的切割液配制方法，配制出来SiC晶体切割液浓度均匀性比较好、不存在颗粒团聚，可以大大提高切割液的切割能力，切割出来的晶片弯曲度、翘曲度及总厚度无偏差，而且有效降低晶片后道加工难度，降低生产成本。

A Method for Preparing Cutting Fluid for Cutting SiC Crystals

The invention discloses a method for preparing cutting fluid for cutting SiC crystals, which is prepared by using a device of cutting fluid for SiC crystals. The device of cutting fluid for SiC crystals includes a liquid storage barrel, an air intake baffle, a compressed air intake, a constant temperature water coil, an ultrasonic generator, a motor, a stirring impeller and a temperature monitoring sensor; and the cutting fluid for cutting SiC crystals is provided by the invention. By the method of preparation, the concentration uniformity of SiC crystal cutting fluid is better and there is no agglomeration of particles, which can greatly improve the cutting ability of the cutting fluid. The curvature, warpage and total thickness of the wafer are not deviated, and the difficulty of wafer back-channel processing is effectively reduced, and the production cost is reduced.

【技术实现步骤摘要】
一种用于切割SiC晶体的切割液配制方法
本专利技术涉及晶体加工
，具体涉及一种用于切割SiC晶体的切割液配制方法。
技术介绍
SiC作为宽禁带材料材料的代表，是继Si和Ga、As之后的第三代半导体。它具有宽禁带(2.2～3.3eV，是Si的2～3倍)、高热导率(是Si的3～3.3倍)、高击穿场强(4*106V/cm,是Si的10倍)、高饱和载流子迁移速率(2.5*107cm/S，是Si的2.5倍)等的特点，所以SiC特别适合制造高温、高频、大功率等方电子器件。然而，SiC的硬度非常高，莫氏(Mohs)硬度为9.2～9.3，仅次于金刚石，因此SiC晶体加工难度相当大。目前只能使用金刚石磨料进行初加工。而生产出具有高附加值的晶片的第一步，是把SiC晶体切割成晶片。目前切割所用切割液来源主要有两种，一种是依靠进口，另一种国内厂家自制。进口切割液存在成本高、采购周期长等缺点，严重阻碍了国内SiC晶体行业切割成本的降低。部分国内国内厂家采用自制切割液进行切割，长期以来疏于对配制切割液装置的研究，简单粗制的装置导致导致切割液内的金刚石磨料容易聚集，造成切割过程中切割能力不足，导致切割后的晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于切割SiC晶体的切割液配制方法，其特征在于，利用SiC晶体的切割液的装置配制而成，所述SiC晶体的切割液的装置包括储液桶、进气孔隔板，压缩空气进气口、恒温水盘管、超声波发生器、电动机、搅拌叶轮和温度监控传感器；所述用于切割SiC晶体的切割液配制方法具体步骤包括：S10，在储液桶中，放入50L的矿物油，打开搅拌叶轮对矿物油进行搅拌1min～5min，搅拌同时打开恒温水盘管，设定控制温度为45℃～80℃；S20，S10中矿物油温度达到设定温度后，开压缩空气进气口，往储液桶中倒入3kg切割磨料得混合物，混合物混合12h～24h得切割液；S30，取用配制好的切割液，放入切割机供液桶中进行S...

【技术特征摘要】
1.一种用于切割SiC晶体的切割液配制方法，其特征在于，利用SiC晶体的切割液的装置配制而成，所述SiC晶体的切割液的装置包括储液桶、进气孔隔板，压缩空气进气口、恒温水盘管、超声波发生器、电动机、搅拌叶轮和温度监控传感器；所述用于切割SiC晶体的切割液配制方法具体步骤包括：S10，在储液桶中，放入50L的矿物油，打开搅拌叶轮对矿物油进行搅拌1min～5min，搅拌同时打开恒温水盘管，设定控制温度为45℃～80℃；S20，S10中矿物油温度达到设定温度后，开压缩空气进气口，往储液桶中倒入3kg切割磨料得混合物，混合物混合12h～24h得切割液；S30，取用配制好的切割液，放入切割机供液桶中进行SiC晶体切割。2.根据权利要求1所述的用于切割SiC晶体的切割液配制方法，其特征在于，所述电动机为可调速搅拌电动机。3.根据权利要求1所述的用于切割SiC晶体的切割液配制方法，其特征在于，S10...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪良，张洁，
申请(专利权)人：福建北电新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35