一种新型宽带硅基SIW环行器制造技术

本发明专利技术公开了一种新型宽带硅基SIW环行器，包括水平设置的腔体、位于腔体中心的旋磁铁氧体基片、永磁体、表面电路、数个金属化通孔形成的三个电磁波信号传输通道，三个输出端口，所述腔体采用硅基材料制成；所述腔体下表面设有三组盲孔，且三组盲孔分别位于三个电磁波信号传输通道中，所述盲孔从腔体下表面向上延伸，盲孔内填充有金属柱体，所述金属柱体、旋磁铁氧体基片和表面电路整体与电磁波阻抗匹配。本发明专利技术解决了传统SIW器件表面电路匹配效果有限的问题，硅基材料的引入，使各种先进工艺可在SIW器件腔体及电路的制造中灵活运用。通过金属柱体的调节，对微波信号在腔体中的传播进行了有效匹配，从而大大提升了器件性能。

【技术实现步骤摘要】
一种新型宽带硅基SIW环行器
本专利技术涉及一种SIW环行器，尤其涉及一种新型宽带硅基SIW环行器。
技术介绍
SIW环行器是微波工程中一类重要的基础性器件，是T/R组件的必备元件，其广泛应用于民用通讯、微波测量、雷达、通信、电子对抗、航空航天等各种民用、军用设备中，在设备中主要起到信号定向传输、收发双工、隔离信号、保护前级系统的作用。传统的SIW环行器中心节与微带线间的连接，都是采用各种圆弧、抛物线或其他图形作为过渡线过渡，起到匹配电路的作用，也就是表面电路。金属化通孔主要起到模拟波导壁的作用，将电磁波约束在波导壁内，在介质内进行传播，金属化通孔的大小和间距在一定程度上对器件电性能有影响。由于普通环行器的电磁波在表面电路中传播，因此对器件性能的调节主要在表面电路的形状与整体结构的匹配上，是一个二维层面的调节。所以传统的SIW环行器技术问题及缺陷主要体现在以下两个方面：1.传统的SIW器件多采用PCB工艺，因工艺能力及精度有限，限制了SIW器件的表面电路图形精度及器件腔体的结构设计，图形精度不够对高频器件影响明显。2.现有SIW器件主要通过表面电路来匹配，可操作空间小，器件在实现高性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型宽带硅基SIW环行器，包括水平设置的腔体、位于腔体中心的旋磁铁氧体基片、位于腔体上表面中心的永磁体、位于腔体正反两面由金属图形构成的表面电路、以及贯穿腔体用以形成信号传输通道金属壁的数个金属化通孔，所述金属化通孔形成三个电磁波信号传输通道，腔体三个边沿处各设有一输出端口，所述输出端口分别位于三个电磁波信号传输通道中，其特征在于：所述腔体采用硅基材料制成；所述腔体下表面设有三组经MEMS工艺加工制成的盲孔，且三组盲孔分别位于三个电磁波信号传输通道中，所述盲孔从腔体下表面向上延伸，盲孔内填充有金属柱体，所述金属柱体、旋磁铁氧体基片和表面电路整体与电磁波阻抗匹配。

【技术特征摘要】
1.一种新型宽带硅基SIW环行器，包括水平设置的腔体、位于腔体中心的旋磁铁氧体基片、位于腔体上表面中心的永磁体、位于腔体正反两面由金属图形构成的表面电路、以及贯穿腔体用以形成信号传输通道金属壁的数个金属化通孔，所述金属化通孔形成三个电磁波信号传输通道，腔体三个边沿处各设有一输出端口，所述输出端口分别位于三个电磁波信号传输通道中，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：燕宣余，韩晓川，闫欢，高春燕，胡艺缤，
申请(专利权)人：西南应用磁学研究所，
类型：发明
国别省市：四川,51