一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器制造技术

一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器，包括有铟砷化镓基底层，铟砷化镓基底层上端面的一端设置有金金属漏极，另一端设置有金金属源极，在金属漏极和金属源极之间且位于铟砷化镓基底层上端面由下至上依次设置有作为沟道的砷化镓层、作为第一层势垒的铝化砷层、作为半导体量子阱的铟砷化镓层、作为第二层势垒的铝化砷层和作为吸光材料的N型铟砷化镓层，其中，铟砷化镓层、铝化砷层和N型铟砷化镓层两端与所对应的金属漏极和金属源极之间分别形成有氧化绝缘层，N型铟砷化镓层的上端面上设置有作为顶栅结构的金属铁电极层。本发明专利技术结构简单、对光波长敏感、制备工艺简单的太赫兹半导体量子阱振荡器件，能够满足改变光波长来控制输出振荡频率的需要。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器
本专利技术涉及一种半导体器件。特别是涉及一种振荡频率对光波长敏感的半导体光控太赫兹量子阱振荡器。
技术介绍
如今通信技术正在飞速发展，低频、中频、高频等各个波段都已经被各个行业所占据，可用的通信频带越来越少。为了满足人们对频段需求和传输数据量的日益增加，寻求传输距离远，可用频带宽的波段俨然成为目前通信技术的重要目标。因此，研究光控太赫兹电器件将成为光电器件领域的研究热点。目前，不论是CMOS工艺还是半导体化合物工艺都不能满足在太赫兹应用的需求，主要原因是器件的寄生参数较大。同时太赫兹波需要更高频率的波作为载波实现传输，而传统以导体作为媒介的电信号不能传输如此高频的信号。以光作为媒介来实现控制功能以及信息的传输比使用电信号控制有更多的优势，其传输频带宽、通信容量大、传输损耗低、中继距离长，可以实现更高的效率，并且绝缘、抗电磁干扰性能强等。同时可以通过减少电路链接带来的寄生效应；为得到更高频率的控制系统，以光作为控制媒介的器件正在被广泛的研究。基于等离子体材料设计的太赫兹器件有很多报道，例如：放大器，振荡器，功放等。半导体光器件也将成为主流的研究方向，同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器，其特征在于，包括有铟砷化镓基底层(1)，所述铟砷化镓基底层(1)上端面的一端设置有金金属漏极(2)，另一端设置有金金属源极(3)，在所述的金属漏极(2)和金属源极(3)之间且位于所述铟砷化镓基底层(1)上端面由下至上依次设置有作为沟道的砷化镓层(4)、作为第一层势垒的铝化砷层(5)、作为半导体量子阱的铟砷化镓层(6)、作为第二层势垒的铝化砷层(7)和作为吸光材料的N型铟砷化镓层(8)，其中，所述铟砷化镓层(6)、铝化砷层(7)和N型铟砷化镓层(8)两端与所对应的金属漏极(2)和金属源极(3)之间分别形成有氧化绝缘层(10)，所述N型铟砷化镓层(8)的上端面...

【技术特征摘要】
1.一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器，其特征在于，包括有铟砷化镓基底层(1)，所述铟砷化镓基底层(1)上端面的一端设置有金金属漏极(2)，另一端设置有金金属源极(3)，在所述的金属漏极(2)和金属源极(3)之间且位于所述铟砷化镓基底层(1)上端面由下至上依次设置有作为沟道的砷化镓层(4)、作为第一层势垒的铝化砷层(5)、作为半导体量子阱的铟砷化镓层(6)、作为第二层势垒的铝化砷层(7)和作为吸光材料的N型铟砷化镓层(8)，其中，所述铟砷化镓层(6)、铝化砷层(7)和N型铟砷化镓层(8)两端与所对应的金属漏极(2)和金属源极(3)之间分别形成有氧化绝缘层(10)，所述N型铟砷化镓层(8)的上端面上设置有作为顶栅结构的金属铁电极层(9)。2.根据权利要求1所述的一种半导体光控太赫兹量子阱振荡器，其特征在于，所述的铟砷化镓基底层(1)的高度为10nm。3.根据权利要求1所述的一种半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛陆虹，李佳奇，谢生，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津,12