【技术实现步骤摘要】
一种LIGBT型高压ESD保护器件
本专利技术涉及一种LIGBT型高压ESD保护器件，具体而言，涉及一种PN结辅助触发的LIGBT结构的高压ESD保护器件，属于电子
技术介绍
静电阻抗器（Electro-Staticdischarge，ESD）是电子
内常用的一种电子元器件，一般而言，ESD在放电时都伴随着瞬时的高电压和强电流，而这些都会给芯片带来包括热损毁和栅氧击穿在内的诸多伤害。N-沟道横向绝缘栅双极型晶体管（Lateral-Insulated-Gate-Bipolar-Transistor,LIGBT）是另一种常用的功率器件，其与横向扩散金属氧化物半导体（LateralDiffusionMOS，LDMOS）的主要区别是将漏极的N+注入区替换为P+注入区以形成一个PNPN路径来泄放更高的ESD电流。此外，LDMOS在结构上仍然是一个MOS器件，即一种单载流子器件；而LIGBT是MOS管与寄生PNP晶体管相结合的双载流子器件，在ESD防护设计方面，LIGBT本身存在寄生的PNPNSCR结构，其开启条件和普通SCR类似，能够处理大电流能力。因此，L...
【技术保护点】
1.一种LIGBT型高压ESD保护器件，包括衬底层（101）及埋氧层（102），所述埋氧层（102）覆盖于所述衬底层（101）上方，其特征在于：所述埋氧层（102）上方覆盖设置有漂移层（103），所述漂移层（103）的上端分别设置有相分离的漏极阱（104）与源极阱（105），所述漂移层（103）的上端面覆盖设置有多晶硅栅极（106），所述漂移层（103）的上端形成有掺杂区（108），所述掺杂区（108）位于所述漏极阱（104）与所述源极阱（105）之间，所述漏极阱（104）的上端形成有漏极重掺杂区（107），所述源极阱（105）的上端分别形成有第一源极重掺杂区（109）、第...
【技术特征摘要】
1.一种LIGBT型高压ESD保护器件，包括衬底层（101）及埋氧层（102），所述埋氧层（102）覆盖于所述衬底层（101）上方，其特征在于：所述埋氧层（102）上方覆盖设置有漂移层（103），所述漂移层（103）的上端分别设置有相分离的漏极阱（104）与源极阱（105），所述漂移层（103）的上端面覆盖设置有多晶硅栅极（106），所述漂移层（103）的上端形成有掺杂区（108），所述掺杂区（108）位于所述漏极阱（104）与所述源极阱（105）之间，所述漏极阱（104）的上端形成有漏极重掺杂区（107），所述源极阱（105）的上端分别形成有第一源极重掺杂区（109）、第二源极重掺杂区（110）以及第三源极重掺杂区（111），所述漂移层（103）的上端面还覆盖设置有多个用于不同掺杂区域间隔离的场氧隔离区；所述漏极重掺杂区（107）与漏极外接导线相连，所述掺杂区（108）与第三源极重掺杂区（111）二者导线相连，所述多晶硅栅极（106）、第一源极重掺杂区（109）以及第二源极重掺杂区（110）三者导线相连接地。2.根据权利要求1所述的一种LIGBT型高压ESD保护器件，其特征在于：所述衬底层（101）为SOI硅衬底。3.根据权利要求1所述的一种LIGBT型高压ESD保护器件，其特征在于：所述掺杂区（108）的长度可调，所述掺杂区（108）到所述源极阱（105）之间的距离可调。4.根据权利要求1所述的一种LIGBT型高压ESD保护器件，其特征在于：所述掺杂区（108）的掺杂浓度与所述漏极阱（104）的掺杂浓度相等。5.根据权利要求1所述的一种LIGBT型高压ESD保护器件，其特征在于：所述场氧隔离区包括第一场氧隔离区（112）、第二场氧隔离区（113）、第三场氧隔离区（114）、第四场氧隔离区（115）、第五场氧隔离区（116）以及第六场氧隔离区（117），所述漏极重掺杂区（107）位于所述第一场氧隔离区（112）与第二场氧隔离区（113）之间，所...
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