【技术实现步骤摘要】
用于使光束对准至带电粒子束的方法
本专利技术涉及带电粒子束系统，更具体地涉及用于使光束对准至带电粒子束系统内的带电粒子束的系统和方法。
技术介绍
带电粒子束系统被用于在各种各样的应用，包括微型器件（诸如集成电路、磁性记录头和光刻掩模）的制造、维修和检查。带电粒子束系统的示例包括聚焦离子束（FIB）系统（其产生聚焦离子束）、电子显微镜（SEM、STEM和TEM）（其产生电子束）和双束系统（其包括用于生成聚焦离子和电子束二者的子系统）。带电粒子束系统被频繁地用在期望以微尺度和/或纳米尺度精度从工件移除材料的加工应用中。在FIB系统的情况下，可以通过被称为喷溅的机制来实施材料移除，在喷溅中离子束的高能离子轰击工件，使粒子从工件表面上被射束撞击的位置局部喷射出来。在某些情况下，期望另外将工件（也被称为“样本”或“样品”）暴露给带电粒子束系统的样本腔室内部的光束。例如，在某些加工应用中，使用激光烧蚀来以比使用聚焦离子束可以实现的更高的速率从工件移除材料。作为另一示例，一些应用单独使用聚焦或准直光束或者与带电粒子束组合地使用聚焦或准直光束以触发或改变工件诸如在固化、蚀刻和沉积...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：利用光束照亮校准表面的区；使带电粒子束在被光束照亮的校准表面的区上扫描；响应于带电粒子束的入射来检测从该区发出的二次辐射；以及根据被光束照亮的带电粒子束所撞击的区和没有被光束照亮的带电粒子束所撞击的区之间的二次辐射中的差来确定光束在校准表面处的性质。
【技术特征摘要】
2017.07.10 US 62/5308291.一种方法，其包括：利用光束照亮校准表面的区；使带电粒子束在被光束照亮的校准表面的区上扫描；响应于带电粒子束的入射来检测从该区发出的二次辐射；以及根据被光束照亮的带电粒子束所撞击的区和没有被光束照亮的带电粒子束所撞击的区之间的二次辐射中的差来确定光束在校准表面处的性质。2.根据权利要求1所述的方法，其中成像辅助设备包括纳米晶体金刚石。3.根据权利要求1所述的方法，其中确定光束在校准表面处的性质包括确定光束在校准表面处的定位。4.根据权利要求3所述的方法，其中使带电粒子束扫描包括使用带电粒子束参考系将带电粒子束定位在校准表面上的点处，以及其中确定光束在校准表面上的定位包括确定光束在带电粒子束参考系中的定位。5.根据权利要求3所述的方法，进一步包括调整利用光束照亮的区的定位。6.根据权利要求1所述的方法，其中确定光束在校准表面处的性质包括确定光束在校准表面处的形状。7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：从光束的路径移除成像辅助设备并且将工件放置在光束的路径中；以及使用光束并且使用带电粒子束来处理工件或对工件成像。8.一种观测带电粒子束系统的样本腔室中的光束的方法，该方法包括：在样本腔室内部提供成像辅助设备，该成像辅助设备具有校准表面，该校准表面被配置成使得利用第一光束照亮校准表面上的经历被第二带电粒子束照射的任何区域会改变二次射束促使从校准表面发出的二次辐射的强度；在二次射束照射校准表面的区并且引起来自该区的二次辐射的发射的同时利用第一射束照亮该区，其中二次辐射可能是光、二次电子或背散射电子；检测二次辐射；生成对应于作为时间的函数的二次辐射的强度的电子信号；以及通过分析该电子信号来确定第一射束的对准性质的值。9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括通过根据跨校准表面的图样使第二射束扫描来获取校准表面的二次辐射图像，并且其中在第二射束照射该区的同时利用第一射束照亮该区包括在第二射束扫描该区的同时利用第一射束照射该区。10.根据权利要求9所述的方法，其中：该校准表面的二次辐射图像包括叠加在该区上的第一射束的射束光斑的图像；以及确定对准性质的值包括分析二次辐射图像和射束光斑的图像。11.根据权利要求8所述的方法，其中该对准性质的值是在射束照射该区的同时第一光束的对准性质的第一值，并且其中该第一光束是由激光束系统生成的激光束，进一步包括：使用该校准性质的第一值来计算对激光束系统的能够将第一射束的对准性质的值变成第二预选值的第一调整；执行第一调整；以及将样本定位在样本腔室内以使得被选择用于通过带电粒子束系统的后续分析和/或处理的样本位置邻近校准表面。12.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：CJ扎赫雷森，D蒂默曼，M托思，J费列维奇，S兰多尔夫，APJM博特曼，
申请(专利权)人：FEI公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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