一种光刻方法、掩膜及光刻系统技术方案

本发明专利技术公开一种光刻方法、掩膜及光刻系统，该方法包括：依次套刻曝光第一层掩膜生成第一套刻标记、曝光第二层掩膜生成第二套刻标记和曝光第三层掩膜生成第三套刻标记；测量获得所述第三套刻标记与所述第一套刻标记的第一误差数据，和所述第三套刻标记与所述第二套刻标记的第二误差数据；根据所述第一误差数据和所述第二误差数据计算出平均修正误差，并采用所述平均修正误差修正所述第三层掩膜的曝光参数。本发明专利技术提供的方案改善了现有的多层掩膜套刻的套刻误差较大的技术问题，提高了多层的对准成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻方法、掩膜及光刻系统
本专利技术涉及半导体工艺
，尤其涉及一种光刻方法、掩膜及光刻系统。
技术介绍
随着半导体器件的复杂化，半导体工艺也日趋复杂，往往需要多层掩膜套刻来进行器件制备。而套刻的过程中，难以避免会出现图形位置的偏离，导致套刻误差。套刻误差会导致成品率的降低，还会给制备的器件带来可靠性隐患。可见，减小多层掩膜套刻间的套刻误差，是急需解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术通过提供一种光刻方法、掩膜及光刻系统，改善了现有的多层掩膜套刻的套刻误差较大的技术问题。一方面，本专利技术提供了一种光刻方法，包括：依次套刻曝光第一层掩膜生成第一套刻标记、曝光第二层掩膜生成第二套刻标记和曝光第三层掩膜生成第三套刻标记；测量获得所述第三套刻标记与所述第一套刻标记的第一误差数据，和所述第三套刻标记与所述第二套刻标记的第二误差数据；根据所述第一误差数据和所述第二误差数据计算出平均修正误差，并采用所述平均修正误差修正所述第三层掩膜的曝光参数。可选的，所述第一套刻标记为矩形标记或空心矩形标记；所述第二套刻标记为矩形标记或空心矩形标记；所述第三套刻标记为矩形标记或空心矩形标记。可选的，所述第一套刻标记、所述第二套刻标记和所述第三套刻标记呈环形三重套设状。可选的，所述根据所述第一误差数据和所述第二误差数据计算出平均修正误差，包括：计算所述第一误差数据和所述第二误差数据的平均值，以所述平均值作为所述平均修正误差。可选的，所述依次套刻曝光第一层掩膜生成第一套刻标记、曝光第二层掩膜生成第二套刻标记和曝光第三层掩膜生成第三套刻标记，包括：曝光第一层掩膜，在N片晶圆上均生成第一套刻标记；曝光第二层掩膜，在N片晶圆上均生成第二套刻标记；曝光第三层掩膜，在N片晶圆中的一片晶圆上生成第三套刻标记；所述采用所述平均修正误差修正所述第三层掩膜的曝光参数，包括：采用所述平均修正误差修正所述第三层掩膜的曝光参数，并以修正后的曝光参数在所述N片晶圆中除所述一片晶圆外的其他晶圆上，曝光所述第三层掩膜。另一方面，提供一种多层掩膜，包括：位于第一层掩膜上的第一套刻标记图形、位于第二层掩膜上的第二套刻标记图形和位于第三层掩膜上的第三套刻标记图形，其中，所述第一层掩膜、第二层掩膜和第三层掩膜为用于依次套刻曝光的掩膜；所述第一套刻标记图形、所述第二套刻标记图形和所述第三套刻标记图形的尺寸均不相同，以使对应套刻曝光生成的第一套刻标记、第二套刻标记和第三套刻标记呈环形三重套设状。可选的，所述第一套刻标记图形为矩形标记或空心矩形标记；所述第二套刻标记图形为矩形标记或空心矩形标记；所述第三套刻标记图形为矩形标记或空心矩形标记。再一方面，提供一种光刻系统，包括：光刻机，用于依次套刻曝光第一层掩膜生成第一套刻标记、曝光第二层掩膜生成第二套刻标记和曝光第三层掩膜生成第三套刻标记；量测机台，用于测量获得所述第三套刻标记与所述第一套刻标记的第一误差数据，和所述第三套刻标记与所述第二套刻标记的第二误差数据；根据所述第一误差数据和所述第二误差数据计算出平均修正误差，并将所述平均修正误差传输给所述光刻机，以使所述光刻机采用所述平均修正误差修正所述第三层掩膜的曝光参数。可选的，所述量测机台还用于，计算所述第一误差数据和所述第二误差数据的平均值，以所述平均值作为所述平均修正误差。可选的，所述光刻机，还用于：曝光第一层掩膜，在N片晶圆上均生成第一套刻标记；曝光第二层掩膜，在N片晶圆上均生成第二套刻标记；曝光第三层掩膜，在N片晶圆中的一片晶圆上生成第三套刻标记；所述光刻机，还用于：采用所述平均修正误差修正所述第三层掩膜的曝光参数，并以修正后的曝光参数在所述N片晶圆中除所述一片晶圆外的其他晶圆上，曝光所述第三层掩膜。本专利技术实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：本申请实施例提供的方法、掩膜及系统，在进行多层套刻时，测量获得当前曝光掩膜层(第三层掩膜)的所述第三套刻标记与前一层曝光掩膜层(第二层掩膜)的第二误差数据，及当前曝光掩膜层的所述第三套刻标记与前一层的再前一层曝光掩膜层(第一层掩膜)的所述第一套刻标记的第一误差数据，再根据所述第一误差数据和所述第二误差数据计算出平均修正误差，来差修正所述第三层掩膜的曝光参数。即综合考虑了当前层和前一层，及当前层与再前一层的对准程度，避免由于仅对准某两层掩膜导致与其他的掩膜偏移过大的情况，提高成品率。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例中光刻方法的步骤图；图2为本专利技术实施例中套刻标记形成过程的示意图一；图3为本专利技术实施例中套刻标记形成过程的示意图二；图4为本专利技术实施例中套刻标记形成过程的示意图三；图5为本专利技术实施例中掩膜对准的示意图；图6为本专利技术实施例中光刻系统的示意图。具体实施方式本申请实施例通过提供一种光刻方法、掩膜及光刻系统，改善了现有的多层掩膜套刻的套刻误差较大的技术问题，提高了多层的对准成品率。本申请实施例中的技术方案，总体思路如下：依次套刻曝光第一层掩膜生成第一套刻标记、曝光第二层掩膜生成第二套刻标记和曝光第三层掩膜生成第三套刻标记；测量获得所述第三套刻标记与所述第一套刻标记的第一误差数据，和所述第三套刻标记与所述第二套刻标记的第二误差数据；根据所述第一误差数据和所述第二误差数据计算出平均修正误差，并采用所述平均修正误差修正所述第三层掩膜的曝光参数。在进行多层套刻时，测量获得当前曝光掩膜层(第三层掩膜)的所述第三套刻标记与前一层曝光掩膜层(第二层掩膜)的第二误差数据，及当前曝光掩膜层的所述第三套刻标记与前一层的再前一层曝光掩膜层(第一层掩膜)的所述第一套刻标记的第一误差数据，再根据所述第一误差数据和所述第二误差数据计算出平均修正误差，来差修正所述第三层掩膜的曝光参数。即综合考虑了当前层和前一层，及当前层与再前一层的对准程度，避免由于仅对准某两层掩膜导致与其他的掩膜偏移过大的情况，提高成品率。为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一在本实施例中，提供了一种光刻方法，如图1所示，包括：步骤S101，依次套刻曝光第一层掩膜生成第一套刻标记、曝光第二层掩膜生成第二套刻标记和曝光第三层掩膜生成第三套刻标记；步骤S102，测量获得所述第三套刻标记与所述第一套刻标记的第一误差数据，和所述第三套刻标记与所述第二套刻标记的第二误差数据；步骤S103，根据所述第一误差数据和所述第二误差数据计算出平均修正误差，并采用所述平均修正误差修正本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻方法，其特征在于，包括：依次套刻曝光第一层掩膜生成第一套刻标记、曝光第二层掩膜生成第二套刻标记和曝光第三层掩膜生成第三套刻标记；测量获得所述第三套刻标记与所述第一套刻标记的第一误差数据，和所述第三套刻标记与所述第二套刻标记的第二误差数据；根据所述第一误差数据和所述第二误差数据计算出平均修正误差，并采用所述平均修正误差修正所述第三层掩膜的曝光参数。

【技术特征摘要】
1.一种光刻方法，其特征在于，包括：依次套刻曝光第一层掩膜生成第一套刻标记、曝光第二层掩膜生成第二套刻标记和曝光第三层掩膜生成第三套刻标记；测量获得所述第三套刻标记与所述第一套刻标记的第一误差数据，和所述第三套刻标记与所述第二套刻标记的第二误差数据；根据所述第一误差数据和所述第二误差数据计算出平均修正误差，并采用所述平均修正误差修正所述第三层掩膜的曝光参数。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一套刻标记为矩形标记或空心矩形标记；所述第二套刻标记为矩形标记或空心矩形标记；所述第三套刻标记为矩形标记或空心矩形标记。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一套刻标记、所述第二套刻标记和所述第三套刻标记呈环形三重套设状。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一误差数据和所述第二误差数据计算出平均修正误差，包括：计算所述第一误差数据和所述第二误差数据的平均值，以所述平均值作为所述平均修正误差。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依次套刻曝光第一层掩膜生成第一套刻标记、曝光第二层掩膜生成第二套刻标记和曝光第三层掩膜生成第三套刻标记，包括：曝光第一层掩膜，在N片晶圆上均生成第一套刻标记；曝光第二层掩膜，在N片晶圆上均生成第二套刻标记；曝光第三层掩膜，在N片晶圆中的一片晶圆上生成第三套刻标记；所述采用所述平均修正误差修正所述第三层掩膜的曝光参数，包括：采用所述平均修正误差修正所述第三层掩膜的曝光参数，并以修正后的曝光参数在所述N片晶圆中除所述一片晶圆外的其他晶圆上，曝光所述第三层掩膜。6.一种多层掩膜，其特征在于，包括：位于第一层掩膜上的第一套刻标记图形、位于第二层掩膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：马琳，陆原，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11