一种半导体封装胶及制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装胶及制备工艺，配方包括：银粉、环氧树脂胶黏剂、分散剂，包括如下步骤，步骤一，原料选取及称量；步骤二，搅拌混合；步骤三，加热混合；步骤四，静置；步骤五，过滤；步骤六，蒸馏；按照各组分的质量百分含量分别是：银粉40‑45%、环氧树脂胶黏剂5‑10%、石墨炭黑5‑10%、甲苯1‑5%、消泡剂0.1‑0.4%，水35‑40%，分散剂0.1‑0.4%进行选取，并按照重量百分比之和为1进行称取，该发明专利技术，通过特定的配比，银粉、环氧树脂胶黏剂、石墨炭黑、甲苯、消泡剂、水和分散剂，并且通过原料选取及称量；搅拌混合；加热混合；静置；过滤；蒸馏，使得制作的封装胶的过程更加简单，成型快。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装胶及制备工艺
本专利技术涉及半导体封装胶设备
，具体为一种半导体封装胶及制备工艺。
技术介绍
在半导体元件元件日益微小化进展已到10纳米的制程技术,主动元件晶片后段封装的材料进入空前的挑战。目前高阶的封装材料几乎都是欧美日大厂垄断,且封装材料取得价格相当的高昂,交货期也相当的长,对于全球化日益竞争的封装产业,获利空间逐渐被压缩,着实有需要材料本地化的需求因应而生。早期传统矽晶片经过打线接合或覆晶接合之后,常见的包覆技术是包封胶,这一黑色方块的封胶材料是由环氧树脂、陶瓷粉、炭黑等组成的复合材料,它填充在黄金线、铜线或导线架之间,负责提供绝缘效果。至今经过半导体技术的演变,覆晶技术已经进展到3D立体的结构，所以封装材料的特性需要非常好的机台搭配性，实际点胶作业的最佳化最速化与高稳定性，固化时收缩应力更小,材料固化后的物理特性佳，绝缘性好等。现有的半导体封装胶，制备工艺比较复杂，时间比较长，因此设计一种半导体封装胶及制备工艺。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体封装胶及制备工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：一种半导体封装胶，配方包括：银粉、环氧树脂胶黏剂、石墨炭黑、甲苯、消泡剂、水、分散剂，各组分的质量百分含量分别是：银粉40-45%、环氧树脂胶黏剂5-10%、石墨炭黑5-10%、甲苯1-5%、消泡剂0.1-0.4%，水35-40%，分散剂0.1-0.4%。一种半导体封装胶制备工艺，包括如下步骤，步骤一，原料选取及称量；步骤二，搅拌混合；步骤三，加热混合；步骤四，静置；步骤五，过滤；步骤六，蒸馏；其中在上述步骤一中，按照各组分的质量百分含量分别是：银粉40-45%、环氧树脂胶黏剂5-10%、石墨炭黑5-10%、甲苯1-5%、消泡剂0.1-0.4%，水35-40%，分散剂0.1-0.4%进行选取，并按照重量百分比之和为1进行称取；其中在上述步骤二中，将称取的银粉、环氧树脂胶黏剂和石墨炭黑倒入具有搅拌功能的反应釜中，然后将称量的甲苯和水和倒入四口瓶中，混合均匀；其中在上述步骤三中，将甲苯和水的混合液缓慢滴入氯硅烷混合液中，并向氯硅烷中加入称量的消泡剂和分散剂，然后将温度加热到40-50℃进行反应，反应时间为4.5小时，然后再将温度加热到80℃，老化反应2小时；其中在上述步骤四中，将步骤三中反应后的浆体自热降温至室温后，将浆体倒入反应漏斗中，静置分层，上层有机相为甲基举基乙烯基硅树脂的甲苯溶液，中间有少量絮状物薄层,下层为水相；其中在上述步骤五中，分出絮状物薄层和水相；上层有机相倒人三口瓶,多次蒸馏水洗涤,直到有机相中性；利用砂式漏斗过滤中性有机相，除去杂质；其中在上述步骤六中，减压蒸馏有机相，蒸馏处甲苯和低聚物，得到封装胶。根据上述技术方案，所述银粉45%、环氧树脂胶黏剂5%、石墨炭黑5%、甲苯4.2%、消泡剂0.4%，水40%，分散剂0.4%。根据上述技术方案，所述分散剂为三乙基己基磷酸、十二烷基硫酸钠、甲基戊醇和纤维素衍生物中至少一种。根据上述技术方案，所述消泡剂为高碳醇脂肪酸酯复合物、聚氧乙烯聚氧丙烯季戊四醇醚和聚氧乙烯聚氧丙醇胺醚中至少一种。根据上述技术方案，所述步骤三中，滴加混合液的时间控制在1小时左右。根据上述技术方案，所述步骤六中，蒸馏的压强为0.08MPa,初馏温度为30℃，终馏温度为150℃。根据上述技术方案，所述砂式漏斗为1000目时，过滤效果好。与现有技术相比，本专利技术所达到的有益效果是：该专利技术，通过特定的配比，银粉、环氧树脂胶黏剂、石墨炭黑、甲苯、消泡剂、水和分散剂，并且通过原料选取及称量；搅拌混合；加热混合；静置；过滤；蒸馏，使得制作的封装胶的过程更加简单，成型快。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是本专利技术的工艺流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，本专利技术提供一种技术方案：一种半导体封装胶及制备工艺；实施例1：一种半导体封装胶，配方包括：银粉、环氧树脂胶黏剂、石墨炭黑、甲苯、消泡剂、水、分散剂，各组分的质量百分含量分别是：银粉40%、环氧树脂胶黏剂10%、石墨炭黑10%、甲苯4.8%、消泡剂0.1%，水35%，分散剂0.1%。一种半导体封装胶制备工艺，包括如下步骤，步骤一，原料选取及称量；步骤二，搅拌混合；步骤三，加热混合；步骤四，静置；步骤五，过滤；步骤六，蒸馏；其中在上述步骤一中，按照各组分的质量百分含量分别是：银粉40%、环氧树脂胶黏剂10%、石墨炭黑10%、甲苯4.8%、消泡剂0.1%，水35%，分散剂0.1%进行称取；其中在上述步骤二中，将称取的银粉、环氧树脂胶黏剂和石墨炭黑倒入具有搅拌功能的反应釜中，然后将称量的甲苯和水和倒入四口瓶中，混合均匀；其中在上述步骤三中，将甲苯和水的混合液缓慢滴入氯硅烷混合液中，并向氯硅烷中加入称量的消泡剂和分散剂，然后将温度加热到40-50℃进行反应，反应时间为4.5小时，然后再将温度加热到80℃，老化反应2小时；其中在上述步骤四中，将步骤三中反应后的浆体自热降温至室温后，将浆体倒入反应漏斗中，静置分层，上层有机相为甲基举基乙烯基硅树脂的甲苯溶液，中间有少量絮状物薄层,下层为水相；其中在上述步骤五中，分出絮状物薄层和水相；上层有机相倒人三口瓶,多次蒸馏水洗涤,直到有机相中性；利用砂式漏斗过滤中性有机相，除去杂质；其中在上述步骤六中，减压蒸馏有机相，蒸馏处甲苯和低聚物，得到封装胶。其中，分散剂为三乙基己基磷酸；消泡剂为高碳醇脂肪酸酯复合物；所述步骤三中，滴加混合液的时间控制在1小时左右；步骤六中，蒸馏的压强为0.08MPa,初馏温度为30℃，终馏温度为150℃；砂式漏斗为1000目时，过滤效果好。实施例2：一种半导体封装胶，配方包括：银粉、环氧树脂胶黏剂、石墨炭黑、甲苯、消泡剂、水、分散剂，各组分的质量百分含量分别是：银粉45%、环氧树脂胶黏剂5%、石墨炭黑5%、甲苯4.2%、消泡剂0.4%，水40%，分散剂0.4%。一种半导体封装胶制备工艺，包括如下步骤，步骤一，原料选取及称量；步骤二，搅拌混合；步骤三，加热混合；步骤四，静置；步骤五，过滤；步骤六，蒸馏；其中在上述步骤一中，按照各组分的质量百分含量分别是：银粉45%、环氧树脂胶黏剂5%、石墨炭黑5%、甲苯4.2%、消泡剂0.4%，水40%，分散剂0.4%进行称取；其中在上述步骤二中，将称取的银粉、环氧树脂胶黏剂和石墨炭黑倒入具有搅拌功能的反应釜中，然后将称量的甲苯和水和倒入四口瓶中，混合均匀；其中在上述步骤三中，将甲苯和水的混合液缓慢滴入氯硅烷混合液中，并向氯硅烷中加入称量的消泡剂和分散剂，然后将温度加热到40-50℃进行反应，反应时间为4.5小时，然后再将温度加热到80℃，老化反应2小时；其中在上述步骤四中，将步骤三中反应后的浆体自热降温至室温后，将浆体倒本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装胶，其特征在于：配方包括：银粉、环氧树脂胶黏剂、石墨炭黑、甲苯、消泡剂、水、分散剂，各组分的质量百分含量分别是：银粉40‑45%、环氧树脂胶黏剂5‑10%、石墨炭黑5‑10%、甲苯1‑5%、消泡剂0.1‑0.4%，水35‑40%，分散剂0.1‑0.4%。

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装胶，其特征在于：配方包括：银粉、环氧树脂胶黏剂、石墨炭黑、甲苯、消泡剂、水、分散剂，各组分的质量百分含量分别是：银粉40-45%、环氧树脂胶黏剂5-10%、石墨炭黑5-10%、甲苯1-5%、消泡剂0.1-0.4%，水35-40%，分散剂0.1-0.4%。2.一种半导体封装胶制备工艺，包括如下步骤，步骤一，原料选取及称量；步骤二，搅拌混合；步骤三，加热混合；步骤四，静置；步骤五，过滤；步骤六，蒸馏；其特征在于：其中在上述步骤一中，按照各组分的质量百分含量分别是：银粉40-45%、环氧树脂胶黏剂5-10%、石墨炭黑5-10%、甲苯1-5%、消泡剂0.1-0.4%，水35-40%，分散剂0.1-0.4%进行选取，并按照重量百分比之和为1进行称取；其中在上述步骤二中，将称取的银粉、环氧树脂胶黏剂和石墨炭黑倒入具有搅拌功能的反应釜中，然后将称量的甲苯和水和倒入四口瓶中，混合均匀；其中在上述步骤三中，将甲苯和水的混合液缓慢滴入氯硅烷混合液中，并向氯硅烷中加入称量的消泡剂和分散剂，然后将温度加热到40-50℃进行反应，反应时间为4.5小时，然后再将温度加热到80℃，老化反应2小时；其中在上述步骤四中，将步骤三中反应后的浆体自热降温至室温后，将浆体倒入反应漏斗中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洪旺，史卫利，黄立夫，郑仲杰，
申请(专利权)人：无锡帝科电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32