一种单分子磁体阴离子框架材料及合成方法技术

本发明专利技术公开了一种单分子磁体阴离子框架材料及合成方法。阴离子框架材料化学式为{(CH3)2NH2[Dy(ox)2(H2O)]·3H2O}n，分子式为：C6NH16DyO12，分子量为：456.69g/mol。将碳酸镝和二水合草酸分别加入蒸馏水，而后将两者混合，并加N,N‑二甲基甲酰胺，搅拌，控制pH在3，置于140℃的烘箱恒温四天，降温。利用Debye拟合方程计算该化合物能垒和弛豫时间，其最佳拟合结果为Ueff≈6.6K，τ0≈2.11×10

【技术实现步骤摘要】
一种单分子磁体阴离子框架材料及合成方法
本专利技术属于配位聚合物材料制备
，特别涉及一种单分子磁体阴离子框架材料{(CH3)2NH2[Dy(ox)2(H2O)]·3H2O}n((CH3)2NH2+＝质子化二甲胺阳离子；ox2-＝草酸根)及合成方法。
技术介绍
单分子磁体是指那些在磁场下能够被磁化，当磁场去除后仍能保持磁性的单个分子，其磁化强度对外磁场的曲线会出现磁滞回线。单分子磁体的磁性完全来源于单个分子的本身，而不像常规磁体那样依赖于分子间排列的长程有序和相互作用。量子比特载体材料的开发是量子计算机研发最关键的部分。大量的研究表明单分子磁体是目前最有希望成为量子比特载体的材料。
技术实现思路
本专利技术的目的就是提供一种镝配合物单分子磁体材料及合成方法。本专利技术的思路：利用碳酸镝和草酸通过水热法获得镝配合物。本专利技术涉及的阴离子框架材料化学式为{(CH3)2NH2[Dy(ox)2(H2O)]·3H2O}n((CH3)2NH2+＝质子化二甲胺阳离子；ox2-＝草酸根)，属于单斜晶系，P21/n空间群。在该配合物的不对称结构单元中，含有二十个非氢原子，分别为一个中心的金属镝离子，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单分子磁体阴离子框架材料，其特征在于单分子磁体阴离子框架材料化学式为{(CH3)2NH2[Dy(ox)2(H2O)]·3H2O}n，其中：CH3)2NH2+为质子化二甲基胺阳离子，ox2‑为草酸根；分子式为：C6NH16DyO12，分子量为：456.69；晶体结构数据见表一，部分键长键角见表二；该阴离子框架属于单斜晶系，P21/n空间群，中心金属离子为Dy3+；在外加磁场为2000Oe和温度范围是2.0‑300K的条件下，测定了阴离子框架材料{(CH3)2NH2[Dy(ox)2(H2O)]·3H2O}n的变温磁化率；随着温度的降低，该化合物的磁化率也随之减小，说明了Dy3+之间具有反铁...

【技术特征摘要】
1.一种单分子磁体阴离子框架材料，其特征在于单分子磁体阴离子框架材料化学式为{(CH3)2NH2[Dy(ox)2(H2O)]·3H2O}n，其中：CH3)2NH2+为质子化二甲基胺阳离子，ox2-为草酸根；分子式为：C6NH16DyO12，分子量为：456.69；晶体结构数据见表一，部分键长键角见表二；该阴离子框架属于单斜晶系，P21/n空间群，中心金属离子为Dy3+；在外加磁场为2000Oe和温度范围是2.0-300K的条件下，测定了阴离子框架材料{(CH3)2NH2[Dy(ox)2(H2O)]·3H2O}n的变温磁化率；随着温度的降低，该化合物的磁化率也随之减小，说明了Dy3+之间具有反铁磁性作用；利用Debye拟合方程计算阴离子框架的能垒和弛豫时间，其最佳拟合结果为Ueff≈6.6K，τ0≈2.11×10-13s，这说明该阴离子框架材料具有单分子磁体性质；表一：{(CH3)2NH2[Dy(ox)2(H2O)]·3H2O}n的晶体参数aR1＝Σ||Fo|–|Fc||/Σ|Fo|.bwR2＝[Σw(|Fo2|–|Fc2|)2/Σw(|Fo2|)2]1/2表二：{(CH3)2NH2[Dy(ox)2(H2O)]·3H2O}n的键长和键角(°)Dy1—O12.428(3)Dy1-O62.439(2)Dy1-O22.467(3)Dy1-O72.388(2)Dy1—O32.393(2)Dy1—O82.440(2)Dy1—O42.449(3)Dy1—O92.456(3)Dy1—O52.392(2)O4—Dy1—O966.77(8)O7—Dy1—O5135.64(7)O5—Dy1—O269.82(8)O7—Dy1-O3138.66(8)O3-Dy1-O271.93(8)O5-Dy1-O385.25(7)O1-Dy1-O265.97(8)O7-Dy1-O170.75(8)O6-Dy1-O270.33(9)O5-Dy1—O1135.10(8)O8-Dy1—O2136.29(8)O3—Dy1—O174.28(8)O4—D...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐群，杨琰莉，张宁，胡嘉议，莫其辉，邹志明，张淑芬，梁福沛，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：广西,45