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本发明公开了一种单分子磁体阴离子框架材料及合成方法。阴离子框架材料化学式为{(CH3)2NH2[Dy(ox)2(H2O)]·3H2O}n，分子式为：C6NH16DyO12，分子量为：456.69g/mol。将碳酸镝和二水合草酸分别加入蒸馏水...
该专利属于桂林理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过桂林理工大学授权不得商用。

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