4,4’-二(苯乙烯基)-3,3’-联二噻吩衍生物、合成方法及其应用技术

本发明专利技术公开了一种4,4’‑二(苯乙烯基)‑3,3’‑联二噻吩衍生物、合成方法及其应用，本发明专利技术的4,4’‑二(苯乙烯基)‑3,3’‑联二噻吩衍生物通过4,4’‑二醛基‑3,3’‑联二噻吩与芳基苄溴类wittig试剂反应制备得到。本发明专利技术合成方法简单、环保，得到的联二噻吩衍生物具有良好的光学性能，可作为有机小分子光电材料，用于敏化太阳能电池、有机发光二极管、离子检测和离子探针、有机场效应晶体管和有机半导体材料领域。

【技术实现步骤摘要】
4,4’-二(苯乙烯基)-3,3’-联二噻吩衍生物、合成方法及其应用
本专利技术涉及有机合成
，具体的说，涉及4,4’-二(苯乙烯基)-3,3’-联二噻吩衍生物、合成方法及其应用。
技术介绍
随着光电材料研究的迅猛发展，噻吩类化合物因其掺杂后具有良好的稳定性、易修饰等特点，受到了广泛的关注。其中，具有对称结构的3,3’-联二噻吩衍生物能够实现对噻吩骨架上电子双向传输能力的有效调控，同时延伸了噻吩环上π键的有效共轭长度。此外，其光谱响应带宽阔、摩尔消光系数高，能够实现对光子的有效吸收，因而在光电材料方面应用广泛。Simon等人合成了以二氰基乙烯基作为末端受体的A–D–A–D–A型化合物，其光电转换效率可高达1.3％。(式-1，J.Mater.Chem.,2012,22:2701-2712.)Sirringhous等人设计合成了S原子在不同侧的二聚并三噻吩(式-2，ppl.Phys.Lett,1997,71:3871-3873.)，该化合物是一种空穴累积型(p-型)的有机半导体材料，具有独特的面面π堆积结构，较宽的HOMO-LUMO能隙，较高的开关比。中科院长春应化所的王鹏等人合成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种4,4’‑二(苯乙烯基)‑3,3’‑联二噻吩衍生物，其结构特征在于，其具有通式Ⅰ所示的结构：

【技术特征摘要】
1.一种4,4’-二(苯乙烯基)-3,3’-联二噻吩衍生物，其结构特征在于，其具有通式Ⅰ所示的结构：其中，R选自氢，甲基，溴甲基，甲氧基，苯甲氧基，氟，氯，溴，碘，氰基，硝基，氨基，苯基，叔丁基，三氟甲基，磺酸基，羧基，羟基，甲砜基，或甲酸甲酯基中任意一种。2.一种如权利要求1所述的4,4’-二(苯乙烯基)-3,3’-联二噻吩的衍生物的合成方法，其特征在于：通过4,4’-二醛基-3,3’-联二噻吩与芳基苄溴类wittig试剂在碱性条件下发生反应制备得到4,4’-二(苯乙烯基)-3,3...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷燕，裴可可，张华，潘万勇，王媛，孙越，赵连花，张青林，郭会峰，
申请(专利权)人：上海应用技术大学，
类型：发明
国别省市：上海,31