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一种传感器刻蚀装置制造方法及图纸

技术编号:20151208 阅读:54 留言:0更新日期:2019-01-19 00:04
本实用新型专利技术公开了一种传感器刻蚀装置,包括加温板、挡液板架、上挡液板、下挡液板、刻蚀反应箱,所述刻蚀反应箱内部顶端设置有所述加温板,所述刻蚀反应箱顶端设置有第一雾化管,所述第一雾化管一侧设置有旋转电机,所述旋转电机一侧设置有第二雾化管,所述旋转电机顶部设置有刻蚀药液箱,所述加温板底部设置有旋转轴,所述旋转轴底部设置有硅片放置台,所述硅片放置台一侧设置有所述下挡液板,所述下挡液板一侧设置有挡液板架。有益效果在于:设置加温板对顶部进行加热,避免了凝结药液滴落对未刻蚀部分的干扰,同时上挡液板和下挡液板可以有效遮挡硅片未刻蚀部分,装置刻蚀效率高,质量好。

【技术实现步骤摘要】
一种传感器刻蚀装置
本技术涉及传感器刻蚀
,特别是涉及一种传感器刻蚀装置。
技术介绍
传感器用单晶硅在加工过程中,均需对其进行刻蚀处理,刻蚀工艺分为干法刻蚀和湿法刻蚀,湿法刻蚀被广泛用于金属薄膜及氧化物薄膜的刻蚀。湿法刻蚀工艺主要是指采用化学药液对刻蚀物进行去除的一种技术,对待刻蚀的基板进行湿法刻蚀时,通过化学药液与刻蚀物发生化学反应,把未被光刻胶覆盖的薄膜进行去除完成刻蚀。对比申请号201510399735.7的中国专利,公开了一种可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置,其包括有反应室,反应室外侧设置有电磁线圈:所述反应室外部设置有多个在水平方向上的置放端架,每一个置放端架的均沿反应室的侧端面成环形延伸,电磁线圈固定于其所对应的置放端架的上端面;多个置放端架之间通过在竖直方向上延伸的支撑杆件进行连接:所述反应室的外部设置有多个升降丝杆,其连接至设置在反应室上端面的升降电机,所述升降丝杆与置放端架彼此固定连接;采用上述技术方案的可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置,其可通过升降丝杆驱动电磁线圈升降,以使得批量处理的单晶硅的整体加工精度得以改善,并使得传感器整体的工艺效率得本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种传感器刻蚀装置,其特征在于:包括加温板(3)、挡液板架(4)、上挡液板(5)、下挡液板(9)、刻蚀反应箱(10),所述刻蚀反应箱(10)内部顶端设置有所述加温板(3),所述刻蚀反应箱(10)顶端设置有第一雾化管(2),所述第一雾化管(2)一侧设置有旋转电机(16),所述旋转电机(16)一侧设置有第二雾化管(15),所述旋转电机(16)顶部设置有刻蚀药液箱(1),所述加温板(3)底部设置有旋转轴(12),所述旋转轴(12)底部设置有硅片放置台(11),所述硅片放置台(11)一侧设置有所述下挡液板(9),所述下挡液板(9)一侧设置有挡液板架(4),所述挡液板架(4)一侧设置有所述上挡液板(...

【技术特征摘要】
1.一种传感器刻蚀装置,其特征在于:包括加温板(3)、挡液板架(4)、上挡液板(5)、下挡液板(9)、刻蚀反应箱(10),所述刻蚀反应箱(10)内部顶端设置有所述加温板(3),所述刻蚀反应箱(10)顶端设置有第一雾化管(2),所述第一雾化管(2)一侧设置有旋转电机(16),所述旋转电机(16)一侧设置有第二雾化管(15),所述旋转电机(16)顶部设置有刻蚀药液箱(1),所述加温板(3)底部设置有旋转轴(12),所述旋转轴(12)底部设置有硅片放置台(11),所述硅片放置台(11)一侧设置有所述下挡液板(9),所述下挡液板(9)一侧设置有挡液板架(4),所述挡液板架(4)一侧设置有所述上挡液板(5),所述上挡液板(5)表面设置有齿条(6),所述齿条(6)底部设置有驱动齿轮(7),所述驱动齿轮(7)底部设置有步进电机(8),所述刻蚀反应箱(10)的另一侧设置有抽液管(13),所述抽液管(13)一侧设置有泵(14)。2.根据权利要求1所述的一种传感器刻蚀装置,其特征在于:所述第一雾化管(2)与所述刻蚀药液箱(1)插接,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:方高健
申请(专利权)人:方高健
类型:新型
国别省市:浙江,33

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