用于SIM卡读卡器的应用电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于SIM卡读卡器的应用电路，包括主控芯片U1，还包括与主控芯片U1电性连接的SIM卡控制模块、SIM卡槽U3、SIM卡槽U4；SIM卡控制模块包括第一控制电路、第二控制电路，第一控制电路包括三极管Q1、场效应管Q2，第二控制电路包括三极管Q3、场效应管Q4；三极管Q1的基极连接主控芯片的控制端，三极管Q1的集电极连接场效应管Q2的栅极，场效应管Q2的漏极连接SIM卡槽U3的供电输入端，三极管Q3的基极连接主控芯片的控制端，三极管Q3的集电极连接场效应管Q4的栅极，场效应管Q4的漏极连接SIM卡槽U4的供电输入端，场效应管Q2的源极和所述场效应管Q4的源极并联接入电源。本实用新型专利技术通过控制SIM卡槽的电源，实现SIM卡切换。

【技术实现步骤摘要】
用于SIM卡读卡器的应用电路
本技术涉及SIM卡
，具体地涉及一种用于SIM卡读卡器的应用电路。
技术介绍
目前MIFI、4G路由器等装置不支持双卡双待，需要使用两张SIM卡时需要用到SIM卡读卡器，现有的SIM卡读卡器通过使用专门的IC来完成相应的功能，IC的成本高造成现有的SIM卡读卡器的成本较高，并且占用的GPIO口较多，对输入的电压要求较高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种成本低的用于SIM卡读卡器的应用电路及SIM卡读卡器。本技术公开的一种用于SIM卡读卡器的应用电路及SIM卡读卡器采用的技术方案是：一种用于SIM卡读卡器的应用电路，包括主控芯片U1，还包括与所述主控芯片U1电性连接的SIM卡控制模块、SIM卡槽U3、SIM卡槽U4。所述SIM卡控制模块包括第一控制电路、第二控制电路，所述第一控制电路包括三极管Q1、场效应管Q2，所述第二控制电路包括三极管Q3、场效应管Q4。所述三极管Q1的基极连接所述主控芯片的控制端，所述三极管Q1的集电极连接所述场效应管Q2的栅极，所述三极管Q1的发射极接地，所述场效应管Q2的漏极连接所述SIM卡槽U3的供电输入端，所述三极管Q3的基极连接所述主控芯片的控制端，所述三极管Q3的集电极连接所述场效应管Q4的栅极，所述三极管Q3的发射极接地，所述场效应管Q4的漏极连接所述SIM卡槽U4的供电输入端，所述场效应管Q2的源极和栅极之间连接有电阻R13，所述场效应管Q4的源极和栅极之间连接有电阻R19，所述场效应管Q2的源极和所述场效应管Q4的源极并联接入电源。作为优选方案，所述SIM卡槽U3的引脚CD和所述主控芯片U1之间电性连接。作为优选方案，所述三极管Q1的基极串联有电阻R1，所述三极管Q1的基极和发射极之间连接有电阻R2。作为优选方案，所述三极管Q3的基极串联有电阻R3，所述三极管Q3的基极和发射极之间连接有电阻R4。作为优选方案，所述场效应管Q2的漏极和所述SIM卡槽U3的供电输入端之间连接有电容C20，所述电容C20的另一端接地。作为优选方案，所述场效应管Q4的漏极和所述SIM卡槽U4的供电输入端之间连接有电容C26，所述电容C26的另一端接地。一种SIM卡读卡器，包括如上所述的用于SIM卡读卡器的应用电路。本技术提供一种用于SIM卡读卡器的应用电路，主控芯片U1根据SIM卡槽U3和SIM卡槽U4插入SIM卡的情况，然后输出控制信号给SIM卡控制模块的第一控制电路或者第二控制电路。通过控制第一控制电路的三极管Q1和场效应管Q2的通断，控制SIM卡槽U3和电源之间的通断，通过控制第二控制电路的三极管Q3和场效应管Q4的通断，控制SIM卡槽U4和电源之间的通断，从而达到从SIM卡槽U3或SIM卡槽U4中选择一个来使用的目的。本技术电路结构简单，不需要制造专门的IC，占用GPIO口少，通过控制这个两个SIM卡槽的电源，即可达到选择其中一个SIN卡工作的功能。本技术提供一种SIM卡读卡器，通过使用上述用于SIM卡读卡器的应用电路，节约了成本。附图说明图1是本技术的用于SIM卡读卡器的应用电路的第一控制电路和第二控制电路的结构示意图。图2是本技术的用于SIM卡读卡器的应用电路的SIM卡槽U3和SIM卡槽U4的结构示意图。具体实施方式下面结合具体实施例和说明书附图对本技术做进一步阐述和说明：请参考图1、2，一种用于SIM卡读卡器的应用电路，包括主控芯片U1，还包括与所述主控芯片U1电性连接的SIM卡控制模块、SIM卡槽U3、SIM卡槽U4，所述SIM卡槽U3的型号为mupc792，所述SIM卡槽U4的型号为m2mvqfn48，所述主控芯片的型号为ZX29752113。所述SIM卡控制模块包括第一控制电路、第二控制电路，所述第一控制电路包括三极管Q1、场效应管Q2，所述第二控制电路包括三极管Q3、场效应管Q4。所述三极管Q1的基极连接所述主控芯片的控制端，所述三极管Q1的集电极连接所述场效应管Q2的栅极，所述三极管Q1的发射极接地，所述场效应管Q2的漏极连接所述SIM卡槽U3的供电输入端，所述三极管Q3的基极连接所述主控芯片的控制端，所述三极管Q3的集电极连接所述场效应管Q4的栅极，所述三极管Q3的发射极接地，所述场效应管Q4的漏极连接所述SIM卡槽U4的供电输入端，所述场效应管Q2的源极和栅极之间连接有电阻R13，所述场效应管Q4的源极和栅极之间连接有电阻R19，所述场效应管Q2的源极和所述场效应管Q4的源极并联接入电源。所述SIM卡槽U3的引脚CD和所述主控芯片U1之间电性连接。当U3卡槽插入SIM卡时，CD引脚内部接地的弹片被弹开，该引脚为高电平，当不插入SIM卡时，CD引脚内部接地，该引脚为低电平。所述三极管Q1的基极串联有电阻R1，所述三极管Q1的基极和发射极之间连接有电阻R2。所述三极管Q3的基极串联有电阻R3，所述三极管Q3的基极和发射极之间连接有电阻R4。所述场效应管Q2的漏极和所述SIM卡槽U3的供电输入端之间连接有电容C20，所述电容C20的另一端接地。所述场效应管Q4的漏极和所述SIM卡槽U4的供电输入端之间连接有电容C26，所述电容C26的另一端接地。具体的，所述三极管Q1和所述三极管Q3均为NPN型三极管，所述场效应管Q2和场效应管Q4为P沟道场效应管。需要说明的是，SIM卡槽U4内置实体卡，当SIM卡槽U3插入SIM卡时，SIM卡槽U3的引脚CD内部接地的弹片被弹开，SIM卡槽U3的引脚CD输出高电平反馈给主控芯片U1，主控芯片U1收到SIM卡槽U3反馈来的信号从而判断SIM卡槽U3内插入了SIM卡。主控芯片U1输出高电平到第一控制电路的三极管Q1的基极，使三极管Q1的集电极和发射极导通，此时第二控制电路的三极管Q3的基极为低电平处于截止状态。三极管Q1的集电极连接场效应管Q2的栅极，三极管Q1导通后，场效应管Q2的栅极电压被拉低，场效应管Q2的源极和漏极导通。此时，三极管Q3的集电极连接场效应管Q4的栅极，三极管Q3截止，场效应管Q4的栅极电压被电阻R19拉高处于截止状态。从而，SIM卡槽U4无法连接到电源进行工作，SIM卡槽U3连接到电源，开始正常工作。一种SIM卡读卡器，包括如上所述的用于SIM卡读卡器的应用电路。本技术提供一种用于SIM卡读卡器的应用电路，主控芯片U1根据SIM卡槽U3和SIM卡槽U4插入SIM卡的情况，然后输出控制信号给SIM卡控制模块的第一控制电路或者第二控制电路。通过控制第一控制电路的三极管Q1和场效应管Q2的通断，控制SIM卡槽U3和电源之间的通断，通过控制第二控制电路的三极管Q3和场效应管Q4的通断，控制SIM卡槽U4和电源之间的通断，从而达到从SIM卡槽U3或SIM卡槽U4中选择一个来使用的目的。本技术电路结构简单，不需要制造专门的IC，占用GPIO口少，通过控制这个两个SIM卡槽的电源，即可达到选择其中一个SIN卡工作的功能。本技术提供一种SIM卡读卡器，通过使用上述用于SIM卡读卡器的应用电路，节约了成本。最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对本技术保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于SIM卡读卡器的应用电路，其特征在于：包括主控芯片U1，还包括与所述主控芯片U1电性连接的SIM卡控制模块、SIM卡槽U3、SIM卡槽U4；所述SIM卡控制模块包括第一控制电路、第二控制电路，所述第一控制电路包括三极管Q1、场效应管Q2，所述第二控制电路包括三极管Q3、场效应管Q4；所述三极管Q1的基极连接所述主控芯片的控制端，所述三极管Q1的集电极连接所述场效应管Q2的栅极，所述三极管Q1的发射极接地，所述场效应管Q2的漏极连接所述SIM卡槽U3的供电输入端，所述三极管Q3的基极连接所述主控芯片的控制端，所述三极管Q3的集电极连接所述场效应管Q4的栅极，所述三极管Q3的发射极接地，所述场效应管Q4的漏极连接所述SIM卡槽U4的供电输入端，所述场效应管Q2的源极和栅极之间连接有电阻R13，所述场效应管Q4的源极和栅极之间连接有电阻R19，所述场效应管Q2的源极和所述场效应管Q4的源极并联接入电源。

【技术特征摘要】
1.一种用于SIM卡读卡器的应用电路，其特征在于：包括主控芯片U1，还包括与所述主控芯片U1电性连接的SIM卡控制模块、SIM卡槽U3、SIM卡槽U4；所述SIM卡控制模块包括第一控制电路、第二控制电路，所述第一控制电路包括三极管Q1、场效应管Q2，所述第二控制电路包括三极管Q3、场效应管Q4；所述三极管Q1的基极连接所述主控芯片的控制端，所述三极管Q1的集电极连接所述场效应管Q2的栅极，所述三极管Q1的发射极接地，所述场效应管Q2的漏极连接所述SIM卡槽U3的供电输入端，所述三极管Q3的基极连接所述主控芯片的控制端，所述三极管Q3的集电极连接所述场效应管Q4的栅极，所述三极管Q3的发射极接地，所述场效应管Q4的漏极连接所述SIM卡槽U4的供电输入端，所述场效应管Q2的源极和栅极之间连接有电阻R13，所述场效应管Q4的源极和栅极之间连接有电阻R19，所述场效应管Q2的源极和所述场效应管Q4的源极并联接入电源。2.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：程远忠，
申请(专利权)人：深圳市阿乐卡科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44