用于SIM卡读卡器的应用电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于SIM卡读卡器的应用电路，包括主控芯片U1，还包括与主控芯片U1电性连接的SIM卡控制模块、SIM卡槽U3、SIM卡槽U4；SIM卡控制模块包括第一控制电路、第二控制电路，第一控制电路包括三极管Q1、场效应管Q2，第二控制电路包括三极管Q3、场效应管Q4；三极管Q1的基极连接主控芯片的控制端，三极管Q1的集电极连接场效应管Q2的栅极，场效应管Q2的漏极连接SIM卡槽U3的供电输入端，三极管Q3的基极连接主控芯片的控制端，三极管Q3的集电极连接场效应管Q4的栅极，场效应管Q4的漏极连接SIM卡槽U4的供电输入端，场效应管Q2的源极和所述场效应管Q4的源极并联接入电源。本实用新型专利技术通过控制SIM卡槽的电源，实现SIM卡切换。

【技术实现步骤摘要】
用于SIM卡读卡器的应用电路
本技术涉及SIM卡
，具体地涉及一种用于SIM卡读卡器的应用电路。
技术介绍
目前MIFI、4G路由器等装置不支持双卡双待，需要使用两张SIM卡时需要用到SIM卡读卡器，现有的SIM卡读卡器通过使用专门的IC来完成相应的功能，IC的成本高造成现有的SIM卡读卡器的成本较高，并且占用的GPIO口较多，对输入的电压要求较高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种成本低的用于SIM卡读卡器的应用电路及SIM卡读卡器。本技术公开的一种用于SIM卡读卡器的应用电路及SIM卡读卡器采用的技术方案是：一种用于SIM卡读卡器的应用电路，包括主控芯片U1，还包括与所述主控芯片U1电性连接的SIM卡控制模块、SIM卡槽U3、SIM卡槽U4。所述SIM卡控制模块包括第一控制电路、第二控制电路，所述第一控制电路包括三极管Q1、场效应管Q2，所述第二控制电路包括三极管Q3、场效应管Q4。所述三极管Q1的基极连接所述主控芯片的控制端，所述三极管Q1的集电极连接所述场效应管Q2的栅极，所述三极管Q1的发射极接地，所述场效应管Q2的漏极连接所述SIM卡槽U3的供电输入端，所述三极管Q3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于SIM卡读卡器的应用电路，其特征在于：包括主控芯片U1，还包括与所述主控芯片U1电性连接的SIM卡控制模块、SIM卡槽U3、SIM卡槽U4；所述SIM卡控制模块包括第一控制电路、第二控制电路，所述第一控制电路包括三极管Q1、场效应管Q2，所述第二控制电路包括三极管Q3、场效应管Q4；所述三极管Q1的基极连接所述主控芯片的控制端，所述三极管Q1的集电极连接所述场效应管Q2的栅极，所述三极管Q1的发射极接地，所述场效应管Q2的漏极连接所述SIM卡槽U3的供电输入端，所述三极管Q3的基极连接所述主控芯片的控制端，所述三极管Q3的集电极连接所述场效应管Q4的栅极，所述三极管Q3的发射极接地...

【技术特征摘要】
1.一种用于SIM卡读卡器的应用电路，其特征在于：包括主控芯片U1，还包括与所述主控芯片U1电性连接的SIM卡控制模块、SIM卡槽U3、SIM卡槽U4；所述SIM卡控制模块包括第一控制电路、第二控制电路，所述第一控制电路包括三极管Q1、场效应管Q2，所述第二控制电路包括三极管Q3、场效应管Q4；所述三极管Q1的基极连接所述主控芯片的控制端，所述三极管Q1的集电极连接所述场效应管Q2的栅极，所述三极管Q1的发射极接地，所述场效应管Q2的漏极连接所述SIM卡槽U3的供电输入端，所述三极管Q3的基极连接所述主控芯片的控制端，所述三极管Q3的集电极连接所述场效应管Q4的栅极，所述三极管Q3的发射极接地，所述场效应管Q4的漏极连接所述SIM卡槽U4的供电输入端，所述场效应管Q2的源极和栅极之间连接有电阻R13，所述场效应管Q4的源极和栅极之间连接有电阻R19，所述场效应管Q2的源极和所述场效应管Q4的源极并联接入电源。2.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：程远忠，
申请(专利权)人：深圳市阿乐卡科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44