芯片激光切割保护液及该保护液制作工艺制造技术

本发明专利技术所涉及一种芯片激光切割保护液，其包括有表面活性剂,有机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂。在使用激光切割芯片时，激光切割保护液被撒落在芯片表面，均匀扩散到整个芯片表面。所述表面活性剂成分和有机溶剂能够将残留于芯片表面的物质分解成微小颗粒或化学反应，溶解于有机清洁剂溶液中，达到芯片表面清洁能力。与此同时，所述激光切割保护液扩散芯片表面形成一层有机保护膜，防止了芯片在高温下切割所产生的芯片崩边现象。所述缓蚀剂能够阻止芯片表面的金属线路在高温下被氧化达到阻止了所述金属线路被氧化物的现象发生。本发明专利技术还具有操作简单和使用方便的功效。

Chip Laser Cutting Protective Fluid and Its Fabrication Technology

The invention relates to a chip laser cutting protective fluid, which comprises surfactant, organic cleaner, organic solvent, corrosion inhibitor and coupling agent. When laser cutting chip is used, the laser cutting protective liquid is scattered on the chip surface and evenly spread to the whole chip surface. The surfactant composition and organic solvent can decompose the substance remaining on the chip surface into tiny particles or chemical reactions, dissolve in the organic cleaner solution, and achieve the chip surface cleaning ability. At the same time, an organic protective film is formed on the surface of the laser cutting protective liquid diffusion chip, which prevents chip edge collapse caused by chip cutting at high temperature. The corrosion inhibitor can prevent the metal line on the chip surface from being oxidized at high temperature to prevent the metal line from being oxidized. The invention also has the effect of simple operation and convenient use.

【技术实现步骤摘要】
芯片激光切割保护液及该保护液制作工艺
本专利技术涉及一种半导体
，具体是一种用于集成电路封装领域的芯片激光切割保护液及保护液制作工艺。
技术介绍
随着微处理器和PC机的广泛应用和普及于通信，工业控制，消费电子等领域，IC产业已经开始进入以客户为导向的阶段，标准化功能的IC已难以满足整机客户对系统成本，可靠性等要求，同时整机客户要求不断增加IC的集成度，提高保密性，减小芯片面积使系统的体积缩小，降低成本，提高产品的性能，增强产品市场竞争力。然而，在加工小型芯片的过程中，一般情况都是采用金刚石划片刀，利用高速旋转的刀具转动，带动设置于刀具上的刀片对被切割的芯片进行切削动作，实现分离动作。但在一些高硬度的芯片切割时，必须使用激光先行切割开槽，在分离动作过程，容易使得芯片表面残留蜡层、脏污以及电路氧化残留物等杂物质。该残留杂质中含有活性氧化成分，该活性氧化成分长期依附于芯片表面，容易导致氧化芯片表面一些物质，在污垢杂质重力作用下甚至很可能驱使所述芯片边缘产生崩边的现象发生。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术技术目的是为了解决上述现有技术存在的问题而提供一种具有芯片表面清洁能力,防止芯片表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片激光切割保护液，其包括表面活性剂,有机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂；所述表面活性剂包含有脂肪酸聚氧乙烯醚,苯基缩水甘油醚,椰子油脂肪酸二乙醇酰胺,吐温‑80,司潘‑80,聚氧乙烯甘油醚,氢化蓖麻油活性剂,油醇聚氧乙烯醚；有机溶剂包含有丙二醇苯醚,乙二醇甲醚,聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚,二乙二醇单己醚,四氢康醇,乙酸丁酯,丁内酯,吡咯烷酮,乙醇胺,丙二醇,丙三醇,聚乙二醇200，聚乙二醇600，聚乙二醇8000，聚乙二醇2W，乙二醇，乙醇，己二酸二辛酯苯甲醇；缓蚀剂包含有苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑；偶联剂包含有KH550，KH560。

【技术特征摘要】
2018.05.22 CN 20181049353551.一种芯片激光切割保护液，其包括表面活性剂,有机清洁剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂；所述表面活性剂包含有脂肪酸聚氧乙烯醚,苯基缩水甘油醚,椰子油脂肪酸二乙醇酰胺,吐温-80,司潘-80,聚氧乙烯甘油醚,氢化蓖麻油活性剂,油醇聚氧乙烯醚；有机溶剂包含有丙二醇苯醚,乙二醇甲醚,聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚,二乙二醇单己醚,四氢康醇,乙酸丁酯,丁内酯,吡咯烷酮,乙醇胺,丙二醇,丙三醇,聚乙二醇200，聚乙二醇600，聚乙二醇8000，聚乙二醇2W，乙二醇，乙醇，己二酸二辛酯苯甲醇；缓蚀剂包含有苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑；偶联剂包含有KH550，KH560。2.如权利要求1所述的芯片激光切割保护液，其特征在于：所述聚氧乙烯甘油醚为0.10千克，所述脂肪酸聚氧乙烯醚为0.10千克，所述椰子油脂肪酸二乙醇酰胺为0.10千克，所述吐温-80为0.10千克，所述司潘-80为0.10千克，所述油醇聚氧乙烯醚为0.10千克。3.如权利要求1所述的芯片激光切割保护液，其特征在于：所述吡咯烷酮为0.050千克，所述丁内酯为0.05千克，所述四氢康醇为0.05千克，所述丙三醇为0.05千克，所述乙二醇甲醚为0.050千克。4.如权利要求1所述的芯片激光切割保护液，其特征在于：所述聚乙二醇200为1千克，所述聚乙二醇600为1千克，所述聚乙二醇8000为1千克，所述聚乙二醇2W为1千克，所述乙二醇为1千克，所述乙醇为1千克，所述聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚为0.005千克；所述苯并三氮唑为0.05千克；所述KH550为0.05千克，所述KH560为0.05千克。5.一种如权利要求1所述芯片激光切割保护液制作工艺，其工艺流程为：先将已经制备好的中间体C混合液加入反应釜中，开启搅拌器，充分搅拌；然后，在反应釜中加入中间体B混合液，使得充分产生化学反应，反应时间为10分钟；然后，将中间体A混合液和1.59L体积的去离子水，缓缓加入...

【专利技术属性】
技术研发人员：关美英，关雯，关剑英，
申请(专利权)人：深圳市伯斯特科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44