晶圆清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种晶圆清洗装置，用于对晶圆进行清洗，该晶圆清洗装置包括：主体部；清洗部，清洗部可转动地安装在主体部上，清洗部具有清洗面，晶圆至少部分地可与清洗面接触，清洗部转动以对晶圆进行清洗；清理部，清理部设置在主体部上，清理部抵接在清洗部的清洗面上，用于对清洗部进行清理。工作人员将晶圆放入本发明专利技术的晶圆清洗装置中，并通过清洗部的旋转对晶圆进行清洗，具体为清洗部的清洗面旋转，从而对晶圆进行清洗。与此同时，清理部对清洗部进行清洗，以将清洗部上沾到的晶圆上的颗粒物等杂质清理掉，从而有效避免了粘附上颗粒物的清洗面在继续清洗晶圆时，在晶圆表面产生划伤或污染颗粒缺陷的现象的发生。

Wafer cleaning device

The invention provides a wafer cleaning device for cleaning wafers. The wafer cleaning device includes: the main part; the cleaning part, the cleaning part rotatably installed on the main part, the cleaning part has a cleaning surface, the wafer at least partially contacts the cleaning surface, and the cleaning part rotates to clean the wafer; the cleaning part, the cleaning part is arranged on the main part, and the cleaning part is connected with the cleaning part. On the cleaning surface of the cleaning section, it is used for cleaning the cleaning section. The worker puts the wafer into the wafer cleaning device of the invention, and cleans the wafer by rotating the cleaning part, specifically by rotating the cleaning surface of the cleaning part, thereby cleaning the wafer. At the same time, the cleaning section cleans the cleaning section to remove the particles and other impurities on the wafer which are contaminated by the cleaning section, thus effectively avoiding the scratches or contaminated particle defects on the wafer surface when the cleaning surface adheres to the particles continues to clean the wafer.

【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗装置
本专利技术涉及晶圆清洗设备
，具体而言，涉及一种晶圆清洗装置。
技术介绍
在集成电路制造工艺中，化学机械抛光(ChemicalMechanicalPlanarization,CMP)作为唯一能够实现全局平坦化的技术在实现器件的浅沟槽隔离(STI)和多层金属结构的互连等方面得到了广泛应用，成为半导体制造的主流关键技术之一。化学机械抛光技术主要通过化学及机械作用相互配合来实现材料表面的平坦化，因此在化学机械抛光制程中会引入大量的研磨液颗粒来增强机械作用力，在研磨过程中也会产生大量的残余颗粒，为了避免这些杂质颗粒对后道工艺造成污染或在晶圆表面产生划伤等缺陷，化学机械抛光后清洗变得十分必要，后清洗装置也是CMP机台中不可或缺的重要组成部分。随着芯片特征尺寸的不断缩小和芯片集成度的不断提高，对化学机械抛光后晶圆表面微粒缺陷的控制要求也越来越高。参见图1和图2所示，配置有双清洗毛刷的清洗槽广泛应用于化学机械抛光机台中，用以对抛光过的晶圆40进行清洗。在清洗过程中，晶圆上的研磨颗粒可能会粘附在清洗毛刷上，清洗槽上的颗粒物也有可能掉落污染清洗毛刷。粘附上颗粒物的清洗毛刷在继续清洗晶圆时，在晶圆表面产生划伤或污染颗粒缺陷。这种情况在清洗较软薄膜表面时尤为严重。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种晶圆清洗装置，以解决现有技术中的清洗槽的清洗毛刷不能被及时清理的问题。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种晶圆清洗装置，用于对晶圆进行清洗，该晶圆清洗装置包括：主体部；清洗部，清洗部可转动地安装在主体部上，清洗部具有清洗面，晶圆至少部分地可与清洗面接触，清洗部转动以对晶圆进行清洗；清理部，清理部设置在主体部上，清理部抵接在清洗部的清洗面上，用于对清洗部进行清理。进一步地，清洗部包括多个清洗辊刷，多个清洗辊刷之间的间隙形成清洗空间，每个清洗辊刷的清洗面均抵接在晶圆上。进一步地，清洗部还包括清洗驱动部，清洗驱动部安装在主体部上，清洗驱动部与多个清洗辊刷驱动连接，用于驱动多个清洗辊刷旋转。进一步地，清理部包括清理辊刷，清理辊刷可转动地设置在主体部上，清理辊刷的刷毛抵接在清洗部的清洗面上，清理辊刷的轴线方向与清洗辊刷的轴线方向平行。进一步地，清理辊刷为多个，多个清理辊刷和多个清洗辊刷一一对应地设置。进一步地，清理辊刷的轴线与清洗辊刷的轴线位于同一水平面上。进一步地，清理辊刷的轴线所在水平面高于清洗辊刷的轴线所在水平面。进一步地，清理辊刷的轴线位于清洗辊刷的正下方。进一步地，清理部包括清理立刷，清理立刷设置在清洗辊刷的底部，清理立刷的刷毛抵接在清洗部的清洗面上，清理立刷可沿清洗辊刷的长度方向运动。进一步地，清理部还包括导轨，清理立刷可移动地设置在导轨上，导轨的长度方向与清洗辊刷的长度方向相同。应用本专利技术的技术方案，工作人员将晶圆放入本专利技术的晶圆清洗装置中，并通过清洗部的旋转对晶圆进行清洗，具体为清洗部的清洗面旋转，从而对晶圆进行清洗。与此同时，清理部对清洗部进行清洗，以将清洗部上沾到的晶圆上的颗粒物等杂质清理掉，从而有效避免了粘附上颗粒物的清洗面在继续清洗晶圆时，在晶圆表面产生划伤或污染颗粒缺陷的现象的发生。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1示出了现有技术中的晶圆清洗设备的结构图；图2示出了现有技术中的晶圆清洗设备的侧视图；图3示意性示出了本专利技术的晶圆清洗装置的第一个实施例的结构图；图4示意性示出了本专利技术的晶圆清洗装置的第一个实施例的侧视图；图5示意性示出了本专利技术的晶圆清洗装置的第二个实施例的结构图；图6示意性示出了本专利技术的晶圆清洗装置的第二个实施例的侧视图；图7示意性示出了本专利技术的晶圆清洗装置的第三个实施例的结构图；图8示意性示出了本专利技术的晶圆清洗装置的第三个实施例的侧视图；图9示意性示出了本专利技术的晶圆清洗装置的第四个实施例的结构图；以及图10示意性示出了本专利技术的晶圆清洗装置的第四个实施例的侧视图。其中，上述附图包括以下附图标记：10、清洗部；11、清洗辊刷；20、清理部；21、清理辊刷；22、清理立刷；30、晶圆。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。正如
技术介绍
中所提到的，配置有双清洗毛刷的清洗槽广泛应用于化学机械抛光机台中，用以对抛光过的晶圆进行清洗。在清洗过程中，晶圆上的研磨颗粒可能会粘附在清洗毛刷上，清洗槽上的颗粒物也有可能掉落污染清洗毛刷。粘附上颗粒物的清洗毛刷在继续清洗晶圆时，在晶圆表面产生划伤或污染颗粒缺陷。这种情况在清洗较软薄膜表面时尤为严重。为了解决上述问题，参见图3至图10所示，本专利技术提供了一种晶圆清洗装置，该晶圆清洗装置包括主体部、清洗部10和清理部20，其中，清洗部10可转动地安装在主体部上，清洗部10具有清洗面，晶圆30至少部分地可与清洗面接触，清洗部10转动以对晶圆30进行清洗；清理部20设置在主体部上，清理部20抵接在清洗部10的清洗面上，用于对清洗部10进行清理。安装时，工作人员先将本专利技术中的清洗部10可转动地安装在主体部上，使清洗部的清洗面与晶圆的至少部分相接触，并将清理部20设置在主体部上，使清理部20抵接在清洗部10的清洗面上。工作时，工作人员将晶圆放入本专利技术的晶圆清洗装置中，并通过清洗部10的旋转对晶圆进行清洗，具体为清洗部10的清洗面旋转，从而对晶圆进行清洗。与此同时，清理部20对清洗部10进行清洗，以将清洗部10上沾到的晶圆上的颗粒物等杂质清理掉，从而有效避免了粘附上颗粒物的清洗面在继续清洗晶圆时，在晶圆表面产生划伤或污染颗粒缺陷的现象的发生。具体来说，本专利技术中的清洗部10包括多个清洗辊刷11，多个清洗辊刷11之间的间隙形成清洗空间，每个清洗辊刷11的清洗面均抵接在晶圆30上。安装时，多个清洗辊刷11安装在主体上，从而在多个清洗辊刷11之间形成清洗空间，工作时，多个清洗辊刷共同旋转以对晶圆进行清洗，提高了晶圆的清洗效率。同时，为了方便晶圆的清理，本专利技术中的晶圆在清洗空间中可旋转，优选地，本专利技术中的晶圆清洗装置还包括旋转轮和旋转电机，其中旋转轮抵接在晶圆的外周上，旋转电机与旋转轮驱动连接，工作时，旋转电机带动旋转轮旋转，旋转轮通过摩擦力带动晶圆，以实现晶圆的旋转。其中，本专利技术中的旋转轮优选为橡胶轮，当然，其他可以满足本专利技术中的旋转轮的功能的结构均可。为了进一步地提高本专利技术中的旋转轮驱动晶圆旋转地效果，本专利技术中的旋转轮的外壁上设置有凹凸结构，以增大旋转轮与晶圆外周之间的摩擦力。为了实现本专利技术中的清洗辊刷的旋转，本专利技术中的清洗部10还包括清洗驱动部，清洗驱动部安装在主体部上，清洗驱动部与多个清洗辊刷11驱动连接，用于驱动多个清洗辊刷11旋转。安装时，工作人员将本专利技术中的清洗驱动部的输出端与清洗辊刷驱动连接。工作时，工作人员通过控制清洗驱动部的工作，以使多个清洗辊刷11旋转，对晶圆进行清洗。其中，本专利技术中的清洗驱动部为驱动电机，安装时，工作人员将本专利技术中的驱动电机的输出端与清洗辊刷驱动连接。工作时，工作人员通过控制驱动电机的工作，以使多个清洗辊刷11旋转，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆清洗装置，用于对晶圆(30)进行清洗，其特征在于，包括：主体部；清洗部(10)，所述清洗部(10)可转动地安装在所述主体部上，所述清洗部(10)具有清洗面，所述晶圆(30)至少部分地可与所述清洗面接触，所述清洗部(10)转动以对所述晶圆(30)进行清洗；清理部(20)，所述清理部(20)设置在所述主体部上，所述清理部(20)抵接在所述清洗部(10)的所述清洗面上，用于对所述清洗部(10)进行清理。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，用于对晶圆(30)进行清洗，其特征在于，包括：主体部；清洗部(10)，所述清洗部(10)可转动地安装在所述主体部上，所述清洗部(10)具有清洗面，所述晶圆(30)至少部分地可与所述清洗面接触，所述清洗部(10)转动以对所述晶圆(30)进行清洗；清理部(20)，所述清理部(20)设置在所述主体部上，所述清理部(20)抵接在所述清洗部(10)的所述清洗面上，用于对所述清洗部(10)进行清理。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述清洗部(10)包括多个清洗辊刷(11)，多个所述清洗辊刷(11)之间的间隙形成清洗空间，每个所述清洗辊刷(11)的清洗面均抵接在所述晶圆(30)上。3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述清洗部(10)还包括清洗驱动部，所述清洗驱动部安装在所述主体部上，所述清洗驱动部与多个所述清洗辊刷(11)驱动连接，用于驱动多个所述清洗辊刷(11)旋转。4.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述清理部(20)包括清理辊刷(21)，所述清理辊刷(21)可转动地设置在所述主体部上，所述清理辊刷(21)的刷毛抵接在所述清洗部(10)的清洗面上，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王雷，刘鲁萍，
申请(专利权)人：中电海康集团有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33