有机发光二极管面板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种有机发光二极管面板及其制造方法。此有机发光二极管面板包括至少一像素，此像素包括一阳极层、一绝缘层、一发光材料层以及一参考电压层。阳极层配置于一透明基板上。绝缘层配置于阳极层上，具有一第一凹坑以及一第二凹坑，以分别暴露阳极层以及阴极层。第一凹坑内包括一空穴注入层以及一空穴传输层。空穴注入层配置于阳极层上。空穴传输层配置于空穴注入层上。第二凹坑内包括一阴极层、一电子注入层以及一电子传输层。阴极层配置于第二凹坑的底部上。电子注入层配置于阴极层上。电子传输层配置于该电子注入层上。参考电压层配置于第一凹坑与第二凹坑之间，且配置于发光材料层之下。

Organic Light Emitting Diode Panel and Its Manufacturing Method

The invention provides an organic light emitting diode panel and a manufacturing method thereof. The OLED panel includes at least one pixel, which includes an anode layer, an insulating layer, a light emitting material layer and a reference voltage layer. The anode layer is arranged on a transparent substrate. The insulating layer is arranged on the anode layer and has a first pit and a second pit to expose the anode layer and the cathode layer respectively. The first pit includes a cavity injection layer and a cavity transmission layer. The cavity injection layer is arranged on the anode layer. The cavity transport layer is arranged on the cavity injection layer. The second pit includes a cathode layer, an electron injection layer and an electron transport layer. The cathode layer is arranged on the bottom of the second pit. The electron injection layer is arranged on the cathode layer. The electron transport layer is disposed on the electron injection layer. The reference voltage layer is arranged between the first pit and the second pit, and is arranged below the luminescent material layer.

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管面板及其制造方法
本专利技术是关于一种有机发光二极管面板及其制造方法，特别是，本专利技术是关于一种平面式(In-Plane)有机发光二极管面板及其制造方法。
技术介绍
一般而言，有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)组件，其内部所蒸镀的有机材料层是采用垂直堆栈的结构。如图1所示，为现有技术的有机发光二极管组件的结构图。此有机发光二极管组件包括一玻璃基底100、一阳极层101、空穴注入层102、一空穴传输层103、一有机发光材料层104、一电子传输层105与一电子注入层106以及一阴极层107。图1上还标注了这些层的厚度。此现有技术中，存在了下列缺点：(1)因为所有的有机材料厚度相当薄，约阳极与阴极之间容易短路，造成有机发光二极管显示器有点缺陷、异常大电流及生产良率降低等问题。(2)若做成底部发光(BottomEmission)结构，受限于薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)的玻璃基板的开口率低，有亮度不足问题。(3)若做成顶部发光(TopEmission)必须找到阴极的材料要有高透明度及高导电度的限制。又，阴极材料一般是金属，若做的太薄，造成阻抗过高，若做的过厚，造成发光效率不高。图2为现有技术的白光有机发光二极管组件的结构图。请参考图2，标号201是白光有机发光二极管组件的等效电路图。在现有技术中，白光有机发光二极管组件是利用红色、绿色、蓝色三个颜色的有机发光二极管组件垂直堆栈在一起。由于三个有机发光二极管201是串联，因此，在应用时，所须的外加电压也必须跟着提高数倍。另外，现今的有机发光二极管材料的发光效率取决于流经发光材料层的大小，但是，往往不同颜色的发光材料层的材料最佳的发光效率所需的电流大小也不同，采用串联结构(垂直堆栈)流经每层的电流大小是相同的，很难取得一个电流值是适用于所有颜色的最佳发光效率。故容易导致白光色偏。再者，在制造传统串联式有机发光二极管时，必须将所有有机材料一层一层的蒸镀上去，如此，制造成本将随堆栈层数增加而跟着提高。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种有机发光二极管面板及其制造方法，用以改变现有有机发光二极管的架构，达到发光效率高、提升生产良率，且减低电路复杂度等。有鉴于此，本专利技术提供一种有机发光二极管面板，此有机发光二极管面板包括至少一像素，其中，此像素包括一阳极层、一第一绝缘层、一阴极层、一第二绝缘层、一第一凹坑、一第二凹坑、一参考电压层、一空穴注入层、一空穴传输层、一电子注入层、一电子传输层以及一发光材料层。阳极层配置于一透明基板上。第一绝缘层配置于阳极层上。阴极层配置该第一绝缘层上。第二绝缘层配置于阴极层上。第一凹坑贯穿第一绝缘层及第二绝缘层，以暴露该阳极层。第二凹坑贯穿第二绝缘层，以暴露该阴极层。参考电压层配置在第一凹坑与第二凹坑之间。在一实施中，第三绝缘层配置于第二绝缘层上，并覆盖参考电压层。空穴注入层配置于第一凹坑内，且配置于阳极层上。空穴传输层配置于第一凹坑内，且配置于空穴注入层上。电子注入层配置于第二凹坑内，且配置于阴极层上。电子传输层配置于第二凹坑内，且配置于电子注入层上。发光材料层配置于空穴传输层、电子传输层和第二绝缘层上，其中，阴极层、阳极层以及参考电压层构成三端点有机发光二极管。依照本专利技术较佳实施例所述的有机发光二极管面板，上述像素更包括一薄膜晶体管以及一电容。薄膜晶体管包括一闸极、一第一源汲极以及一第二源汲极，其中，薄膜晶体管的闸极耦接一扫描线，薄膜晶体管的第一源汲极耦接一数据线，薄膜晶体管的第二源汲极耦接该参考电压层。电容包括一第一端以及一第二端，其中，电容的第一端耦接该薄膜晶体管的第二源汲极，电容的第二端耦接一共接电压。另外，在一较佳实施例中，参考电压层的材料为一金属导体。再者，在一较佳实施例中，参考电压层的电压用以控制透过发光材料层由阳极层流向阴极层的一电流的大小与该电流流过发光材料层的电流大小。依照本专利技术较佳实施例所述的有机发光二极管面板，上述像素更包括一低阻抗导体层，配置于该发光材料层上，经由电流的分流，避免有机发光二极管像素的崩溃。在另一实施例中，藉由将发光材料层进行掺杂杂质，例如施体(Donor)杂质或受体(Acceptor)杂质，避免流经发光材料层的电流过度偏向下侧，避免有机发光二极管像素的崩溃。本专利技术另外提供一种有机发光二极管面板的制造方法，此有机发光二极管面板的制造方法包括下列步骤：在一透明基板上，依序形成一阳极层、一第一绝层、一阴极层、一第二绝缘层、一参考电压层；对第一绝缘层、第二绝缘层进行蚀刻，产生一第一凹坑以及一第二凹坑，分别暴露上述阳极层和上述阴极层，其中，参考电压层配置在第一凹坑以及第二凹坑之间；在第一凹坑内蒸镀一空穴注入层，其中，空穴注入层配置于阳极层上；在空穴注入层上蒸镀一空穴传输层；在阴极层上蒸镀一电子注入层；在电子注入层上蒸镀一电子传输层；在空穴传输层、电子传输层和绝缘层上蒸镀一发光材料层；以及在发光材料层上配置一低阻抗有机材料、透明导电层或薄金层。依照本专利技术较佳实施例所述的有机发光二极管面板的制造方法，上述发光材料层是混和至少两种不同颜色的有机发光材料。再者，在一较佳实施例中，阳极层包含由掺杂锡的氧化铟的材料所构成。依照本专利技术较佳实施例所述的有机发光二极管面板的制造方法，更包括下列步骤：在该发光材料层上配置一低阻抗导体层，藉由电流的分流，避免有机发光二极管像素的崩溃。在另一实施例中，有机发光二极管面板的制造方法，更包括下列步骤：对该发光材料层进行杂质掺杂，例如施体(Donor)杂质或受体(Acceptor)杂质。藉此，让上层发光子材料层的导电载子浓度高于下层发光子材料层的导电载子浓度，避免电流只往最低处流，避免有机发光二极管像素的崩溃。本专利技术的精神在于利用改变有机发光二极管面板的像素的架构，将原本垂直堆栈制程的有机发光二极管像素，改为平面(In-Plane)制程，增加开口率，并且在绝缘层之间，嵌入一层参考电压层，藉由此参考电压层，控制发光材料层上的电流路径，让有机发光二极管像素可以达到类似三端组件的控制模式，藉此，若以此改良的有机发光二极管像素实施成为主动矩阵面板，每一个像素可以减少一个薄膜晶体管的使用。如此，将大大减少制程与电路控制复杂度，同时也降低了制造成本。再者，由于参考电压层是埋在发光材料层下方，故能增加发光效率，且参考电压层的使用材料可以更加多元化。为让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。附图说明图1为现有技术的有机发光二极管组件的结构图。图2为现有技术的白光有机发光二极管组件的结构图。图3为本专利技术一较佳实施例的有机发光二极管面板中像素的结构图。图4为本专利技术一较佳实施例的有机发光二极管面板中像素的发光材料层308的结构示意图。图5为本专利技术一较佳实施例的有机发光二极管面板中像素的结构示意图。图6为本专利技术一较佳实施例的有机发光二极管面板中像素的等效电路图。图7为图4的有机发光二极管面板中像素的制作方法的流程图。图7A为有机发光二极管面板中像素的制作方法的步骤S701的示意图。图7B为有机发光二极管面板中像素的制作方法的步骤S702的示意图。图7C为有机发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管面板，包括：至少一像素；其特征在于，该像素包括：一阳极层，配置于一透明基板上；一第一绝缘层(insulator)，配置于该阳极层上；一阴极层，配置于该第一绝缘层上；一第二绝缘层，配置于该阴极层上；一第一凹坑，贯穿该第一绝缘层及该第二绝缘层，以暴露该阳极层；一第二凹坑，贯穿该第二绝缘层，以暴露该阴极层；一参考电压层，配置在该第一凹坑与该第二凹坑之间；一空穴注入层，配置于该第一凹坑内，且配置于该阳极层上；一空穴传输层，配置于该第一凹坑内，且配置于该空穴注入层上；一电子注入层，配置于该第二凹坑内，且配置于该阴极层上；一电子传输层，配置于该第二凹坑内，且配置于该电子注入层上；以及一发光材料层，配置于该电子注入层以及该电子传输层上，其中，该阴极层、该阳极层以及该参考电压层构成三端点有机发光二极管。

【技术特征摘要】
2017.06.30 CN 20171052118011.一种有机发光二极管面板，包括：至少一像素；其特征在于，该像素包括：一阳极层，配置于一透明基板上；一第一绝缘层(insulator)，配置于该阳极层上；一阴极层，配置于该第一绝缘层上；一第二绝缘层，配置于该阴极层上；一第一凹坑，贯穿该第一绝缘层及该第二绝缘层，以暴露该阳极层；一第二凹坑，贯穿该第二绝缘层，以暴露该阴极层；一参考电压层，配置在该第一凹坑与该第二凹坑之间；一空穴注入层，配置于该第一凹坑内，且配置于该阳极层上；一空穴传输层，配置于该第一凹坑内，且配置于该空穴注入层上；一电子注入层，配置于该第二凹坑内，且配置于该阴极层上；一电子传输层，配置于该第二凹坑内，且配置于该电子注入层上；以及一发光材料层，配置于该电子注入层以及该电子传输层上，其中，该阴极层、该阳极层以及该参考电压层构成三端点有机发光二极管。2.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该参考电压层的材料为一金属导体。3.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该像素更包括：一薄膜晶体管，包括一闸极、一第一源汲极以及一第二源汲极，其中，该薄膜晶体管的闸极耦接一扫描线，该薄膜晶体管的第一源汲极耦接一数据线，该薄膜晶体管的第二源汲极耦接该参考电压层；以及一电容，包括一第一端以及一第二端，其中，该电容的第一端耦接该薄膜晶体管的第二源汲极，该电容的第二端耦接一共接电压。4.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该参考电压层的电压控制透过该发光材料层由该阳极层流向该阴极层的一电流的大小与该电流流过该发光材料层的电流路径。5.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该发光材料层覆盖该第一凹坑及该第二凹坑。6.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该发光材料层是混和至少两种不同色的有机发光材料。7.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该像素更包括：一低阻抗导体层，配置于该发光材料层上。8.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该发光材料层更包括：施体(Donor)杂质，藉由掺杂制程配置在发光材料层，增加该发光材料层上层的导电性。9.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该发光材料层更包括：受体(Acceptor)杂质，藉由掺杂制程配置在发光材料层，增加该发光材料层上层的导电性。10.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该参考电压层和该阴极层位于同一层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊富，
申请(专利权)人：敦泰电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71