一种籽晶托及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种籽晶托及其制备方法，涉及晶体制备技术领域。一种籽晶托，包括相互连接的底座和夹持组件，底座与夹持组件共同限定形成用于夹持籽晶的籽晶夹持槽。籽晶固定后位于底座与夹持组件之间，且籽晶远离底座的一侧能与夹持组件共同限定形成空腔。籽晶靠近底座的一侧能从底座露出以供晶体生长。由于籽晶与籽晶托的直接接触面积较小，籽晶也不与坩埚直接接触，使得获得的晶体各部分质量更为均一，获得的晶体的开裂几率更小。一种籽晶托的制备方法，包括：对表面带有二氧化硅的底座、夹持组件依次进行表面活化处理、亲水处理。表面活化处理的功率为60‑100w，氧气流量为60‑100ml/min，活化时间为20‑40分钟。

【技术实现步骤摘要】
一种籽晶托及其制备方法
本专利技术涉及晶体制备
，具体而言，涉及一种籽晶托及其制备方法。
技术介绍
气相晶体生长法是一种常用的晶体生长法，在ZnO、ZnSe、CdS等多种II-VI族化合物半导体单晶的生长中有重要应用。该方法通过加热使生长原料气化，利用温度场和气流将气相组分输运到坩埚低温端进行晶体生长。利用这种方法生长出的单晶体成分均一性、纯度和结晶质量较好，适合制作高品质的光电子器件。在气相晶体生长法中，往往在晶体生长区加入籽晶以提高单晶生长的成晶率。即在坩埚中晶体生长区域预先放置具有一定形状的单晶体做为籽晶，使源区物质气相输运到籽晶表面外延生长出新的单晶体。在籽晶气相生长法中，籽晶在坩埚中的放置和固定状态是籽晶气相法的关键技术要点，极大的影响获得的晶体的质量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种籽晶托，在籽晶气相生长法中，该籽晶托能够提高所获得的晶体的质量。本专利技术的另一目的在于提供一种上述籽晶托的制备方法，其能够将籽晶和籽晶托良好地固定在一起，便于晶体的稳定生长。本专利技术的实施例是这样实现的：一种籽晶托，用于夹持籽晶，其包括相互连接的底座和夹持组件。底座与夹持组件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种籽晶托，用于夹持籽晶，其特征在于，包括相互连接的底座和夹持组件，所述底座与所述夹持组件共同限定形成用于夹持所述籽晶的籽晶夹持槽，所述籽晶位于所述底座与所述夹持组件之间，且所述籽晶远离所述底座的一侧能与所述夹持组件共同限定形成空腔，所述籽晶靠近所述底座的一侧能从所述底座露出。

【技术特征摘要】
1.一种籽晶托，用于夹持籽晶，其特征在于，包括相互连接的底座和夹持组件，所述底座与所述夹持组件共同限定形成用于夹持所述籽晶的籽晶夹持槽，所述籽晶位于所述底座与所述夹持组件之间，且所述籽晶远离所述底座的一侧能与所述夹持组件共同限定形成空腔，所述籽晶靠近所述底座的一侧能从所述底座露出。2.根据权利要求1所述的籽晶托，其特征在于，所述底座设有第一通孔，部分所述籽晶能从所述第一通孔露出。3.根据权利要求2所述的籽晶托，其特征在于，所述夹持组件包括相互连接的第一固定件和第二固定件，所述第一固定件设有用于容纳所述籽晶的第二通孔，所述第一固定件与所述底座通过二氧化硅层键合连接。4.根据权利要求3所述的籽晶托，其特征在于，所述第一固定件远离所述底座的一侧与所述第二固定件通过二氧化硅层键合连接。5.根据权利要求3所述的籽晶托，其特征在于，所述第二固定件包括相互连接的支撑件和连接件，所述连接件设有第三通孔使得所述籽晶与所述支撑件之间能共同限定形成所述空腔。6.根据权利要求5所述的籽晶托，其特征在于，所述支撑件的一侧与所述连接件通过二氧化硅层键合连接，所述支撑件的另一侧与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊龙，彭丽萍，王雪敏，吴卫东，蒋涛，沈昌乐，湛治强，张颖娟，李佳，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心，
类型：发明
国别省市：四川,51