一种提高原料使用效率的SiC单晶生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种提高原料使用效率的SiC单晶生长装置，包括生长腔和石墨软毡保温层，生长腔的上端连接有密封法兰，密封法兰的中心位置连接有测温窗口，生长腔的外壁上套有感应线圈，生长腔的内部安装有石墨坩埚，石墨软毡保温层包括外侧石墨软毡保温层、底部石墨软毡保温层和上部石墨软毡保温层。本提高原料使用效率的SiC单晶生长装置，设计在石墨坩埚内侧底部中间放置一个石墨圆柱体来取代碳化硅粉末的摆放空间，减少碳化硅粉末需要的使用空间，以便降低碳化硅粉末使用重量，同时在石墨坩埚内设有阻隔件，保证晶体生长区内的温度、压力等生长条件保持稳定，提高碳化硅单晶的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种提高原料使用效率的SiC单晶生长装置
本技术涉及碳化硅单晶生长
，具体为一种提高原料使用效率的SiC单晶生长装置。
技术介绍
碳化硅单晶材料属于第三代宽带隙半导体材料的代表，具有宽禁带、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力等特点，将有望突破第一、二代半导体材料应用技术的发展瓶颈，主要应用在半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器以及其他等领域。目前碳化硅单晶生长以物理气相沉积法(PVT)为主要生长方式，其难度非常高，必须在2100℃以上温度与低压环境下将碳化硅粉末直接升华成气体，并沿着温度梯度从高温区传输到较低温度区域的籽晶处沉积结晶。目前碳化硅原料能够升华生成碳化硅单晶的位置集中在靠近坩埚壁内测的高温区域，以及原料摆的放上半部20％左右的区域，这些区域的反应重量比例不到50％，其余中下位置原料区域都无法有效的使用到。而且高温反应过的原料也无法回收再次使用，导致原料严重的浪费。因此设计一种生长装置，能够减少原料的放置重量，而且能够升华生成的单晶重量却不会减少，因而提高了原料使用效率。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种提高原料使用效率的SiC单晶生长装置，具有原材料使用效率高，碳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高原料使用效率的SiC单晶生长装置，包括生长腔(1)和石墨软毡保温层(4)，其特征在于：所述生长腔(1)的上端连接有密封法兰(11)，密封法兰(11)的中心位置连接有测温窗口(12)，生长腔(1)的外壁上套有感应线圈(2)，生长腔(1)的内部安装有石墨坩埚(3)，所述石墨软毡保温层(4)包括外侧石墨软毡保温层(41)、底部石墨软毡保温层(42)和上部石墨软毡保温层(43)，外侧石墨软毡保温层(41)的两端分别连接底部石墨软毡保温层(42)和上部石墨软毡保温层(43)，外侧石墨软毡保温层(41)包裹石墨坩埚(3)的外壁，底部石墨软毡保温层(42)包裹石墨坩埚(3)的外侧底部，上部石墨软...

【技术特征摘要】
1.一种提高原料使用效率的SiC单晶生长装置，包括生长腔(1)和石墨软毡保温层(4)，其特征在于：所述生长腔(1)的上端连接有密封法兰(11)，密封法兰(11)的中心位置连接有测温窗口(12)，生长腔(1)的外壁上套有感应线圈(2)，生长腔(1)的内部安装有石墨坩埚(3)，所述石墨软毡保温层(4)包括外侧石墨软毡保温层(41)、底部石墨软毡保温层(42)和上部石墨软毡保温层(43)，外侧石墨软毡保温层(41)的两端分别连接底部石墨软毡保温层(42)和上部石墨软毡保温层(43)，外侧石墨软毡保温层(41)包裹石墨坩埚(3)的外壁，底部石墨软毡保温层(42)包裹石墨坩埚(3)的外侧底部，上部石墨软毡保温层(43)的中心位置开设有测温孔(44)，所述石墨坩埚(3)的上端安装有石墨盖(31)，石墨盖(31)的上表面覆盖有上部石墨软毡保温层(43)，石墨盖(31)的内侧中心位置粘合有籽晶片(5)，石墨坩埚(3)的内部底面中心位置放置有石墨圆柱体(6)，石墨圆柱体(6)一周的石墨坩埚(3)内放置有碳化硅粉末(7)，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖弘基，张洁，陈华荣，
申请(专利权)人：福建北电新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35