温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型公开了一种提高原料使用效率的SiC单晶生长装置，包括生长腔和石墨软毡保温层，生长腔的上端连接有密封法兰，密封法兰的中心位置连接有测温窗口，生长腔的外壁上套有感应线圈，生长腔的内部安装有石墨坩埚，石墨软毡保温层包括外侧石墨软毡保温层...
该专利属于福建北电新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建北电新材料科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。