一种新式调整变压器阻抗的方法技术

技术编号:20078426 阅读:32 留言:0更新日期:2019-01-15 01:40
本发明专利技术公开了一种新式调整变压器阻抗的方法,包括以下步骤:S1:设定变压器的外线圈的电抗高度为h2,内线圈电抗高度为h1,其中h1>h2;S2:计算

A New Method of Adjusting Transformer Impedance

The invention discloses a novel method for adjusting transformer impedance, which includes the following steps: S1: setting the reactance height of the outer coil of the transformer to h2, and the reactance height of the inner coil to h1, in which H1 > h2; S2: calculation

【技术实现步骤摘要】
一种新式调整变压器阻抗的方法
本专利技术涉及电力自动化
,具体来说,涉及一种新式调整变压器阻抗的方法。
技术介绍
变压器阻抗(短路阻抗),变压器在二次侧短路时,仅由绕组自身的阻抗来限制短路电流,故也称短路阻抗绕组的阻抗是变压器的一个重要参数,它在很大程度上决定着变压器的技术经济指标,绕组的阻抗取决与绕组自身的匝数和几何尺寸。绕组的阻抗包括电阻和电抗两个部分,绕组的电抗比电阻大很多。一般接地变压器高压容量是低压容量的几倍,按照常规高低压线圈的排布,就是高压线圈与低压线圈的电抗高度在基本一致,为了满足国家要求的阻抗标准,导致得到的变压器中高低压匝数很多,同时在该变压器生产过程中,要通过调整匝数来调整变压器阻抗,这样就会造成成本很高,经济性不好。针对相关技术中的问题,目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
针对相关技术中的问题,本专利技术提出一种新式调整变压器阻抗的方法,以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。本专利技术的技术方案是这样实现的:一种新式调整变压器阻抗的方法,包括以下步骤:S1:设定变压器的外线圈的电抗高度为h2,内线圈电抗高度为h1,其中h1>h2;S2:计算S3:将变压器的外线圈和外线圈产生的漏磁场分解为以下两个分量:轴向漏磁场所构成的纵向分量和由径向漏磁场锁构成的横向分量;S4:用线圈A和线圈B代替变压器的外线圈和外线圈:线圈A为具有均匀分布的磁势并产生轴向漏磁场的线圈,线圈B为匝数等于的交错式线圈的一个单元;S5:计算线圈A的感抗X1和线圈B的感抗X2;S6:接地变压器阻抗Xk=X1+X2;S7:接入系数P为抽头点电压与端电压的比其中Vab<Vdb;进一步的,所述步骤S5中,线圈A的感抗X1的计算如下:式中其中f为频率,μ0为磁导率,ω为匝数,P1为洛氏系数,D12为主空道平均直径,δ为漏磁长度,h1为低压线圈电抗高度,b1为低压线圈辐向厚,b2为高压线圈辐向厚,δ12为主空道辐向尺寸。进一步的,所述步骤S5中,线圈B的感抗X2的计算如下:其中,ρ2为洛氏系数,τ1为电抗高度。进一步的,所述步骤S7中,接入系数P的计算如下:其中N为匝数。本专利技术的有益效果:通过改变电抗高度,能大幅调整阻抗电压,这样就会减低成本,提高产品的经济性,而且对两种不同联结组别配电变压器零序阻抗计算结果与实测值相比,误差在±10%之内,计算结果可满足运行实际需求,实现配电变压器零序阻抗在线计算,而不需要通过试验方法获取,实用性强。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是根据本专利技术实施例的一种新式调整变压器阻抗的方法的流程示意图;图2是根据本专利技术实施例的一种新式调整变压器阻抗的方法的等值电路图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。根据本专利技术的实施例,提供了一种新式调整变压器阻抗的方法。如图1-2所示,根据本专利技术实施例的新式调整变压器阻抗的方法,包括以下步骤:S1:设定变压器的外线圈的电抗高度为h2,内线圈电抗高度为h1,其中h1>h2;S2:计算S3:将变压器的外线圈和外线圈产生的漏磁场分解为以下两个分量:轴向漏磁场所构成的纵向分量和由径向漏磁场锁构成的横向分量;S4:用线圈A和线圈B代替变压器的外线圈和外线圈:线圈A为具有均匀分布的磁势并产生轴向漏磁场的线圈,线圈B为匝数等于的交错式线圈的一个单元;S5:计算线圈A的感抗X1和线圈B的感抗X2;S6:接地变压器阻抗Xk=X1+X2;S7:接入系数P为抽头点电压与端电压的比其中Vab<Vdb在一个实施例中,所述步骤S5中,线圈A的感抗X1的计算如下:式中其中f为频率,μ0为磁导率,ω为匝数,P1为洛氏系数,D12为主空道平均直径,δ为漏磁长度,h1为低压线圈电抗高度,b1为低压线圈辐向厚,b2为高压线圈辐向厚,δ12为主空道辐向尺寸。在一个实施例中,所述步骤S5中,线圈B的感抗X2的计算如下:其中,ρ2为洛氏系数,τ1为电抗高度。在一个实施例中,所述步骤S7中,接入系数P的计算如下:其中N为匝数。综上所述,借助于本专利技术的上述技术方案,通过改变电抗高度,能大幅调整阻抗电压,这样就会减低成本,提高产品的经济性,而且对两种不同联结组别配电变压器零序阻抗计算结果与实测值相比,误差在±10%之内,计算结果可满足运行实际需求,实现配电变压器零序阻抗在线计算,而不需要通过试验方法获取,实用性强。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已,并不用以限制本专利技术,凡在本专利技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新式调整变压器阻抗的方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:设定变压器的外线圈的电抗高度为h2,内线圈电抗高度为h1,其中h1>h2;S2:计算

【技术特征摘要】
1.一种新式调整变压器阻抗的方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:设定变压器的外线圈的电抗高度为h2,内线圈电抗高度为h1,其中h1>h2;S2:计算S3:将变压器的外线圈和外线圈产生的漏磁场分解为以下两个分量:轴向漏磁场所构成的纵向分量和由径向漏磁场锁构成的横向分量;S4:用线圈A和线圈B代替变压器的外线圈和外线圈:线圈A为具有均匀分布的磁势并产生轴向漏磁场的线圈,线圈B为匝数等于的交错式线圈的一个单元;S5:计算线圈A的感抗X1和线圈B的感抗X2;S6:接地变压器阻抗Xk=X1+X2;S7:接入系数P为抽头点电压与端电压的比其中Vab<Vdb...

【专利技术属性】
技术研发人员:戴林书
申请(专利权)人:合肥多元节电科技有限公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

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