一种宽带太赫兹波调制器、制备方法及调制系统技术方案

本发明专利技术提出一种宽带太赫兹调制系统，包括第一激光发射器、第二激光发射器、太赫兹波发射器和调制器，第一激光发射器发出第一激光束照射到调制器的一面并形成第一光斑；第二激光发射器发出第二激光束照射到调制器的另一面并形成第二光斑；太赫兹波发射器发出太赫兹波入射到调制器的其中一面并形成第三光斑；第三光斑与所述第一光斑或第二光斑至少部分重叠。本发明专利技术用两束激光分别照射样片两个表面，光热效应使相变材料二氧化钒由绝缘态向金属态转变，从而实现对太赫兹波透射强度的大深度调制。本发明专利技术能在较低的光功率下可实现宽频、大深度和快速调制，该方法制作的太赫兹调制器在未来快速全光控制的太赫兹通信中具有重要的应用价值。

A Broadband Terahertz Wave Modulator, Its Preparation Method and Modulation System

The invention provides a broadband terahertz modulation system, which includes a first laser emitter, a second laser emitter, a terahertz wave emitter and a modulator. The first laser emitter emits a first laser beam to one side of the modulator and forms a first spot; the second laser emitter emits a second laser beam to the other side of the modulator and forms a second spot; The device emits terahertz waves to one side of the modulator and forms a third spot, which overlaps at least partially with the first spot or the second spot. The invention uses two laser beams to irradiate two surfaces of the sample respectively, and the photothermal effect changes the phase change material vanadium dioxide from insulating state to metallic state, thereby realizing deep modulation of terahertz wave transmission intensity. The invention can realize broadband, deep and fast modulation at low optical power. The terahertz modulator made by the method has important application value in future fast all-optical controlled terahertz communication.

【技术实现步骤摘要】
一种宽带太赫兹波调制器、制备方法及调制系统
本专利技术涉及太赫兹
，特别涉及一种宽带太赫兹波调制器、制备方法及调制系统。
技术介绍
太赫兹(Terahertz：THz)波通常是指频率在0.1THz-10THz范围内的电磁波。由于太赫兹波具有穿透性强、光子能量低、频带宽和物质指纹谱等特性，使其在机场安检、生物医学、宽带通信等领域具有巨大的应用潜力。太赫兹波强度调制是太赫兹技术应用中必不可少环节，而当前的太赫兹波强度调制方法不利于太赫兹技术的推广应用。太赫兹波强度调制方法通常分为电控调制、光控调制、温控调制、磁调制和机械调制等。电控调制方法与集成电路工艺兼容性大，易集成，但是工艺比较繁琐。温控调制方法响应速度慢，而且受工作环境影响比较大。机械调制方法和磁调制方法的调制速度也比较慢，器件尺寸大，而且不易操作。光控调制方法的调制速度快、操作方便，成为快速调制太赫兹波的一种理想方案。目前，基于光调制的太赫兹调制器大多采用石墨烯和氧化钒材料，由于石墨烯的光调制深度低，不能满足许多对调制深度要求较高的应用领域。氧化钒因为在68摄氏度左右具有很好的绝缘体-金属相变特性，成为光控太赫兹调制器的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种宽带太赫兹波调制器的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：分别在基底两面旋涂一层二氧化钒薄膜层。

【技术特征摘要】
1.一种宽带太赫兹波调制器的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：分别在基底两面旋涂一层二氧化钒薄膜层。2.根据权利要求1所述的一种宽带太赫兹波调制器的制备方法，其特征在于，所述二氧化钒薄膜层，是通过在基底上旋涂二氧化钒溶液而形成。3.根据权利要求1所述的一种宽带太赫兹波调制器的制备方法，其特征在于，所述基底为高阻硅，所述高阻硅的厚度为300μm-700μm，阻值大于3000欧姆.厘米。4.根据权利要求2所述的一种宽带太赫兹波调制器的制备方法，其特征在于，所述二氧化钒薄膜层的厚度为50nm-2000nm。5.根据权利要求3所述的一种宽带太赫兹波调制器的制备方法，其特征在于，所述二氧化钒薄膜层是在80-300摄氏度下退火5-30分钟形成于基底上。6.一种宽带太赫兹波调制器，其特征在于，由权利要求1～5任意一项所述的方法制备而成。7.一种宽带太赫兹波调制系统，其特征在于，该系统包...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡放荣，王红，江明珠，张文涛，银珊，熊显名，陈元枝，陈涛，韩家广，王月娥，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：广西,45