一种带有漏感能量吸收电路的反激式电源电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带有漏感能量吸收电路的反激式电源电路，包括第一电容、第二电容、二极管、开关管、变压器和漏感能量吸收电路，所述漏感能量吸收电路包括第一电阻、第二电阻、高开启MOS器件和二极管D2，所述高开启MOS器件的栅极与第一电阻一端连接，所述高开启MOS器件源极与所述二极管的正极连接，所述第二电阻串联在高开启MOS器件漏极和第一电阻的另一端之间，所述第一电阻的另一端和二极管的负极分别与变压器的初级线圈的两端连接，所述第二电阻的另一端与开关管的漏极连接，所述第一电容一端和第二电容一端均与所述二极管的负极连接，线路简单，使用元器件少；EMI可以得到优化；使得反激式电源电路中开关管漏极电压控制在一定范围。

【技术实现步骤摘要】
一种带有漏感能量吸收电路的反激式电源电路
本技术属于中小功率电源线路领域领域，具体涉及一种带有漏感能量吸收电路的反激式电源电路。
技术介绍
在开关电源线路中,反激式电源由于成本低,外围元件少，低耗能，适用于宽电压范围输入,可多组输出的特点。在中小功率中反激式电源占了大部分。几乎常见的消费类产品电源(如手机、电视等)全是反激式电源。如图1所示，是现有的反激式电源的RCD吸收部分线路图(椭圆圈起来的部分)：由于变压器T1漏感的存在，反激变换器在开关管关断瞬间会产生很大的尖峰电压，使得开关管承受较高的电压应力，严重时可能导致开关管损坏。因此，一般会引入RCD钳位电路确保反激变换器安全可靠工作。在开关管关闭的过程中，由于漏感存在，A点电压会快速升高，此时D1打开，通过电阻R1,R2给电容C3充电，B点电压升高。以此来泄放漏感能量。在漏感能量泄放完成后，电容C3上的能量通过R3逐步放电泄放，B点电压逐步降低。一般这个过程要求在一个周期内完成，在开关管下一个开通-关闭过程中重复下一次保护。但是RCD钳位电路在吸收漏感能量的时候，同时也会吸收变压器T1中的一部分储能，所以RCD钳位电路参数的选择需要大量试验调试匹配。否则会影响EMI、效率、二极管温升、开关管保护。由于变压器漏感、二极管等个体差异会导致，即使实验室测试没问题，在生产上也容易产生不能满足EMI、效率、二极管温升、开关管保护的产品。
技术实现思路
本技术的目的在于提供了一种带有漏感能量吸收电路的反激式电源电路，线路简单，使用元器件少；EMI可以得到优化；使得反激式电源电路中开关管漏极电压控制在一定范围。为达上述目的，本技术的主要技术解决手段是提供一种带有漏感能量吸收电路的反激式电源电路，包括第一电容、第二电容、二极管、开关管、变压器和漏感能量吸收电路，所述漏感能量吸收电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、高开启MOS器件和二极管D2，所述高开启MOS器件的栅极与第一电阻R1一端连接，所述高开启MOS器件源极与所述二极管的正极连接，所述第二电阻R2串联在高开启MOS器件漏极和第一电阻R1的另一端之间，所述第一电阻R1的另一端和二极管的负极分别与变压器的初级线圈的两端连接，所述第一电阻R1的另一端与开关管的漏极连接，所述第一电容一端和第二电容一端均与所述二极管的负极连接，所述第一电容另一端和第二电容另一端连接后与所述二极管的负极一起作为反激式电源电路的输入端，所述第一电容另一端和第二电容另一端之间连接有电感器。所述第一电阻R1的阻值范围为0～100KΩ。第二电阻R2的阻值范围为1～1000Ω.所述高开启MOS器件的电压大于60V。附图说明图1是现有反激式电源电路图，图2是本技术一实施例的电路图，图中，第一电容C1、第二电容C2、第一电阻R1、第二电阻R2、二极管D2、变压器T1、电感L1。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本领域技术人员应理解的是，在本技术的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本技术的限制。可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，该元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。如图2所示，本实施例所描述的一种带有漏感能量吸收电路的反激式电源电路，包括第一电容C1、第二电容C2、二极管D2、开关管、变压器T1和漏感能量吸收电路，所述漏感能量吸收电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、高开启MOS器件和二极管D2，所述高开启MOS器件的栅极与第一电阻R1一端连接，所述高开启MOS器件源极与所述二极管D2的正极连接，所述第二电阻R2串联在高开启MOS器件漏极和第一电阻R1的另一端之间，所述第一电阻R1的另一端和二极管D2的负极分别与变压器T1的初级线圈的两端连接，所述第一电阻R1的另一端与开关管的漏极连接，所述第一电容C1一端和第二电容C2一端均与所述二极管D2的负极连接，所述第一电容C1另一端和第二电容C2另一端连接后与所述二极管D2的负极一起作为反激式电源电路的输入端，所述第一电容C1另一端和第二电容C2另一端之间连接有电感L1器，所述开关管的源极接地，所述开关管的栅极作为IC输入端。所述第一电阻R1的阻值范围为0～100KΩ，第二电阻R2的阻值范围为1～1000Ω.所述高开启MOS器件的电压大于60V。原理如图2所示:第一电阻R1、第二电阻R2和开关管通过A点连接、高开启MOS通过B点与二极管连接，二极管通过C点与变压器连接，当开关管导通时，C点电压高于A点电压，此时通过二极管D2进行电压阻断。随着开关管关闭，A点电压逐步上升并超过C点电压。当AB电压达Q1MOS的开启电压时，Q1MOS开启，变压器T1漏感能量通过R2、Q1MOS、D2泄放。Q1MOS开关速度比较快，可以理解为快速开关，通过采用高开启的MOS器件,可以大力改善EMI的问题，同时线路设计简单，又能达到理想的效率和开关管保护。其中R1,R2的取值比较宽，尤其R1,可以从0～100KΩ。。MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsicsilicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gatedielectric(栅介质)，将绝缘氧化层gatedielectric(栅介质)加厚，可将电压为2-5V的mos变为电压大于100V的高开启mos，该做法为同领域人员熟知的行业知识，是现有技术。本技术不局限于上述最佳实施方式，任何人在本技术的启示下都可得出其他各种形式的产品，但不论在其形状或结构上作任何变化，凡是具有与本申请相同或相近似的技术方案，均落在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带有漏感能量吸收电路的反激式电源电路，包括第一电容C1、第二电容C2、二极管D2、开关管、变压器T1和漏感能量吸收电路，其特征在于，所述漏感能量吸收电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、高开启MOS器件和二极管D2，所述高开启MOS器件的栅极与第一电阻R1一端连接，所述高开启MOS器件源极与所述二极管D2的正极连接，所述第二电阻R2串联在高开启MOS器件漏极和第一电阻R1的另一端之间，所述第一电阻R1的另一端和二极管D2的负极分别与变压器T1的初级线圈的两端连接，所述第一电阻R1的另一端与开关管的漏极连接，所述第一电容C1一端和第二电容C2一端均与所述二极管D2的负极连接，所述第一电容C1另一端和第二电容C2另一端连接后与所述二极管D2的负极一起作为反激式电源电路的输入端，所述第一电容C1另一端和第二电容C2另一端之间连接有电感L1器，所述开关管的源极接地，所述开关管的栅极作为IC输入端。

【技术特征摘要】
1.一种带有漏感能量吸收电路的反激式电源电路，包括第一电容C1、第二电容C2、二极管D2、开关管、变压器T1和漏感能量吸收电路，其特征在于，所述漏感能量吸收电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、高开启MOS器件和二极管D2，所述高开启MOS器件的栅极与第一电阻R1一端连接，所述高开启MOS器件源极与所述二极管D2的正极连接，所述第二电阻R2串联在高开启MOS器件漏极和第一电阻R1的另一端之间，所述第一电阻R1的另一端和二极管D2的负极分别与变压器T1的初级线圈的两端连接，所述第一电阻R1的另一端与开关管的漏极连接，所述第一电容C1一...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐红祥，
申请(专利权)人：无锡光磊电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32