用于电源地的保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于电源地的保护电路，属于电源电路设计技术领域。所述保护电路包括：智能MOSFET模块，所述智能MOSFET模块的第一端与所述电源地的输出端连接，所述智能MOSFET模块的第二端接地，所述智能MOSFET模块的第三端用于接收控制信号，所述智能MOSFET模块的第四端用于输出状态信号；控制器模块，所述控制模块的第一端与所述智能MOSFET模块的第三端连接，所述控制器模块的第二端与所述智能MOSFET模块的第四端连接。该保护电路可以避免电源地的输出端出现故障。

【技术实现步骤摘要】
用于电源地的保护电路
本技术涉及电源电路设计技术，具体地涉及一种用于电源地的保护电路。
技术介绍
电动汽车整车系统中，有众多需要独立供电的控制单元，如传感器、继电器等。现行的供电方式主要有蓄电池直供、系统中控制模块如BMS(BatteryManagementSystem，电池管理系统)等直接输出电源供电两种方式。后一种供电方式中，为简便电路及降低成本，一般由模块板内电源直接提供输出电源，在此供电方式下电路并无相应的故障保护措施，一旦电源地发生短路、过压、过温等故障时，易致模块及系统电路发生故障，影响整车的安全运行。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种用于电源地的保护电路，该保护电路可以避免电源地的输出端出现故障。为了实现上述目的，本技术提供一种用于电源地的保护电路，所述保护电路可以包括：智能MOSFET(MOS管，金属氧化物半导体场效应管)模块，所述智能MOSFET模块的第一端与所述电源地的输出端连接，所述智能MOSFET模块的第二端接地，所述智能MOSFET模块的第三端用于接收控制信号，所述智能MOSFET模块的第四端用于输出状态信号；控制器模块，所述控制器模块的第一端与所述智能MOSFET模块的第三端连接，所述控制器模块的第二端与所述智能MOSFET模块的第四端连接。可选地，所述控制器模块的第一端和所述智能MOSFET模块的第三端之间串接有第一电阻。可选地，所述控制器模块的第二端和所述智能MOSFET模块的第四端之间串接有第二电阻，所述第二电阻和所述智能MOSFET模块的第四端之间的节点通过第三电阻外接高电平信号。可选地，所述智能MOSFET模块包括：可控开关，所述可控开关的一端与所述输出端连接，所述可控开关的第二端接地；栅极驱动器，所述栅极驱动器的第一端与所述输出端连接，所述栅极驱动器的第二端与所述可控开关的控制端连接，所述栅极驱动器的第二端还通过第四电阻与所述可控开关的另一端连接，所述栅极驱动器的第三端接地，所述栅极驱动器的第四端与所述智能MOSFET模块的第三端连接，所述栅极驱动器的第五端与所述智能MOSFET模块的第四端连接。可选地，所述栅极驱动器的第二端和所述可控开关的控制端之间串接有第五电阻。可选地，所述栅极驱动器的第一端与所述可控开关的一端之间的节点通过第一瞬态二极管与所述第五电阻和所述可控开关的控制端之间的节点连接。可选地，所述第五电阻与所述可控开关的控制端之间的节点通过第二瞬态二极管接地。可选地，所述可控开关包括场效应管。可选地，所述智能MOSFET模块的第一端通过滤波电容接地。通过上述技术方案，本技术提供的用于电源地的保护电路通过采集电源地的电平信号来确定该电源地是否发生故障，并在确定该电源地发生故障的情况下，断开电源地与接地端之间的连接，从而避免出现电源地短路、过压的问题，进一步确保电动汽车的运行安全。本技术的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。附图说明附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。在附图中：图1是根据本技术的一个实施方式的用于电源地的保护电路的结构示意图；图2是根据本技术的一个实施方式的用于电源地的保护电路的结构示意图。附图标记说明01、智能MOSFET模块02、控制器模块R1、第一电阻R2、第二电阻R3、第三电阻R4、第四电阻R5、第五电阻D1、第一瞬态二极管D2、第二瞬态二极管Q1、可控开关C1、滤波电容GD、栅极驱动器具体实施方式以下结合附图对本技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。如图1所示是根据本技术的一个实施方式的用于电源地的保护电路的结构示意图。在图1中，该保护电路可以包括：智能MOSFET模块01和控制器模块02。智能MOSFET模块01的第一端可以与电源地的输出端连接，智能MOSFET模块01的第二端接地，智能MOSFET模块01的第三端用于接收控制信号，智能MOSFET模块01的第四端用于输出状态信号。控制器模块02的第一端与智能MOSFET模块01的第三端连接，控制器模块02的第二端与智能MOSFET模块01的第四端连接。在该电源地正常工作的情况下，智能MOSFET模块01检测到电源地的接地端输出的电平信号为低电平。那么，智能MOSFET模块01通过第四端输出高电平，控制器模块02在通过控制器模块02的第二端接收到高电平的情况下，确定该电源地的输出端接电正常，那么通过控制器模块02的第一端输出高电平。智能MOSFET模块01在通过智能MOSFET模块01的第三端接收到高电平的情况下，导通智能MOSFET模块01的第一端和智能MOSFET模块01的第二端之间的连接以使得输出端接地。在该电源地非正常工作的情况下，智能MOSFET模块01检测到电源地的接地端输出的电平信号为高电平(电源地可能被错接到其他线路，并且该其他线路的输出为高电平)。那么，该智能MOSFET模块01可以通过其第四端输出低电平。控制器模块02在通过控制器模块02的第二端接收到低电平的情况下，确定该电源地的输出端出现故障。那么通过控制器模块02的第一端输出低电平。智能MOSFET模块01在通过智能MOSFET模块01的第三端接收到低电平的情况下，断开MOSFET模块的第一端和智能MOSFET模块01的第二端之间的连接以使得输出端悬空，从而避免该电源地的输出端出现短路接地的问题。在本技术的一个实施方式中，如图2所示，控制器模块02的第一端和智能MOSFET模块01的第三端之间可以串接有第一电阻R1。该第一电阻R1可以是用于限制控制器模块02的第一端和智能MOSFET模块01的第三端之间的电流大小，从而保护两者避免被大电流损坏。在本技术的一个实施方式中，控制器模块02的第二端和智能MOSFET模块01的第四端之间可以串接有第二电阻R2。该第二电阻R2和智能MOSFET模块01的第四端之间的节点可以通过第三电阻R3外接高电平信号。从图2中可知，在该智能MOSFET模块01的第四端输出高电平的情况下，由于第三电阻R3对电压的上拉作用，控制器模块02的第二端接收到高电平(第二电阻R2和第三电阻R3之间的节点电压)，确认该电源地的输出端未出现故障。在该智能MOSFET模块01的第四端输出低电平的情况下，此时第二电阻R2和第三电阻R3之间的节点电压为低电平，那么控制器模块02的第二端接收到低电平，进而确认该电源地的输出端出现故障。在本技术的一个实施方式中，智能MOSFET模块01可以包括：可控开关Q1和栅极驱动器GD。可控开关Q1的一端可以与电源地的输出端连接，可控开关Q1的第二端接地。栅极驱动器GD的第一端可以与电源地的输出端连接，栅极驱动器GD的第二端与可控开关Q1的控制端连接，栅极驱动器GD的第二端还通过第四电阻R4与可控开关Q1的另一端连接，栅极驱动器GD的第三端接地，栅极驱动器GD的第四端与智能MOSFET模块01的第三端连接，栅极驱动器GD的第五端与智能MOSFET模块01的第四端连接。在本技术的一个实施方式中，栅极驱本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于电源地的保护电路，其特征在于，所述保护电路包括：智能MOSFET模块(01)，所述智能MOSFET模块(01)的第一端与所述电源地的输出端连接，所述智能MOSFET模块(01)的第二端接地，所述智能MOSFET模块(01)的第三端用于接收控制信号，所述智能MOSFET模块(01)的第四端用于输出状态信号；控制器模块(02)，所述控制器模块(02)的第一端与所述智能MOSFET模块(01)的第三端连接，所述控制器模块(02)的第二端与所述智能MOSFET模块(01)的第四端连接。

【技术特征摘要】
1.一种用于电源地的保护电路，其特征在于，所述保护电路包括：智能MOSFET模块(01)，所述智能MOSFET模块(01)的第一端与所述电源地的输出端连接，所述智能MOSFET模块(01)的第二端接地，所述智能MOSFET模块(01)的第三端用于接收控制信号，所述智能MOSFET模块(01)的第四端用于输出状态信号；控制器模块(02)，所述控制器模块(02)的第一端与所述智能MOSFET模块(01)的第三端连接，所述控制器模块(02)的第二端与所述智能MOSFET模块(01)的第四端连接。2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述控制器模块(02)的第一端和所述智能MOSFET模块(01)的第三端之间串接有第一电阻(R1)。3.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述控制器模块(02)的第二端和所述智能MOSFET模块(01)的第四端之间串接有第二电阻(R2)，所述第二电阻(R2)和所述智能MOSFET模块(01)的第四端之间的节点通过第三电阻(R3)外接高电平信号。4.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述智能MOSFET模块(01)包括：可控开关(Q1)，所述可控开关(Q1)的一端与所述输出端连接，所述可控开关(Q1)的第二端接地；栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：许海丽，曾国建，颛孙明明，余铿，程晓伟，杨彦辉，吉祥，
申请(专利权)人：安徽锐能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34