The present application relates to a circuit having a conductor support through a substrate and a bonded wafer assembly. In the described example, the first device (104a) on the first surface of the substrate (110) is coupled to the structure (1008) arranged on the second surface of the substrate (110). In at least one example, the first conductor (208) arranged on the first surface is coupled to the circuit system (108) of the first device. The elevated portion of the first conductor (208) is supported by setting the encapsulation (408) and curing the encapsulation (408). The first conductor (208) is cut off by cutting the envelope (408) and the first conductor (208). The second conductor (908) is coupled to the first conductor (208a). The second conductor (908) is coupled to a structure (1008) arranged on the second surface of the substrate (110).
【技术实现步骤摘要】
具有贯通衬底导体支撑件的电路和已键合晶片装配件
本技术涉及贯通衬底导体支撑件。
技术介绍
电子电路通常被制造为通过处理硅晶片而形成的集成电路。许多此类晶片包括个体电路设计,其中在制造过程中在单个晶片上复制个体电路。通过在相邻的复制电路之间设置的锯线空间中切割晶片将复制电路分离为管芯(“芯片”)。电路设计复杂性和应用的增加已经导致了对用于固定、保护和耦合个体管芯的封装件的相对广泛和多样化的选择。例如,芯片级技术封装包括占据比管芯面积稍大(例如,1.2倍大)的表面积(例如,置着面积)的直接表面安装封装。此类约束已经导致具有相对大量触点(例如,引脚)并且占用相对小置着面积(footprint)的封装件的成本增加。
技术实现思路
在所描述的示例中,衬底的第一表面上的第一器件耦合到布置在衬底的第二表面上的结构。在至少一个示例中,布置在第一表面上的第一导体耦合到第一器件的电路系统。通过设置包封物并固化包封物来支撑第一导体的升高部分。通过切割包封物和第一导体来切断第一导体。第二导体耦合到第一导体。第二导体耦合到布置在衬底的第二表面上的结构。本申请的示例提供一种方法,其包括:将第一器件布置在衬底的第一表面上,其中该衬底包括第一表面和在第一表面下方的第二表面;将第一导体设置在第一表面上并且电耦合到第一器件的电路系统,其中第一导体包括第一导体第一段;用支撑材料包封第一导体第一段,其中支撑材料支撑第一导体第一段;以及形成第二导体,该第二导体包括第二导体第一段,该第二导体第一段电耦合到第一导体第一段的被支撑部分并且电耦合到布置在第二表面上的第一结构。在前述示例中,该方法还包括:将第二器件 ...
【技术保护点】
1.一种具有贯通衬底导体支撑件的电路,其包括:第一器件,其被布置在衬底的第一表面上,其中所述衬底包括所述第一表面和在所述第一表面下方的第二表面;第一导体,其包括附着到所述第一表面并且电耦合到所述第一器件的电路系统的第一导体第一段;支撑材料,其被布置在所述衬底的所述第一表面与所述第一导体第一段升高于所述第一表面之上的部分之间,其中所述支撑材料支撑所述第一导体第一段;以及第二导体,其包括电耦合到所述第一导体第一段的升高部分的第二导体第一段,并且其中所述第二导体第一段电耦合到布置在所述第二表面上的第一结构。
【技术特征摘要】
2016.12.30 US 62/441,034;2017.02.15 US 15/433,7041.一种具有贯通衬底导体支撑件的电路,其包括:第一器件,其被布置在衬底的第一表面上,其中所述衬底包括所述第一表面和在所述第一表面下方的第二表面;第一导体,其包括附着到所述第一表面并且电耦合到所述第一器件的电路系统的第一导体第一段;支撑材料,其被布置在所述衬底的所述第一表面与所述第一导体第一段升高于所述第一表面之上的部分之间,其中所述支撑材料支撑所述第一导体第一段;以及第二导体,其包括电耦合到所述第一导体第一段的升高部分的第二导体第一段,并且其中所述第二导体第一段电耦合到布置在所述第二表面上的第一结构。2.根据权利要求1所述的电路,其还包括:第二器件,其被布置在所述衬底上,其中所述第一导体包括附着到所述衬底的所述第一表面并且电耦合到所述第二器件的电路系统的第一导体第二段,其中所述支撑材料被布置在所述衬底的所述第一表面与所述第一导体第二段升高于所述第一表面之上的部分之间,其中所述支撑材料支撑所述第一导体第二段,并且其中所述第二导体包括电耦合到所述第一导体第二段的所述升高部分的第二导体第二段,并且其中所述第二导体第二段电耦合到在所述第二表面上形成的第二结构。3.根据权利要求2所述的电路,其还包括:下邻所述第一导体的升高部分的锯线,其中所述锯线用于切断所述衬底并且用于从所述第二导体第二段切断所述第二导体第一段。4.根据权利要求3所述的电路,其中所述锯线用于将所述衬底切断成包括所述第一结构的第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:V·C·阿拉拉,J·C·埃姆克,
申请(专利权)人:德克萨斯仪器股份有限公司,
类型:新型
国别省市:美国,US
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