一种提高后仿真结果准确性的方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种提高后仿真结果准确性的方法及系统，所述方法包括如下步骤：步骤S1，提取出版图中MIM CAP图形的周长与面积，将MIM CAP图形作为矩形利用周长与面积建立方程，根据所建立的方程计算该MIM CAP图形的长与宽；步骤S2，将步骤S1计算获得的宽长值代入电容计算公式，得到与版图上实际多边形的电容值更接近的电容值，通过本发明专利技术，可提高后仿真结果的准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种提高后仿真结果准确性的方法及系统
本专利技术涉及版图设计中提参建模
，特别是涉及一种提高后仿真结果准确性的方法及系统。
技术介绍
版图设计中,设计者为使所画MIMCAP((Metal-Insulator-MetalCAPacitor，金属绝缘层金属电容)图形与流片出来的图形更接近，将MIMCAP进行了倒角处理，如图1所示。经过倒角后的图形尖角处更平滑，与流片出来的实际情况更接近，前后差异更小，即客户设计时，仿真出的结果与流片出来的实际值更接近。LPE(LayoutParasiticExtraction，布线后寄生参数提取)流程(Flow)中,需要根据倒角后的MIM(metalinsulatormetal，金属-绝缘体-金属)，计算出与LAYOUT电容值相接近的宽长(W与L)，输入给模型(model)仿真。因此，如何更准确地计算出该多边形的宽长(作为Model的输入变量),使计算出的值与版图真实值更接近，成为提高后仿真结果准确性的关键。现有解决方法如下：提取出版图中MIMCAP的周长(P)与面积(S)，长宽分别设为X、Y，由于倒角比较小，故可以按矩形的周长和面积建立方程，求解本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高后仿真结果准确性的方法，包括如下步骤：步骤S1，提取出版图中MIM CAP图形的周长与面积，将MIM CAP图形作为矩形利用周长与面积建立方程，根据所建立的方程计算该MIM CAP图形的长与宽；步骤S2，将步骤S1计算获得的宽长值代入电容计算公式，得到与版图上实际多边形的电容值更接近的电容值。

【技术特征摘要】
1.一种提高后仿真结果准确性的方法，包括如下步骤：步骤S1，提取出版图中MIMCAP图形的周长与面积，将MIMCAP图形作为矩形利用周长与面积建立方程，根据所建立的方程计算该MIMCAP图形的长与宽；步骤S2，将步骤S1计算获得的宽长值代入电容计算公式，得到与版图上实际多边形的电容值更接近的电容值。2.如权利要求1所述的一种提高后仿真结果准确性的方法，其特征在于：于步骤S1中，按矩形的周长和面积建立方程，求解以下二元一次方程组：2*(X+Y)＝PXY＝S。其中，X、Y为矩形的长宽，P、S为所提取的周长和面积。3.如权利要求2所述的一种提高后仿真结果准确性的方法，其特征在于：于步骤S1中，对于Δ＝P2-16S<0，方程无解的情况，则对倒角的MIMCAP图形采用面积开方的方法，计算出对应的宽长。4.如权利要求3所述的一种提高后仿真结果准确性的方法，其特征在于：对应的长宽为5.如权利要求2所述的一种提高后仿真结果准确性的方法，其特征在于：于步骤S1中，对于Δ＝P2-16S<0，方程无解的情况，则采用如下处理方式：定义：C_area＝CA×AREA，C_prim＝CP×PERIM其中，CA为单位面积电容值，CP为单位周长电容值，AREA为MIM电容的面积，PERIM为MIM电容的周长，K为电容修正因子。6.如权利要求2所述的一种提高后仿真结果准确性的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹云，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31