N管可控传输型绝热结构及其构成的一位全加器制造技术

本发明专利技术公开了一种N管可控传输型绝热结构,包括第七MOS第一连接端、第八MOS第一连接端、第三～第六MOS第二连接端连接电源，第七MOS第三连接端、第八MOS第二连接端、第二MOS第二连接端、第四MOS第一连接端和第六MOS第三连接端连接在一起作为该结构第二输出端,第八MOS第三连接端、第七MOS第二连接端、第一MOS第二连接端、第三MOS第一连接端和第五MOS第三连接端连接在一起作为该结构第一输出端OUT,第一MOS第三连接端作为该结构第一输入端，第一MOS第一连接端连接地，第二MOS第三连接端作为该结构第二输入端，第二MOS第一连接端连接地，第三MOS第三连接端连接第五MOS第一连接端，第四MOS第三连接端连接第六MOS第一连接端。本发明专利技术还公开了一种具有所述N管可控传输型绝热结构的一位全加器。

N-tube controllable transmission adiabatic structure and a full adder

The invention discloses an N-tube controllable transmission type adiabatic structure, which comprises the first connecting end of the 7th MOS, the first connecting end of the 8th MOS, the second connecting end of the 3rd to 6th MOS, the third connecting end of the 7th MOS, the second connecting end of the 8th MOS, the second connecting end of the 2nd MOS, the first connecting end of the 4th MOS and the third connecting end of the 6th MOS. The third connector of OS, the second connector of 7MOS, the second connector of 1MOS, the first connector of 3MOS and the third connector of 5MOS are connected together as the first output end of the structure, the third connector of 1MOS is the first input end of the structure, the first connector of 1MOS is connected, the third connector of 2MOS is the second input end of the structure, and the first connector of 2MOS is the first connector of the structure. Connecting ground, the third connection end of the third MOS connects the first connection end of the fifth MOS, and the third connection end of the fourth MOS connects the first connection end of the sixth MOS. The invention also discloses a full adder with the N tube controllable transmission type adiabatic structure.

【技术实现步骤摘要】
N管可控传输型绝热结构及其构成的一位全加器
本专利技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种N管可控传输型绝热结构。本专利技术还涉及一种所述N管可控传输型绝热结构构成一位全加器。
技术介绍
传统静态互补结构的反相器结构,如图1所示。该反相器由一个N型晶体管和P型晶体管构成。当输入信号为低电平“0”，PMOSM2晶体管导通，NMOSM1晶体管截止，电源VDD对输出节点OUT放电，迫使OUT节点信号拉高为“1”，当输入信号IN为高电平“1”时，NMOSM1晶体管导通，PMOSM2晶体管截止，OUT点通过NMOSM1晶体管对地放电，则输出节点被拉低为低电平“0”，实现了反相功能。不论是电源VDD通过晶体管PMOSM2对输出节点OUT充电，还是输出节点OUT通过晶体管NMOSM1对地端进行放电，电源提供的电能基本上消耗在NMOSM1和PMOSM2晶体管上了。当电源的值正好处于N、P晶体管的阈值电源地带会造成NMOSM1、PMOSM2晶体管同时导通的情况，这样势必会造成短路功耗的形成。并且为了维持电路的正常工作，电源一直处于带电状态，这样也会造成电路的功耗持续增加的原因，且随着输出负载的不断增加，电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种N管可控传输型绝热结构,其特征在于，包括：第一～第八MOS(1～8)和电源；第七MOS(7)第一连接端、第八MOS(8)第一连接端、第三MOS(3)第二连接端、第四MOS(4)第二连接端、第五MOS(5)第二连接端和第六MOS(6)第二连接端连接电源，第七MOS(7)第三连接端、第八MOS(8)第二连接端、第二MOS(2)第二连接端、第四MOS(4)第一连接端和第六MOS(6)第三连接端连接在一起作为该结构第二输出端(OUTb),第八MOS(8)第三连接端、第七MOS(7)第二连接端、第一MOS(1)第二连接端、第三MOS(3)第一连接端和第五MOS(5)第三连接端连接在一起作为该结构...

【技术特征摘要】
1.一种N管可控传输型绝热结构,其特征在于，包括：第一～第八MOS(1～8)和电源；第七MOS(7)第一连接端、第八MOS(8)第一连接端、第三MOS(3)第二连接端、第四MOS(4)第二连接端、第五MOS(5)第二连接端和第六MOS(6)第二连接端连接电源，第七MOS(7)第三连接端、第八MOS(8)第二连接端、第二MOS(2)第二连接端、第四MOS(4)第一连接端和第六MOS(6)第三连接端连接在一起作为该结构第二输出端(OUTb),第八MOS(8)第三连接端、第七MOS(7)第二连接端、第一MOS(1)第二连接端、第三MOS(3)第一连接端和第五MOS(5)第三连接端连接在一起作为该结构第一输出端(OUT),第一MOS(1)第三连接端作为该结构第一输入端(IN)，第一MOS(1)第一连接端连接地，第二MOS(2)第三连接端作为该结构第二输入端(INb)，第二MOS(2)第一连接端连接地，第三MOS(3)第三连接端连接第五MOS(5)第一连接端，第四MOS(4)第三连接端连接第六MOS(6)第一连接端。2.如权利要求1所述N管可控传输型绝热结构,其特征在于：所述第一～第六MOS是NMOS，所述第七和第八MOS是PMOS。3.如权利要求2所述N管可控传输型绝热结构,其特征在于：所述第一连接端是源极，所述第二连接端是漏极，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：余峰，洪亮，李冬梅，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31