一种声表芯片的封装方法和声表器件技术

本发明专利技术公开了一种声表芯片的封装方法和声表器件。该声表芯片的封装方法包括：提供第一基板和第二基板；第二基板包括第三区域和至少一个第四区域，第三区域中设置有声表芯片，第四区域中设置有至少一个内联导电端子，且声表芯片与内联导电端子电连接；利用胶膜将第一基板的第一区域和第二基板的第三区域粘合，以使第一基板的第二区域、第二基板的第四区域以及胶膜共同围成中空腔室，声表芯片位于中空腔室内；去除部分位于第一区域处的第一基板与胶膜，以露出内联导电端子；形成导电层，导电层与内联导电端子电连接；形成绝缘层；在导电层未被绝缘层覆盖的位置处，形成外联导电结构。该技术方案可降低声表芯片的封装成本，减小声表器件的尺寸。

A Sound Meter Chip Packaging Method and Sound Meter Devices

The invention discloses a packaging method of a sound meter chip and a sound meter device. The encapsulation method of the sound meter chip includes: providing the first substrate and the second substrate; the second substrate includes the third region and at least one fourth region; the third region is provided with a sound meter chip; the fourth region is provided with at least one inline conductive terminal, and the sound meter chip is electrically connected with the inline conductive terminal; and the first region of the first substrate and the third region of the second substrate are connected by a film. Domain bonding, so that the second area of the first substrate, the fourth area of the second substrate and the film together surround the hollow chamber, and the sound meter chip is located in the hollow chamber; the first substrate and the film at the first area are removed to expose the inline conductive terminal; the conductive layer is formed, and the conductive layer is electrically connected with the inline conductive terminal; the insulating layer is formed; the conductive layer is not covered by the insulating layer. The outer conductive structure is formed at the position of the cover. The technology scheme can reduce the packaging cost of the sound meter chip and the size of the sound meter device.

【技术实现步骤摘要】
一种声表芯片的封装方法和声表器件
本专利技术实施例涉及半导体器件
，尤其涉及一种声表芯片的封装方法和声表器件。
技术介绍
声表面波是一种在固体表面传播的弹性波，声表面波的能量大部分集中在固体表面以下深度约为几个波长的范围内。声表面波的传播速度较慢，比相同波长的电磁波的传播速度慢约十万倍，从而在声表面波的传播路径上容易取样和进行信号处理。由于电子装置(器件)的尺寸与波长是相比拟的，因此，利用声表面波模拟电子学的各种功能时，能使电子装置(或器件)的尺寸较小，易于实现电子装置(器件)的小型化和多功能化。声表装置(器件)在雷达、通讯和电子对抗中应用广泛。声表器件的工作原理要求声表芯片的表面必须是自由表面，即完成封装后的声表器件内部在声表芯片与保护外壳之间必须是一个中空腔室。通常，声表器件的中空腔室是在声表芯片的制备过程中形成，此后，需要对声表器件进一步封装，导致最终形成的声表器件的体积较大且成本较高。
技术实现思路
本专利技术提供一种声表芯片的封装方法和声表器件，用以减小声表器件的体积且降低声表器件的成本。本专利技术实施例提供一种声表芯片的封装方法，该方法包括：提供第一基板和第二基板；其中，所述第一基板包括第一区域和至少一个第二区域，所述第一区域包围各所述第二区域；所述第二基板包括第三区域和至少一个第四区域，所述第三区域包围各所述第四区域，所述第四区域中设置有声表芯片，所述第三区域中设置有至少一个内联导电端子，且所述声表芯片与所述内联导电端子电连接；利用胶膜将所述第一基板的所述第一区域和所述第二基板的所述第三区域粘合，以使所述第一基板的所述第二区域、所述第二基板的所述第四区域以及所述胶膜共同围成中空腔室，所述声表芯片位于所述中空腔室内，所述胶膜覆盖所述内联导电端子；去除部分位于所述第一区域处的所述第一基板与所述胶膜，以露出所述内联导电端子；在所述第一基板远离所述第二基板的一侧形成导电层，所述导电层与所述内联导电端子电连接；在所述导电层远离所述第二基板的一侧形成绝缘层，所述绝缘层包括至少一个镂空区，所述镂空区露出至少部分所述导电层；在所述导电层未被所述绝缘层覆盖的位置处，形成外联导电结构。进一步地，所述利用胶膜将所述第一基板的所述第一区域和所述第二基板的所述第三区域粘合包括：提供所述胶膜；在所述第一基板的一侧贴附所述胶膜；刻蚀所述第一基板的所述第二区域对应位置处的所述胶膜，保留所述第一区域对应位置处的所述胶膜；在刻蚀后的所述胶膜远离所述第一基板的一侧贴附所述第二基板。进一步地，在所述第一基板的一侧贴附胶膜之前还包括：调整所述胶膜的厚度为预设厚度值。进一步地，在所述第一基板的一侧贴附胶膜之前还包括：烘烤所述胶膜。进一步地，所述第一基板为硅片或玻璃片，所述胶膜包括双面胶。进一步地，去除部分位于所述第一区域处的所述第一基板与所述胶膜，以露出所述内联导电端子包括：采用硅通孔工艺去除部分位于所述第一区域处的所述第一基板与所述胶膜，以露出所述内联导电端子。进一步地，在所述导电层未被所述绝缘层覆盖的位置处，形成外联导电结构之前还包括：在所述导电层未被所述绝缘层覆盖的位置处，形成过渡结构。进一步地，所述过渡结构的材料包括镍或镍金合金；所述导电层的材料包括铜；所述外联导电结构的材料包括锡。本专利技术实施例还提供了一种声表器件，该声表器件由上述封装方法中的任意一种形成，该声表器件包括：所述第一基板、所述胶膜、所述第二基板、所述导电层、所述绝缘层和所述外联导电结构；所述第一基板的所述第一区域与所述第二基板的所述第三区域通过所述胶膜粘合，以使所述第一基板的所述第二区域、所述第二基板的所述第四区域以及所述胶膜共同围成中空腔室，所述声表芯片位于所述中空腔室内；所述导电层位于所述第一基板远离所述第二基板的一侧，并通过所述第一基板与所述胶膜内的过孔与所述第二基板的所述内联导电端子电连接；所述绝缘层位于所述导电层远离所述第二基板的一侧，所述绝缘层包括至少一个镂空区，在所述镂空区位置处，所述绝缘层未覆盖所述导电层；所述外联导电结构位于所述导电层远离所述第二基板的一侧，且在所述镂空区位置处与所述导电层电连接。进一步地，该声表器件还包括过渡结构；所述过渡结构位于所述导电层与所述外联导电结构之间。本专利技术提供的声表芯片的封装方法通过设置第一基板包括第一区域和至少一个第二区域，第一区域包围各第二区域；第二基板包括第三区域和至少一个第四区域，第三区域包围各第四区域，第四区域中设置有声表芯片，第三区域中设置有至少一个内联导电端子，且声表芯片与内联导电端子电连接；利用胶膜将第一基板的第一区域和第二基板的第三区域粘合，以使第一基板的第二区域、第二基板的第四区域以及胶膜共同围成中空腔室，声表芯片位于中空腔室内，胶膜覆盖内联导电端子；去除部分位于第一区域处的第一基板与胶膜，以露出内联导电端子；在第一基板远离第二基板的一侧形成导电层，导电层与内联导电端子电连接；在导电层远离第二基板的一侧形成绝缘层，绝缘层包括至少一个镂空区，镂空区露出至少部分导电层；在导电层未被绝缘层覆盖的位置处，形成外联导电结构。由此，可在声表芯片的封装过程中形成中空腔室，从而无需再进行额外的器件的封装，因此，可减小声表器件的尺寸，且降低声表芯片的封装成本。附图说明图1是本专利技术实施例提供的一种声表芯片的封装方法的流程示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种第一基板的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种第二基板的结构示意图；图4是图1中步骤S12后的声表器件的结构示意图；图5是图1中步骤S13后的声表器件的结构示意图；图6是图1中步骤S14后的声表器件的结构示意图；图7是图1中步骤S15后的声表器件的结构示意图；图8是图1中步骤S16后的声表器件的结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的一种声表器件的结构示意图；图10是本专利技术实施例提供的另一种声表芯片的封装方法的流程示意图；图11是图10中步骤S222后的第一基板与胶膜的结构示意图；图12是图10中步骤S223后的第一基板与胶膜的结构示意图；图13是本专利技术实施例提供的另一种声表器件的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。图1是本专利技术实施例提供的一种声表芯片的封装方法的流程示意图。参照图1，该封装方法包括：S11、提供第一基板和第二基板。其中，第一基板包括第一区域和至少一个第二区域，第一区域包围各第二区域；第二基板包括第三区域和至少一个第四区域，第三区域包围各第四区域，第三区域中设置有至少一个内联导电端子，第四区域中设置有声表芯片，且声表芯片与内联导电端子电连接。示例性的，第一基板可为陶瓷基板、玻璃基板或者硅片。第二基板可为产线中的整片晶圆。如此，通过对整片晶圆直接作业，可提高封装效率，降低封装成本。示例性的，声表芯片可包括叉指换能器(inter-digitaltransducer，IDT，也可称为插齿换能器)或滤波器芯片，形成声表芯片的材料可为胆酸锂，内联导电端子可为衬垫(pad)。示例性地，图2是本专利技术实施例提供的一种第一基板的结构示意图。参照图2，该第一基板01包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种声表芯片的封装方法，其特征在于，包括：提供第一基板和第二基板；其中，所述第一基板包括第一区域和至少一个第二区域，所述第一区域包围各所述第二区域；所述第二基板包括第三区域和至少一个第四区域，所述第三区域包围各所述第四区域，所述第三区域中设置有至少一个内联导电端子，所述第四区域中设置有声表芯片，且所述声表芯片与所述内联导电端子电连接；利用胶膜将所述第一基板的所述第一区域和所述第二基板的所述第三区域粘合，以使所述第一基板的所述第二区域、所述第二基板的所述第四区域以及所述胶膜共同围成中空腔室，所述声表芯片位于所述中空腔室内，所述胶膜覆盖所述内联导电端子；去除部分位于所述第一区域处的所述第一基板与所述胶膜，以露出所述内联导电端子；在所述第一基板远离所述第二基板的一侧形成导电层，所述导电层与所述内联导电端子电连接；在所述导电层远离所述第二基板的一侧形成绝缘层，所述绝缘层包括至少一个镂空区，所述镂空区露出至少部分所述导电层；在所述导电层未被所述绝缘层覆盖的位置处，形成外联导电结构。

【技术特征摘要】
1.一种声表芯片的封装方法，其特征在于，包括：提供第一基板和第二基板；其中，所述第一基板包括第一区域和至少一个第二区域，所述第一区域包围各所述第二区域；所述第二基板包括第三区域和至少一个第四区域，所述第三区域包围各所述第四区域，所述第三区域中设置有至少一个内联导电端子，所述第四区域中设置有声表芯片，且所述声表芯片与所述内联导电端子电连接；利用胶膜将所述第一基板的所述第一区域和所述第二基板的所述第三区域粘合，以使所述第一基板的所述第二区域、所述第二基板的所述第四区域以及所述胶膜共同围成中空腔室，所述声表芯片位于所述中空腔室内，所述胶膜覆盖所述内联导电端子；去除部分位于所述第一区域处的所述第一基板与所述胶膜，以露出所述内联导电端子；在所述第一基板远离所述第二基板的一侧形成导电层，所述导电层与所述内联导电端子电连接；在所述导电层远离所述第二基板的一侧形成绝缘层，所述绝缘层包括至少一个镂空区，所述镂空区露出至少部分所述导电层；在所述导电层未被所述绝缘层覆盖的位置处，形成外联导电结构。2.根据权利要求1所述的声表芯片的封装方法，其特征在于，所述利用胶膜将所述第一基板的所述第一区域和所述第二基板的所述第三区域粘合包括：提供所述胶膜；在所述第一基板的一侧贴附所述胶膜；刻蚀所述第一基板的所述第二区域对应位置处的所述胶膜，保留所述第一区域对应位置处的所述胶膜；在刻蚀后的所述胶膜远离所述第一基板的一侧贴附所述第二基板。3.根据权利要求1所述的声表芯片的封装方法，其特征在于，在所述第一基板的一侧贴附胶膜之前还包括：调整所述胶膜的厚度为预设厚度值。4.根据权利要求1所述的声表芯片的封装方法，其特征在于，在所述第一基板的一侧贴附胶膜之前还包括：烘烤所述胶膜。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：包锋，
申请(专利权)人：苏州伟锋智芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32