一种低电压倍增型彩色有机光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低电压倍增型彩色有机光电探测器，包括ITO玻璃基片，ITO玻璃基片的一个表面上依次涂覆有阳极缓冲层、活性层及Al电极层。本发明专利技术还公开了一种低电压倍增型彩色有机光电探测器的制备方法，按照在玻璃基片上镀ITO电极层、在吹干后的ITO电极层上涂覆阳极缓冲层、在阳极缓冲层上涂覆活性层和在活性层上真空蒸镀Al电极层，退火，温度降至室温得到步骤。本发明专利技术的探测器工作电压低，外量子效率高，比探测率高，本发明专利技术的探测器的制备方法，工艺简单，对于设备的要求低。

A Low Voltage Multiplier Colour Organic Photodetector and Its Preparation Method

The invention discloses a low voltage multiplier color organic photodetector, which comprises an ITO glass substrate coated with an anode buffer layer, an active layer and an Al electrode layer on one surface of the ITO glass substrate. The invention also discloses a preparation method of a low voltage multiplying color organic photodetector. According to the steps of coating ITO electrode layer on glass substrate, coating anode buffer layer on dried ITO electrode layer, coating active layer on anode buffer layer and vacuum evaporating Al electrode layer on active layer, annealing and temperature dropping to room temperature, the preparation method is obtained. The detector of the invention has low working voltage, high external quantum efficiency and higher detection rate. The preparation method of the detector of the invention is simple, and the requirement for equipment is low.

【技术实现步骤摘要】
一种低电压倍增型彩色有机光电探测器及其制备方法
本专利技术属于有机半导体
，涉及一种低电压倍增型彩色有机光电探测器，本专利技术还涉及一种低电压倍增型彩色有机光电探测器的制备方法。
技术介绍
有机光电材料具有重量轻、制备工艺简单、易于加工成大面积、成本低以及响应光谱范围广、光吸收系数大等优点，可广泛应用于光电探测器。研发新的器件结构及其制造方法是提高光电探测器光响应度、量子效率、比探测率关键技术。常规结构有机光电探测器虽具有较低的工作电压，然而，由于外量子效率低(一般小于100％)，比探测率不高，限制着探测器在弱光条件下的应用因此，提高有机探测器探测能力至关重要。近几年人们利用电子陷阱辅助作用以及倒装器件结构，引入外电路电荷注入提高有机探测器的探测率。目前报道的几种探测器虽然在一些单色光下获得了高的光响应及比探测率，但是仍然存在着工作电压过高、三基色不全、结构复杂等问题。为了解决上述问题，本专利给出一种具有低工作电压，高光敏度(R)、高外量子效率(EQE)、高比探测率(D*)，且工艺简单的倍增型彩色有机光电探测器。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种低电压倍增型彩色有机光电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低电压倍增型彩色有机光电探测器，其特征在于，包括ITO玻璃基片(1)，所述ITO玻璃基片(1)的一个表面上依次涂覆有阳极缓冲层(2)、活性层(3)及Al电极层(4)。

【技术特征摘要】
1.一种低电压倍增型彩色有机光电探测器，其特征在于，包括ITO玻璃基片(1)，所述ITO玻璃基片(1)的一个表面上依次涂覆有阳极缓冲层(2)、活性层(3)及Al电极层(4)。2.根据权利要求1所述的一种低电压倍增型彩色有机光电探测器，其特征在于，所述阳极缓冲层(2)为PEDOT:PSS层，且阳极缓冲层(2)的厚度为32nm～38nm。3.根据权利要求1所述的一种低电压倍增型彩色有机光电探测器，其特征在于，所述活性层(3)为由P3HT、PBDTTT-F、PC61BM与C60构成的复合层，所述活性层(3)的厚度为190nm～210nm。4.根据权利要求3所述的一种低电压倍增型彩色有机光电探测器，其特征在于，所述P3HT与PBDTTT-F的质量比为11.8-12.2:7.8-8.2，P3HT与PC61BM的质量比为11.8-12.2:2.8-3.2，P3HT与C60的质量比为11.8-12.2:0-0.5。5.根据权利要求1所述的一种低电压倍增型彩色有机光电探测器，其特征在于，所述Al电极层(4)的厚度为90nm-110nm。6.一种低电压倍增型彩色有机光电探测器的制备方法，其特征在于，具体按照下述步骤进行：步骤1，在玻璃基片上镀ITO电极层，清洗，吹干；步骤2，在吹干后的ITO电极层上涂覆阳极缓冲层(2)；步骤3，在阳极缓冲层(2)上涂覆活性层(3)；步骤4，在活性层(3)上真空蒸镀Al电极层(4)，退火，温度降至室温，得到低电压倍增型彩色有机光电探测器。7.根据权利要求6所述的一种低电压倍增型彩色有机光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤1中在在玻璃基片上镀ITO电极层...

【专利技术属性】
技术研发人员：安涛，龚伟，张俊，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61