The invention discloses a gallium arsenide solar cell with an anti-reflection layer, which in turn includes: a gallium arsenide substrate; a back electric field layer on a gallium arsenide substrate; a gallium arsenide p_n junction on a back electric field layer; the gallium arsenide p_n junction comprises an overlapping n-type gallium arsenide layer and a p-type gallium arsenide layer; and an aluminium gallium arsenide window on a gallium arsenide p_n junction. The interface layer; the electrode contact layer on the GaAs window layer; the antireflective layer on the electrode contact layer; and several electrodes on the electrode contact layer. By adding the anti-reflection structure, the reflected light can be greatly reduced and the photoelectric conversion efficiency of the solar cell can be improved.
【技术实现步骤摘要】
一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池
本专利技术属于光伏
，特别是涉及一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池。
技术介绍
砷化镓太阳能电池的发展是从上世纪50年代开始的，至今已有已有50多年的历史。1954年世界上首次发现GaAs材料具有光伏效应，在1956年，LoferskiJ.J.和他的团队探讨了制造太阳电池的最佳材料的物性，他们指出Eg在1.2～1.6eV范围内的材料具有最高的转换效率。20世纪60年代，Gobat等研制了第1个掺锌GaAs太阳电池，不过转化率不高，仅为9%～10%，远低于27%的理论值。20世纪70年代，IBM公司和前苏联Ioffe技术物理所等为代表的研究单位，采用LPE(液相外延)技术引入GaAlAs异质窗口层，降低了GaAs表面的复合速率，使GaAs太阳电池的效率达16%。不久，美国的HRL及Spectrolab通过改进了LPE技术使得电池的平均效率达到18%，并实现了批量生产，开创了高效率砷化镓太阳电池的新时代。从上世纪80年代后，GaAs太阳电池技术经历了从LPE到MOCVD，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段...
【技术保护点】
1.一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，其特征在于，所述砷化镓太阳能电池依次包括：砷化镓衬底；位于砷化镓衬底上的背电场层；位于背电场层上的砷化镓p‑n结，所述砷化镓p‑n结包括层叠设置的n型砷化镓层和p型砷化镓层；位于砷化镓p‑n结上的砷化铝镓窗口层；位于砷化铝镓窗口层上的电极接触层；位于电极接触层上的防反射层；以及，位于电极接触层上的若干电极。
【技术特征摘要】
1.一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，其特征在于，所述砷化镓太阳能电池依次包括：砷化镓衬底；位于砷化镓衬底上的背电场层；位于背电场层上的砷化镓p-n结，所述砷化镓p-n结包括层叠设置的n型砷化镓层和p型砷化镓层；位于砷化镓p-n结上的砷化铝镓窗口层；位于砷化铝镓窗口层上的电极接触层；位于电极接触层上的防反射层；以及，位于电极接触层上的若干电极。2.根据权利要求1所述的一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，其特征在于，所述防反射层包括第一防反射层和第二防反射层，所述第一防反射层位氟化镁层，第二防反射层为硫化锌层。3.根据权利要求2所述的一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，其特征在于，所述第一防反射层的厚度...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄孝如，
申请(专利权)人：海门市绣羽工业设计有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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