用来监控镍硅化物的形成的方法技术

本发明专利技术公开一种用来监控镍硅化物的形成的方法，其步骤包含进行一蚀刻制作工艺在栅极结构的两侧形成间隔壁、进行一快速热处理制作工艺在栅极结构与基底上形成镍硅化物特征、针对镍硅化物特征进行一电子束检测、以及将电子束检测所得到的信息回馈到先进制作工艺控制系统。

Method for monitoring the formation of nickel silicide

The invention discloses a method for monitoring the formation of nickel silicide, which comprises the steps of forming spacers on both sides of gate structure by etching process, forming nickel silicide characteristics on gate structure and substrate by rapid heat treatment process, conducting electron beam detection for nickel silicide characteristics, and feeding back the information obtained by electron beam detection to advanced technology. Manufacturing process control system.

【技术实现步骤摘要】
用来监控镍硅化物的形成的方法
本专利技术涉及集成电路制作工艺，特别是涉及一种在制作工艺期间判定缺陷的线上检测方法。
技术介绍
一般的集成电路制作工艺会包含形成导体区域与硅化物区域的步骤。例如，镍硅化物(nickelsilicide,NiSi)区域可用来作为一接触部位来与源极、漏极以及/或栅极等晶体管部位进行电连接。随着半导体节点或线宽的尺寸变得越来越小，金属硅化制作工艺也变得越来越有挑战性，容易在金属硅化物区域发现明显的缺陷，如镍硅化物形成不完全、硅化物在制作工艺中不当扩张等。这类的缺陷都会影响元件的电性，引起诸如高漏电、开路、短路或造成其他缺陷等问题。特别是上述的诸多问题通常都会在封装前的裸晶针测(chipprobing,CP)阶段或是封装后的最终测试(finaltesting,FT)阶段才被检测出来，在发现到问题的当下可能线上已经处理并产出了许多有同样问题的不良品。故此，现今业界需要一套有效的方法来监控并改善上述的硅化物相关问题。
技术实现思路
为了因应上述镍硅化物区域易产生缺陷的问题，本专利技术提出了一套检测方法，其特点在于在形成镍硅化物后就直接线上(inline)即时针对金属硅化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用来监控镍硅化物的形成的方法，包含：提供一基底；在该基底上形成栅极结构；在该栅极结构与该基底上形成一介电层；进行一蚀刻制作工艺，使得该介电层转变成位于该栅极结构两侧的间隔壁；进行一快速热处理制作工艺，在该栅极结构与该基底上形成镍硅化物特征；针对该镍硅化物特征进行一电子束检测；以及将该电子束检测所得到的信息回馈到制作工艺控制系统。

【技术特征摘要】
1.一种用来监控镍硅化物的形成的方法，包含：提供一基底；在该基底上形成栅极结构；在该栅极结构与该基底上形成一介电层；进行一蚀刻制作工艺，使得该介电层转变成位于该栅极结构两侧的间隔壁；进行一快速热处理制作工艺，在该栅极结构与该基底上形成镍硅化物特征；针对该镍硅化物特征进行一电子束检测；以及将该电子束检测所得到的信息回馈到制作工艺控制系统。2.如权利要求1所述的用来监控镍硅化物的形成的方法，其中回馈的该信息被用来微调该蚀刻制作工艺的制作工艺参数。3.如权利要求1所述的用来监...

【专利技术属性】
技术研发人员：菊蕊，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，联芯集成电路制造厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71