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本发明公开一种用来监控镍硅化物的形成的方法，其步骤包含进行一蚀刻制作工艺在栅极结构的两侧形成间隔壁、进行一快速热处理制作工艺在栅极结构与基底上形成镍硅化物特征、针对镍硅化物特征进行一电子束检测、以及将电子束检测所得到的信息回馈到先进制作工艺...该专利属于联华电子股份有限公司;联芯集成电路制造(厦门)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;联芯集成电路制造(厦门)有限公司授权不得商用。