用于化学增幅抗蚀剂组合物的含碘聚合物制造技术

用于化学增幅抗蚀剂组合物的含碘聚合物。一种单体，具有式(I)：

Iodine-containing polymers for chemical amplitude-increasing corrosion inhibitor compositions

Iodine-containing polymers for chemical amplitude-increasing corrosion inhibitor compositions. A monomer with formula (I):

【技术实现步骤摘要】
用于化学增幅抗蚀剂组合物的含碘聚合物
本公开总体上涉及包括光酸产生剂的聚合物组合物。具体来说，本公开提供衍生自含碘单体的共聚物。
技术介绍
极紫外光刻技术(“EUVL”)是替代光学光刻技术的主要技术选择之一以用于特征尺寸<20nm的体积半导体制造。极短的波长(13.4nm)是多代技术所需高分辨率的关键促进因素。此外，整个系统概念-扫描曝光、投影光学、掩模格式和抗蚀技术-与当前光学技术所使用的非常相似。像以前的光刻技术代一样，EUVL由抗蚀技术、曝光工具技术和掩膜技术组成。主要挑战是EUV源功率和吞吐量。EUV电源的任何改进都将直接影响目前严格的抗蚀剂灵敏度规格。事实上，EUVL成像中的一个主要问题是抗蚀剂灵敏度，灵敏度越低，需要的源功率越大或者需要完全曝光抗蚀剂的曝光时间越长。功率水平越低，噪音越多影响印刷线的线边缘粗糙度(“LER”)。提高极紫外(“EUV”)的灵敏度是关键的促进因素。已经表明，EUV光吸收截面和二次电子产生率是EUV灵敏度的关键因素。增加EUV光致抗蚀剂灵敏度的一种方法是增加其在13.5nm下的吸收截面，所述吸收截面是可以使用已知原子吸收在理论上计算的材料的原子特性。构成抗蚀剂材料的典型原子(如碳、氧、氢和氮)在13.5nm下具有非常弱的吸收。氟原子的吸收稍高，并且已用于寻找高EUV吸收光致抗蚀剂。碘在EUV辐射下具有非常高的吸收截面。最近的专利申请JP2015-161823公开了可用于光刻加工的含碘单体和相应的聚合物。然而，这些单体都没有考虑延伸链来改善含碘单体的结合。仍然需要富含碘的单体和相应的聚合物，其具有良好的溶解性并且在EUV曝光下赋予改善的灵敏度。
技术实现思路
一个实施例提供具有式(I)的单体：其中在式(I)中：W是-(C＝O)O-、-O(C＝O)-、-O(SO2)-、-(SO2)O-、-NH(SO2)-、-(SO2)NH-、-NH(CO)-、-(CO)NH-、-SO2-、-SO-，Ra是H、F、-CN、C1-10烷基或C1-10氟烷基；L为选自以下的连接基团：未经取代或经取代的C1-20亚烷基、未经取代或经取代的C3-20亚环烷基、未经取代或经取代的C6-20亚芳基和未经取代或经取代的C7-20亚芳烷基；表示单环或多环未经取代或经取代的C6-30亚芳基或单环或多环未经取代或经取代的C3-30亚杂芳基，其中“*”表示与相邻基团或原子的连接点；“I”表示碘；X选自-F、-Cl、-Br、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、未经取代或经取代的C1-30烷基、未经取代或经取代的C2-30烯基、未经取代或经取代的C2-30炔基、未经取代或经取代的C1-30烷氧基、未经取代或经取代的C3-30环烷基、未经取代或经取代的C1-30杂环烷基、未经取代或经取代的C3-30环烯基、未经取代或经取代的C1-30杂环烯基、未经取代或经取代的C6-30芳基、未经取代或经取代的C6-30芳氧基、未经取代或经取代的C6-30芳硫基、未经取代或经取代的C7-30芳烷基、未经取代或经取代的C1-30杂芳基、未经取代或经取代的C2-30杂芳氧基、未经取代或经取代的C2-30杂芳硫基或未经取代或经取代的C3-30杂芳烷基，其中X任选地包括酯基或-C(CF3)2OH；m是0或更大的整数，其限制条件为当m是2或更大的整数时，两个相邻的基团X任选地形成环；并且n是1或更大的整数。另一实施例提供包括上述单体和酸可脱保护单体的聚合产物的共聚物。又一实施例提供包括上述聚合物的光致抗蚀剂组合物和包括光致抗蚀剂组合物层的涂覆基底。又一实施例提供一种形成电子装置的方法，包括：在衬底表面上涂覆根据技术方案11到13中任一项所述的光致抗蚀剂组合物的层；将所述光致抗蚀剂组合物层逐图案地暴露于活化辐射中；并且使所述暴露的光致抗蚀剂组合物层显影，以提供抗蚀剂凸纹图像。具体实施方式现在将详细参考示例性实施例。就这一点而言，本示例性实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于本文阐述的描述。因此，下面描述示例性实施例，以解释本说明书的各个方面。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。如“……中的至少一者”的表述当在元件列表之前时修饰元件的整个列表而不是修饰列表的个别元件。将理解，当元件称为在另一元件“上”时，其可以直接与其它元件接触或中间元件可以存在于其之间。相比之下，当元件称为“直接在”另一元件“上”时，不存在插入元件。将理解，虽然本文中可以使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用以区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层、部分或部分。因此，在不脱离本专利技术实施例的教示内容的情况下，下文所论述的第一元件、组件、区域、层或部分可以称为第二元件、组件、区域、层或部分。本文中所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并且不意欲是限制性的。如本文中所使用，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一(a/an)”和“所述”意欲还包括复数形式。将进一步理解，术语“包含(comprises/comprising)”或“包括(includes/including)”当用于本说明书中时指定所陈述特征、区域、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、区域、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。如本文所使用，“约”或“大致”包括所陈述值并且意谓在偏差的可接受范围内，对于特定值，如由本领域的普通技术人员所确定，考虑相关测量和与特定数量的测量相关的误差(即测量系统的局限性)。举例来说，“约”可以意谓在一种或多种标准差内，或在所陈述值的±30％、20％、10％、5％内。除非另外定义，否则本文所用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解，术语(如在常用词典中所定义的那些术语)应解释为具有与其在相关技术和本专利技术的上下文中的含义一致的含义，并且除非本文中明确地定义，否则将不会以理想化或过分正式意义进行解释。如本文中所使用，当未另外提供定义时，术语“烷基”是指衍生自具有指定碳原子数目并且具有至少一种价态的直链或支链饱和脂肪族烃的基团。如本文中所使用，当未另外提供定义时，术语“氟烷基”是指一个或多个氢原子经氟原子置换的烷基。如本文中所使用，当未另外提供定义时，术语“烷氧基”是指“烷基-O-”，其中术语“烷基”具有与上文所描述之含义相同的含义。如本文中所使用，当未另外提供定义时，术语“氟烷氧基”是指一个或多个氢原子经氟原子置换的烷氧基。如本文中所使用，当未另外提供定义时，术语“环烷基”是指具有一个或多个饱和环(其中所有环成员是碳)的单价基团。如本文所用，当没有另外提供定义时，术语“烯基”是指具有至少一个碳-碳双键的直链或支链的一价烃基。如本文所用，当没有另外提供定义时，术语“链烯基烷基”是指“链烯基-烷基-”，其中术语“链烯基”和“烷基”具有与上述相同的含义。如本文所用，当没有另外提供定义时，术语“炔基”是指具有至少一个碳-碳三键的直链或支链，一价烃基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单体，具有式(I)：

【技术特征摘要】
2017.06.15 US 15/6238921.一种单体，具有式(I)：其中在式(I)中：W是-(C＝O)O-、-O(C＝O)-、-O(SO2)-、-(SO2)O-、-NH(SO2)-、-(SO2)NH-、-NH(CO)-、-(CO)NH-、-SO2-、-SO-，Ra是H、F、-CN、C1-10烷基或C1-10氟烷基；L是选自以下的连接基团：未经取代或经取代的C1-20亚烷基、未经取代或经取代的C3-20亚环烷基、未经取代或经取代的C6-20亚芳基和未经取代或经取代的C7-20亚芳烷基；表示单环或多环未经取代或经取代的C6-30亚芳基或单环或多环未经取代或经取代的C3-30亚杂芳基，其中“*”表示与相邻基团或原子的连接点；“I”表示碘；X选自-F、-Cl、-Br、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、未经取代或经取代的C1-30烷基、未经取代或经取代的C2-30烯基、未经取代或经取代的C2-30炔基、未经取代或经取代的C1-30烷氧基、未经取代或经取代的C3-30环烷基、未经取代或经取代的C1-30杂环烷基、未经取代或经取代的C3-30环烯基、未经取代或经取代的C1-30杂环烯基、未经取代或经取代的C6-30芳基、未经取代或经取代的C6-30芳氧基、未经取代或经取代的C6-30芳硫基、未经取代或经取代的C7-30芳烷基、未经取代或经取代的C1-30杂芳基、未经取代或经取代的C2-30杂芳氧基、未经取代或经取代的C2-30杂芳硫基或未经取代或经取代的C3-30杂芳烷基，其中X任选地包含酯基或-C(CF3)2OH；m是0或更大的整数，其限制条件为当m是2或更大的整数时，两个相邻的基团X任选地形成环；并且n是1或更大的整数。2.根据权利要求1所述的单体，其中L是未经取代的C1-20亚烷基或经-F取代的C1-20亚烷基、羟基或C1-10烷基；X是羟基；并且n是1、2或3。3.一种共聚物，包含酸可脱保护单体和具有式(I)的单体的聚合产物：其中在式(I)中：W是-(C＝O)O-、-O(C＝O)-、-O(SO2)-、-(SO2)O-、-NH(SO2)-、-(SO2)NH-、-NH(CO)-、-(CO)NH-、-SO2-、-SO-，Ra是H、F、-CN、C1-10烷基或C1-10氟烷基；L是选自以下的连接基团：未经取代或经取代的C1-20亚烷基、未经取代或经取代的C3-20亚环烷基、未经取代或经取代的C6-20亚芳基和未经取代或经取代的C7-20亚芳烷基；表示单环或多环未经取代或经取代的C6-30亚芳基或单环或多环未经取代或经取代的C3-30亚杂芳基，其中“*”表示与相邻基团或原子的连接点；“I”表示碘；X选自-F、-Cl、-Br、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、未经取代或经取代的C1-30烷基、未经取代或经取代的C2-30烯基、未经取代或经取代的C2-30炔基、未经取代或经取代的C1-30烷氧基、未经取代或经取代的C3-30环烷基、未经取代或经取代的C1-30杂环烷基、未经取代或经取代的C3-30环烯基、未经取代或经取代的C1-30杂环烯基、未经取代或经取代的C6-30芳基、未经取代或经取代的C6-30芳氧基、未经取代或经取代的C6-30芳硫基、未经取代或经取代的C7-30芳烷基、未经取代或经取代的C1-30杂芳基、未经取代或经取代的C2-30杂芳氧基、未经取代或经取代的C2-30杂芳硫基或未经取代或经取代的C3-30杂芳烷基，其中X任选地包含酯基或-C(CF3)2OH；m是0或更大的整数，其限制条件为当m是2或更大的整数时，两个相邻的基团X任选地形成环；并且n是1或更大的整数。4.根据权利要求3所述的共聚物，进一步包含碱溶性单体、含内酯单体、光酸产生剂或其组合的聚合产物。5.根据权利要求4所述的共聚物，其中所述酸可脱保护单体由式(II)表示，所述碱溶性...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·阿卡德，J·W·萨克莱，J·F·卡梅伦，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US