CdS纳米棒薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种CdS纳米棒薄膜的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1、将二乙基二硫代氨基甲酸钠和CdCl2·2.5H2O反应制得二乙基二硫代氨基甲酸镉；S2、将二乙基二硫代氨基甲酸镉中加入溶剂进行溶剂热反应得到CdS纳米棒薄膜；S3、将CdS纳米棒薄膜采用CdCl2进行湿法处理。本发明专利技术对CdS纳米棒薄膜进行CdCl2湿法处理，提高了薄膜的结晶度，降低了缺陷态密度，大大提高了短路电流密度，可以提高电池寿命。

Preparation of CdS nanorod films

The invention discloses a preparation method of CdS nanorod film, which comprises the following steps: S1, reaction of sodium diethyldithiocarbamate and CdCl2.2.5H2O to prepare cadmium diethyldithiocarbamate; S2, solvothermal reaction of cadmium diethyldithiocarbamate with solvent to obtain CdS nanorod film; S3, CdS nanorod film into CdCl2. Wet treatment. The CdCl2 wet treatment of the CdS nanorod film improves the crystallinity of the film, reduces the defect state density, greatly improves the short circuit current density, and improves the battery life.

【技术实现步骤摘要】
CdS纳米棒薄膜的制备方法
本专利技术属于光伏
，特别是涉及一种CdS纳米棒薄膜的制备方法。
技术介绍
一维半导体纳米晶不同于块材的奇特电学和光学性质，在发光二极管、高效太阳能电池、量子点微型激光器和基于光致发光的多色生物标签等领域有巨大的应用前景，因此，合成一维半导体纳米晶已成为近年来人们研究的热点。一维半导体纳米晶的制备方法可分为物理法和化学法，一般的物理方法需要精密昂贵的大型设备和极端苛刻的实验条件，相比而言，化学法则具有易于操作、价格低廉和简单有效的特点。目前制备一维半导体纳米晶的液相化学方法主要有:溶剂热法、液晶模板法、聚合物辅助生长、电化学沉积法、气相沉积法、部分阳离子交换的方法和胶体化学法等。自从1993年Murray等报道胶体化学法制备半导体纳米晶以来，该法成为目前应用最广泛的方法.例如，Peng等最早利用己基亚磷酸与镉原子较强的配位能力来辅助合成CdSe纳米棒；Cheon等利用十八胺作为配体高温分解单分子前驱体合成了直径大于6nm的CdS纳米棒；Prashan等利用配体对CdSe团簇的配位能力不同而合成CdSe纳米线。然而现有技术中的CdS纳米棒薄膜的结晶度较本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CdS纳米棒薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1、将二乙基二硫代氨基甲酸钠和CdCl2·2.5H2O反应制得二乙基二硫代氨基甲酸镉；S2、将二乙基二硫代氨基甲酸镉中加入溶剂进行溶剂热反应得到CdS纳米棒薄膜；S3、将CdS纳米棒薄膜采用CdCl2进行湿法处理。

【技术特征摘要】
1.一种CdS纳米棒薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1、将二乙基二硫代氨基甲酸钠和CdCl2·2.5H2O反应制得二乙基二硫代氨基甲酸镉；S2、将二乙基二硫代氨基甲酸镉中加入溶剂进行溶剂热反应得到CdS纳米棒薄膜；S3、将CdS纳米棒薄膜采用CdCl2进行湿法处理。2.根据权利要求1所述的CdS纳米棒薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中二乙基二硫代氨基甲酸钠和CdCl2·2.5H2O的摩尔浓度比为3：1~4:1。3.根据权利要求1所述的CdS纳米棒薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体为：在二乙基二硫代氨基甲酸镉中加入乙二胺得到混合溶液，在200℃～23...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄敏艳，
申请(专利权)人：海门市品格工业设计有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32