CdS纳米棒薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种CdS纳米棒薄膜的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1、将二乙基二硫代氨基甲酸钠和CdCl2·2.5H2O反应制得二乙基二硫代氨基甲酸镉；S2、将二乙基二硫代氨基甲酸镉中加入溶剂进行溶剂热反应得到CdS纳米棒薄膜；S3、将CdS纳米棒薄膜采用CdCl2进行湿法处理。本发明专利技术对CdS纳米棒薄膜进行CdCl2湿法处理，提高了薄膜的结晶度，降低了缺陷态密度，大大提高了短路电流密度，可以提高电池寿命。

Preparation of CdS nanorod films

The invention discloses a preparation method of CdS nanorod film, which comprises the following steps: S1, reaction of sodium diethyldithiocarbamate and CdCl2.2.5H2O to prepare cadmium diethyldithiocarbamate; S2, solvothermal reaction of cadmium diethyldithiocarbamate with solvent to obtain CdS nanorod film; S3, CdS nanorod film into CdCl2. Wet treatment. The CdCl2 wet treatment of the CdS nanorod film improves the crystallinity of the film, reduces the defect state density, greatly improves the short circuit current density, and improves the battery life.

【技术实现步骤摘要】
CdS纳米棒薄膜的制备方法
本专利技术属于光伏
，特别是涉及一种CdS纳米棒薄膜的制备方法。
技术介绍
一维半导体纳米晶不同于块材的奇特电学和光学性质，在发光二极管、高效太阳能电池、量子点微型激光器和基于光致发光的多色生物标签等领域有巨大的应用前景，因此，合成一维半导体纳米晶已成为近年来人们研究的热点。一维半导体纳米晶的制备方法可分为物理法和化学法，一般的物理方法需要精密昂贵的大型设备和极端苛刻的实验条件，相比而言，化学法则具有易于操作、价格低廉和简单有效的特点。目前制备一维半导体纳米晶的液相化学方法主要有:溶剂热法、液晶模板法、聚合物辅助生长、电化学沉积法、气相沉积法、部分阳离子交换的方法和胶体化学法等。自从1993年Murray等报道胶体化学法制备半导体纳米晶以来，该法成为目前应用最广泛的方法.例如，Peng等最早利用己基亚磷酸与镉原子较强的配位能力来辅助合成CdSe纳米棒；Cheon等利用十八胺作为配体高温分解单分子前驱体合成了直径大于6nm的CdS纳米棒；Prashan等利用配体对CdSe团簇的配位能力不同而合成CdSe纳米线。然而现有技术中的CdS纳米棒薄膜的结晶度较低，具有较高的缺陷态密度，因此，CdS纳米棒薄膜的性能受到很大影响。因此，针对上述问题，有必要提出一种CdS纳米棒薄膜的制备方法。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种CdS纳米棒薄膜的制备方法。为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供一种CdS纳米棒薄膜的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1、将二乙基二硫代氨基甲酸钠和CdCl2·2.5H2O反应制得二乙基二硫代氨基甲酸镉；S2、将二乙基二硫代氨基甲酸镉中加入溶剂进行溶剂热反应得到CdS纳米棒薄膜；S3、将CdS纳米棒薄膜采用CdCl2进行湿法处理。作为本专利技术的进一步改进，所述步骤S1中二乙基二硫代氨基甲酸钠和CdCl2·2.5H2O的摩尔浓度比为3：1~4:1。作为本专利技术的进一步改进，所述步骤S2具体为：在二乙基二硫代氨基甲酸镉中加入乙二胺得到混合溶液，在200℃～230℃下溶剂热反应12h～24h。作为本专利技术的进一步改进，所述步骤S3具体为：S31、将CdS纳米棒薄膜在N2气氛中进行脱水处理；S32、将CdCl2加入甲醇溶液中配置饱和溶液，并将CdS纳米棒薄膜置于饱和溶液中5~10s后取出；S33、挥发CdS纳米棒薄膜表面的甲醇，在N2气氛中热处理吹干。作为本专利技术的进一步改进，所述步骤S31中脱水处理的温度为100~200℃，时间为1~2h。作为本专利技术的进一步改进，所述步骤S33热处理的温度为200~300℃，时间为30~60min。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术对CdS纳米棒薄膜进行CdCl2湿法处理，提高了薄膜的结晶度，降低了缺陷态密度，大大提高了短路电流密度，可以提高电池寿命。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一具体实施方式中CdS纳米棒薄膜的制备方法工艺流程图。具体实施方式下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。参图1所示，本专利技术一具体实施方式中的一种CdS纳米棒薄膜的制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1、将二乙基二硫代氨基甲酸钠和CdCl2·2.5H2O反应制得二乙基二硫代氨基甲酸镉；S2、将二乙基二硫代氨基甲酸镉中加入溶剂进行溶剂热反应得到CdS纳米棒薄膜；S3、将CdS纳米棒薄膜采用CdCl2进行湿法处理。具体地，步骤S1中二乙基二硫代氨基甲酸钠和CdCl2·2.5H2O的摩尔浓度比为3：1~4:1。在本专利技术一优选实施方式中，步骤S2具体为：在二乙基二硫代氨基甲酸镉中加入乙二胺得到混合溶液，在200℃～230℃下溶剂热反应12h～24h。其中，步骤S3具体为：S31、将CdS纳米棒薄膜在N2气氛中进行脱水处理；S32、将CdCl2加入甲醇溶液中配置饱和溶液，并将CdS纳米棒薄膜置于饱和溶液中5~10s后取出；S33、挥发CdS纳米棒薄膜表面的甲醇，在N2气氛中热处理吹干。优选地，步骤S31中脱水处理的温度为100~200℃，时间为1~2h；步骤S33热处理的温度为200~300℃，时间为30~60min。由以上技术方案可以看出，本专利技术对CdS纳米棒薄膜进行CdCl2湿法处理，提高了薄膜的结晶度，降低了缺陷态密度，大大提高了短路电流密度，可以提高电池寿命。对于本领域技术人员而言，显然本专利技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本专利技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本专利技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本专利技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本专利技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CdS纳米棒薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1、将二乙基二硫代氨基甲酸钠和CdCl2·2.5H2O反应制得二乙基二硫代氨基甲酸镉；S2、将二乙基二硫代氨基甲酸镉中加入溶剂进行溶剂热反应得到CdS纳米棒薄膜；S3、将CdS纳米棒薄膜采用CdCl2进行湿法处理。

【技术特征摘要】
1.一种CdS纳米棒薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1、将二乙基二硫代氨基甲酸钠和CdCl2·2.5H2O反应制得二乙基二硫代氨基甲酸镉；S2、将二乙基二硫代氨基甲酸镉中加入溶剂进行溶剂热反应得到CdS纳米棒薄膜；S3、将CdS纳米棒薄膜采用CdCl2进行湿法处理。2.根据权利要求1所述的CdS纳米棒薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中二乙基二硫代氨基甲酸钠和CdCl2·2.5H2O的摩尔浓度比为3：1~4:1。3.根据权利要求1所述的CdS纳米棒薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体为：在二乙基二硫代氨基甲酸镉中加入乙二胺得到混合溶液，在200℃～23...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄敏艳，
申请(专利权)人：海门市品格工业设计有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32