【技术实现步骤摘要】
一种制备二维多层花状CdS的方法及产物
本专利技术涉及无机材料合成领域,具体涉及一种制备二维多层花状CdS的方法及产物。
技术介绍
硫化镉晶体是一种较典型的Ⅱ-Ⅳ族压电半导体材料,也是一种半导体光敏材料,具有较大的带隙宽度(约2.45eV),是一种良好的太阳能电池窗口材料和非线性光学材料。因其具有特殊的光学、电学性质,已被广泛应用于各种发光器件、光伏器件、光学探测器、光催化以及光敏传感器等领域。作为一种非常有前途的半导体材料,硫化镉引起了全世界范围的研究兴趣。迄今为止,在特定的反应条件下,已经成功的制备出了CdS纳米线、纳米棒、纳米带、纳米球、纳米花等具有特殊形貌的晶体。在众多的纳米CdS制备方法中,与固相法和气相法相比,液相法所需要的实验条件要求更低,而在液相方法中,溶剂热法的优点包括:(1)反应过程较简便,其中反应条件容易控制且相对不那么苛刻;(2)合成出的产物在纯度、结晶性、分散性等方面均较好;(3)反应的参数多,其中包括压力、温度、pH、前驱体的种类与浓度、溶剂的种类与浓度、辅助剂的种类与浓度、反应时间等,因而可以通过调节反应参数来有效地调控产物的结构、粒 ...
【技术保护点】
1.一种制备二维多层花状CdS的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)将硫脲溶解在乙醇中得到硫脲溶液;2)将氯化镉与聚乙二醇溶解在乙醇中得到氯化镉溶液;3)将硫脲溶液与氯化镉溶液滴加混合,继续加入乙醇得到混合液;4)混合液进行水热反应,得到二维多层花状CdS。
【技术特征摘要】
1.一种制备二维多层花状CdS的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)将硫脲溶解在乙醇中得到硫脲溶液;2)将氯化镉与聚乙二醇溶解在乙醇中得到氯化镉溶液;3)将硫脲溶液与氯化镉溶液滴加混合,继续加入乙醇得到混合液;4)混合液进行水热反应,得到二维多层花状CdS。2.根据权利要求1所述的制备二维多层花状CdS的方法,其特征在于,所述混合液中硫脲与总的乙醇的投料比为0.2~0.25g:40ml。3.根据权利要求1所述的制备二维多层花状CdS的方法,其特征在于,所述硫脲与氯化镉的摩尔比为2.8~3.2:1。4.根据权利要求1所述的制备二维多层...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐刚,江婉,陈同舟,皇甫统帅,韩高荣,
申请(专利权)人:浙江大学,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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