The invention discloses a bonding method for microfluidic chips, a pretreatment process such as strict cleaning of substrate surface, better activation of bonding surface and completion of chip pre-bonding and bonding process in laboratories under non-purification conditions, which not only meets the bonding strength standard but also reduces the requirement for environmental cleanliness, and the requirement of bonding equipment for non-high temperature during the whole process is convenient and effective. Sealing effectively protects the microfluidic chip, so that the microfluidic chip is not destroyed in bonding.
【技术实现步骤摘要】
一种微流控芯片的键合方法
本专利技术属于芯片制作
,具体涉及一种微流控芯片的键合方法。
技术介绍
微全分析系统(MicroTotalAnalysisSystems,μ-TAS)是一个以分析化学为基础发展起来的跨学科新领域。它是以微机电(MEMS)为基础,通过在硅、玻璃、石英、高分子材料表面加工出10~100微米的通道及网络,实现分析设备的微型化、便携化,用于此种目的芯片一般被称为微流控芯片。玻璃及石英材料以其良好的紫外透光性、表面稳定性、电渗性能是最为理想的芯片制作材料。然而作为芯片制作的最关键的一步,芯片的键合的好坏程度极大的影响了芯片的质量。玻璃石英材质的键合一般采用热键合、阳极键合,键合过程一般在超净室内完成,对键合材质的平整度,热膨胀系数等因素要求较高,且石英材质在高温下易发生陶瓷化现象表面不够透明,影响键合效果,键合成功率不高,实验成本较高。阳极键合对玻璃材质要求较高,不适于广泛推广。基于以上问题,低温键合玻璃、石英材质芯片的技术近年来被广泛研究。现行的低温键合技术主要采用HF酸和硅酸钠作为粘合剂,然而采用硅酸钠键合易改变沟道形貌,利用HF酸键合需要严格控制键合压力及HF酸浓度,且HF酸腐蚀玻璃能力较强,易破坏精细结构沟道。
技术实现思路
本专利技术提供了一种微流控芯片的键合方法,解决了上述问题,提供了无需高温净化的制成环境也可以制成键合强度达标的微流控芯片的键合方法。为了解决上述技术问题,本专利技术所采用的技术方案是:一种微流控芯片的键合方法,包括以下步骤:S1、基片在腐蚀出相应图形和完成储液池打孔加工后进行表面清洗,依次用丙酮、乙醇进行表面 ...
【技术保护点】
1.一种微流控芯片的键合方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、基片在腐蚀出相应图形和完成储液池打孔加工后进行表面清洗,依次用丙酮、乙醇进行表面清洗,每次清洗后均需用去离子水冲掉清洗液;S2、将步骤S1清洗后的基片和盖片用去离子水冲洗后,直接在去离子水中将基片和盖片的键合面贴合在一起,转移到培养皿中,然后放置到真空干燥箱内若干时间,完成预键合;S3、将石蜡融化,将步骤S2完成预键合的盖片与基片浸泡到液体石蜡中,在基片的孔处施加负压,利用负压将液体石蜡通过孔吸入到沟道内,将盖片与基片夹紧、固定,冷却到室温,完成对沟道的保护;S4、反复浸泡清洗步骤S3得到的盖片与基片,将盖片与基片之间的可溶性的硅酸钠溶解除去,室温下抽真空干燥;S5、在步骤S4得到的盖片与基片的四周的边缘封一圈外援胶类,施加负压,将紫外光固化胶通过盖片与基片之间的缝隙吸入到非沟道区域;S6、对步骤S5得到的盖片与基片的四周进行紫外光照射,再对基片的沟道区域进行紫外光照射,室温老化;S7、将步骤S6室温老化后得到的盖片与基片加热至温度为55℃~ 95℃,通过基片上的孔将沟道中的液体石蜡吸出;冷却到室温,通过基片上的孔,清洗残余 ...
【技术特征摘要】
1.一种微流控芯片的键合方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、基片在腐蚀出相应图形和完成储液池打孔加工后进行表面清洗,依次用丙酮、乙醇进行表面清洗,每次清洗后均需用去离子水冲掉清洗液;S2、将步骤S1清洗后的基片和盖片用去离子水冲洗后,直接在去离子水中将基片和盖片的键合面贴合在一起,转移到培养皿中,然后放置到真空干燥箱内若干时间,完成预键合;S3、将石蜡融化,将步骤S2完成预键合的盖片与基片浸泡到液体石蜡中,在基片的孔处施加负压,利用负压将液体石蜡通过孔吸入到沟道内,将盖片与基片夹紧、固定,冷却到室温,完成对沟道的保护;S4、反复浸泡清洗步骤S3得到的盖片与基片,将盖片与基片之间的可溶性的硅酸钠溶解除去,室温下抽真空干燥;S5、在步骤S4得到的盖片与基片的四周的边缘封一圈外援胶类,施加负压,将紫外光固化胶通过盖片与基片之间的缝隙吸入到非沟道区域;S6、对步骤S5得到的盖片与基片的四周进行紫外光照射,再对基片的沟道区域进行紫外光照射,室温老化;S7、将步骤S6室温老化后得到的盖片与基片加热至温度为55℃~95℃,通过基片上的孔将沟道中的液体石蜡吸出;冷却到室温,通过基片上的孔,清洗残余在沟道中的石蜡后再用酒精清洗,最后反复冲洗浸泡盖片与基片以除去沟道内部残余的硅酸钠,室温下真空干燥;S8、室温...
【专利技术属性】
技术研发人员:张文杰,谢亮,金湘亮,
申请(专利权)人:江苏芯力特电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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