一种超高导热氮化铝LED支架制造技术

技术编号:19968881 阅读:27 留言:0更新日期:2019-01-03 15:20
本实用新型专利技术公开了一种超高导热氮化铝LED支架,包括支架体、焊盘、围坝胶边框、键和电极和散热层,所述支架体中部设有固晶区,所述焊盘对称的设在支架体的两侧,所述围坝胶边框设在固晶区边部,所述键和电极对称的设在固晶区的两侧,优点:本支架具有良好的导热、散热和介电功能,能大大降低能耗,提高电能利用率,良好的介电功能能防止漏电,保证芯片高电压驱动的安全性。

A Super High Thermal Conductivity Aluminum Nitride LED Bracket

The utility model discloses an ultra-high thermal conductivity aluminium nitride LED bracket, which comprises a bracket body, a pad, a dam rubber frame, keys and electrodes, and a heat dissipation layer. The middle part of the bracket body is provided with a crystallization zone. The pad is symmetrically arranged on both sides of the bracket body, the rubber border frame of the dam is arranged on the edge of the crystallization zone, and the keys and electrodes are symmetrically arranged on both sides of the crystallization zone. Good thermal conductivity, heat dissipation and dielectric function can greatly reduce energy consumption, improve energy utilization, good dielectric function can prevent leakage, ensure the safety of high voltage drive chip.

【技术实现步骤摘要】
一种超高导热氮化铝LED支架
本技术属于芯片
,具体涉及一种超高导热氮化铝LED支架。
技术介绍
目前,随着LED封装技术的发展,LED越做越小,亮度越来越高,相应的节能效率也急待提高,由于LED发光的过程中会产生大量的热量,如果产生的热量不及时排出,LED芯片产生的电阻会越来越高,真正用来发光的电能越来越少,从而会大大降低电能的利用率,损耗LED的使用寿命,从而造成能源的大量浪费。
技术实现思路
本技术的一种超高导热氮化铝LED支架,相对于一般支架而言,本技术具有良好的导热、散热和介电功能,能大大降低能耗,提高电能利用率,良好的介电功能能防止漏电,保证芯片在高电压驱动下的安全性。一种超高导热氮化铝LED支架,包括支架体、焊盘、围坝胶边框、键和电极和散热层,所述支架体中部设有固晶区,所述键和电极对称的设在固晶区的两侧,所述围坝胶边框设在固晶区边部,所述焊盘焊盘对称的设在支架体的两侧。进一步,所述固晶区镀有银层,镀银具有很好的导电性能,明亮光泽的表面能提高光线反射率,降低热阻,并且具有极强的耐腐蚀性,能大大的提高和保证LED芯片的工作效率。进一步,所述支架体采用的是氮化铝陶瓷基板,具有热导率高,各种性能如介电强度高、膨胀系数低、吸水性低、机械性能和光传输特性好,是作为LED支架的首选材料。进一步,所述LED芯片封装在固晶区内。进一步,所述散热层设在支架体的底层,散热层的底面为波纹面,并采用的是纯铜材料,锯齿状的支架利用缝隙使散热更快,采用纯铜材料的支架导热更加迅速,进一步保证了LED芯片的工作效率。进一步,试验证明本技术在固晶区内将芯片多串少并,采用高电压驱动能将电源效率做到97,一般的低电压电流驱动效率不会超过90,持续光效达到了200LM/W,能源利用率进一步提高,所有节能性能进一步大大的提高。本技术的有益效果是:本技术采用的是氮化铝陶瓷基板作为LED的承载的材料,底层采用的是锯齿状留有缝隙的支点,具有良好的导热、散热和介电性,对LED发光产生的热量能及时的排出,从而有效地保证了LED的发光效率和电能的使用率,同时能隔绝LED运行时的高压驱动产生的电流,保证了电流不外泄,以免漏电造成伤害。附图说明为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体的实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,附图中,各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。图1为本技术的结构示意图。图2为本技术的底层示意图。具体实施方式下面将结合附图对本技术技术方案的实施例进行详细的描述,以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案,因此只作为示例,而不能以此来限制本技术的保护范围。如图1所示:本技术的一种超高导热氮化铝LED支架,包括支架体1、焊盘2、围坝胶边框5、键和电极3和散热层6,所述支架体1中部设有固晶区4,所述键和电极3对称的设在固晶区4的两侧,所述围坝胶边框5设在固晶区4边部,所述焊盘焊盘2对称的设在支架体1的两侧。本实施例中,所述固晶区4镀有银层,镀银具有很好的导电性能,明亮光泽的表面能提高光线反射率,降低热阻,并且具有极强的耐腐蚀性,能大大的提高和保证LED芯片的工作效率。本实施例中,所述支架体采用的是氮化铝陶瓷基板,具有热导率高,各种性能如介电强度高、膨胀系数低、吸水性低、机械性能和光传输特性好,是作为LED支架的首选材料。本实施例中,所述LED芯片封装在固晶区4内。本实施例中,所述散热层设在支架体1的底层,散热层6的底面为波纹面,并采用的是纯铜材料,锯齿状的支架利用缝隙使散热更快,采用纯铜材料的支架导热更加迅速,进一步保证了LED芯片的工作效率。本实施例中,试验证明本技术在固晶区内将芯片多串少并,采用高电压驱动能将电源效率做到97,一般的低电压电流驱动效率不会超过90,持续光效达到了200LM/W,能源利用率进一步提高,所有节能性能进一步大大的提高。最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本技术的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围,其均应涵盖在本技术的权利要求和说明书的范围当中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超高导热氮化铝LED支架,其特征在于:包括支架体(1)、焊盘(2)、围坝胶边框(5)、键和电极(3)和散热层(6),所述支架体(1)中部设有固晶区(4),所述键和电极(3)对称的设在固晶区(4)的两侧,所述围坝胶边框(5)设在固晶区(4)边部,所述焊盘焊盘(2)对称的设在支架体(1)的两侧。

【技术特征摘要】
1.一种超高导热氮化铝LED支架,其特征在于:包括支架体(1)、焊盘(2)、围坝胶边框(5)、键和电极(3)和散热层(6),所述支架体(1)中部设有固晶区(4),所述键和电极(3)对称的设在固晶区(4)的两侧,所述围坝胶边框(5)设在固晶区(4)边部,所述焊盘焊盘(2)对称的设在支架体(1)的两侧。2.根据权利要求1所述的一种超高导热氮化铝LED支架,其特征在于:所述固...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴谦平
申请(专利权)人:重庆市澳欧硕铭科技有限公司
类型:新型
国别省市:重庆,50

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