The invention provides a light-emitting device and an electronic device. The light emitting device includes: transistor; light reflecting layer; first insulating layer, which has the first layer thickness, the second layer thickness and the third layer thickness; pixel electrode, which is set on the first insulating layer; second insulating layer, which covers the periphery of the pixel electrode; light emitting functional layer; opposite electrode; and conductive layer, which is set on the first layer thickness. The pixel electrode has a first pixel electrode set in the first layer thickness part, a second pixel electrode set in the second layer thickness part, and a third pixel electrode set in the third layer thickness part. The first pixel electrode, the second pixel electrode and the third pixel electrode are connected to the transistor via a conductive layer.
【技术实现步骤摘要】
发光装置以及电子设备本申请是申请号为201410422912.8,申请日为2014年8月25日,专利技术名称为“发光装置、发光装置的控制方法以及电子设备”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及发光装置以及搭载有该发光装置的电子设备。
技术介绍
作为发光装置的一个例子,例如提出了将有机电致发光(以下称为有机EL)元件配置成矩阵状的电光装置(专利文献1)。专利文献1所记载的电光装置是将具有薄膜晶体管,并发出光的像素配置为矩阵状的有源矩阵型的发光装置。在像素依次层叠有光反射层、透光性绝缘膜、第一电极(像素电极)、隔壁层、发光功能层以及第二电极(对置电极)。从未被隔壁层覆盖的区域的像素电极向发光功能层供给电流,发光功能层发光。即,未被隔壁层覆盖的区域(未形成隔壁层的区域)成为发光区域。并且,像素电极被设置为覆盖接触孔,像素电极和薄膜晶体管经由接触孔电连接。即,像素电极和薄膜晶体管电连接的部分成为接触区域。像素电极跨发光区域以及接触区域而设置。透光性绝缘膜具有调整光反射层和对置电极之间的光学距离的作用,透光性绝缘膜的膜厚被设置为满足第一像素的发光区域>第二像素的发光区域>第三像素的发光区域>接触孔的形成区域(接触区域)这样的关系。通过这样的结构(光共振构造),在发光功能层发出的光在光反射层和对置电极之间往复,并有选择地放大与光反射层和对置电极之间的光学距离,即与透光性绝缘膜的膜厚对应的共振波长的光,并从各像素射出。专利文献1所记载的电光装置通过上述光共振构造从各像素例如射出峰值波长为610nm的红色的波长区域的光、峰值波长为540nm的绿色的波长区域的光、以 ...
【技术保护点】
1.一种发光装置,其特征在于,具备:第一晶体管;第二晶体管;第三晶体管;第四晶体管;光反射层,设置在所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管的上方;第一绝缘层,覆盖所述光反射层,并具有第一层厚的部分和比所述第一层厚的部分厚的第二层厚的部分;第一像素电极和第二像素电极,设置在所述第一层厚的部分上;第一中继电极,与所述第一晶体管电连接;第二中继电极,与所述第二晶体管电连接;第三像素电极和第四像素电极,设置在所述第二层厚的部分上;第三中继电极,与所述第三晶体管电连接;第四中继电极,与所述第四晶体管电连接;对置电极;发光功能层,设置在所述第一像素电极与所述对置电极之间、所述第二像素电极与所述对置电极之间、所述第三像素电极与所述对置电极之间以及所述第四像素电极与所述对置电极之间,所述第一中继电极经由设置于所述第一层厚的部分的第一连接部与所述第一像素电极连接,所述第二中继电极经由设置于所述第一层厚的部分的第二连接部与所述第二像素电极连接,所述第三中继电极经由设置于所述第二层厚的部分的第三连接部与所述第三像素电极连接,所述第四中继电极经由设置于所述第二层厚的部分的第四连接部与 ...
【技术特征摘要】
2013.08.27 JP 2013-1753391.一种发光装置,其特征在于,具备:第一晶体管;第二晶体管;第三晶体管;第四晶体管;光反射层,设置在所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管的上方;第一绝缘层,覆盖所述光反射层,并具有第一层厚的部分和比所述第一层厚的部分厚的第二层厚的部分;第一像素电极和第二像素电极,设置在所述第一层厚的部分上;第一中继电极,与所述第一晶体管电连接;第二中继电极,与所述第二晶体管电连接;第三像素电极和第四像素电极,设置在所述第二层厚的部分上;第三中继电极,与所述第三晶体管电连接;第四中继电极,与所述第四晶体管电连接;对置电极;发光功能层,设置在所述第一像素电极与所述对置电极之间、所述第二像素电极与所述对置电极之间、所述第三像素电极与所述对置电极之间以及所述第四像素电极与所述对置电极之间,所述第一中继电极经由设置于所述第一层厚的部分的第一连接部与所述第一像素电极连接,所述第二中继电极经由设置于所述第一层厚的部分的第二连接部与所述第二像素电极连接,所述第三中继电极经由设置于所述第二层厚的部分的第三连接部与所述第三像素电极连接,所述第四中继电极经由设置于所述第二层厚的部分的第四连接部与所述第四像素电极连接,所述第一绝缘层被设置为填充在所述第一连接部与所述第二连接部之间,所述第一绝缘层被设置为填充在所述第三连接部与所述第四连接部之间。2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述第一绝缘层具有比所述第二层厚的部分厚的第三层厚的部分,所述发光装置还具备:第五晶体管;第六晶体管;第五像素电极和第六像素电极,设置在所述第三层厚的部分上;第五中继电极,与所述第五晶体管电连接;以及第六中继电极,与所述第六晶体管电连接,所述第五中继电极经由设置于所述第三层厚的部分的第五连接部与所述第五像素电极连接,所述第六中继电极经由设置于所述第三层厚的部分的第六连接部与所述第六像素电极连接,所述第一绝缘层被设置为填充在所述第五连接部与所述第六连接部之间。3.根据权利要求2所述的发光装置,其特征在于,还具备第二绝缘层,该第二绝缘层在所述第一像素电极上规定第一发光区域,在所述第三像素电极上规定第二发光区域,在所述第五像素电极上规定第三发光区域,所述第一发光区...
【专利技术属性】
技术研发人员:腰原健,野泽陵一,
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。