The invention provides an equivalent simulation model for the terminal simulation of MOS devices in high voltage deep Trench (Fig. 1). Its characteristic is that it is composed of an equidistant and equal width PN junction with the original terminal Trench, and each part has the same kinds and concentration of miscellaneous components, so it can roughly simulate the horizontal collapse voltage of the original terminal. The advantages of this method are that it can find the approximate structure of the terminal which meets the requirements quickly, the equivalent structure is simple, the simulation program is simple, the simulation speed is fast, and the time cost is saved. The transverse collapse voltage at a certain depth at the terminal of a non-90 degree angle Trench device can also be simulated by this model. In this case, the PN junction width in the equivalent model is determined by the Trench width and distance of the device at that depth.
【技术实现步骤摘要】
高压MOS功率器件终端特性仿真等效模型
本专利技术涉及半导体器件仿真领域，具体为一种高压MOS器件终端仿真的等效模型。
技术介绍
现今，半导体器件技术飞速发展，性能日新月异，体积越来越小，需求持续增长，器件设计所需要的时间成本成为制约产品竞争力的重要因素。高压器件在半导体器件中占有重要地位，具有比常规器件更好的耐压性能，能够应用于特殊的环境，市场需求量很大，并且在持续增长。高压器件除了设计器件区的MOS管外，绝大部分的设计成本都用在了器件终端仿真设计上，期间终端能分担工作区MOS管的电压，提高整个器件的性能。为了改善器件终端的设计效率，有必要提出一种更加有效的终端仿真设计方案。
技术实现思路
本专利技术是在普通高压MOS器件终端仿真的基础上，提出一种等效仿真模型，其目的在于快速得出大致的目标终端结构，提高原终端仿真的效率，缩短器件仿真所需要的时间。此等效模型由与原终端Trench等距等宽度的PN结组成，并且各部分参杂种类和浓度与原终端相同。非90度角Trench器件的终端，某一深度的横向崩溃电压，亦可由此模型模拟。采用本专利技术中的等效模型，与原终端模拟比较，结构简单...
【技术保护点】
1.一种高压MOS器件终端的等效模型。
【技术特征摘要】
1.一种高压MOS器件终端的等效模型。2.如权利1要求的终端等效模型，包括与原终端Trench相同宽度和间距的PN结。3.如权利1要求的终端等效模型，与原终端各部分的参杂种类和浓度相同。4.如权利1要求的终端等效模型，可以模拟原终端的横向崩溃电压。5.可以模拟非90度Trench终端的横向崩溃电压。...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈立，
申请(专利权)人：上海卓弘微系统科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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